Bu çalışmada, PED tekniği ile Si altlık üzerine sırasıyla STO ( SrTiO3)
tampon tabakası ve YBCO (YBa2Cu3O7-δ) ince filmi büyütülmüştür. Tavlama
işleminin, altlığın kristal yapısına etkisinin, STO tampon tabakasının kristal yapısının ve büyütülecek olan filmin yüzey morfolojisinin, mikroyapısının ve kristal yapısının incelenmesi tasarlanmıştır. Teknolojik uygulamalar için iyi kalitede YBCO ince filmin sentezlenmesi planlanmıştır. YBCO ince filmin makroskobik yüzey yapısı; tümsekler ve yüzey safsızlıkları polarize OptikM ile incelenmiştir. Filmin mikroyapısı; taneciklerin dizilişi, taneciklerin büyüklüğü ve damlacıklar Taramalı Elektron Mikroskobundan (SEM) alınan görüntülerin analizi ile incelenmiştir. XRD analizi ile filmin kristal yapısı; filmin içerdiği süperiletken ve safsızlık fazları, taneciklerin yönelimi ve filmin yapılanması incelenmiştir. Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) kullanılarak alınan görüntüler yardımıyla, ince filmin yüzey morfolojisi; yüzey pürüzlülüğü, damlacıklar, çıkıntılar ve adacıkların tespiti ve analizi yapılmıştır.
Yüksek sıcaklık süperiletkenlerin yapısı ve özellikleri, YBCO süperiletken malzemenin özellikleri ve hazırlama metotları, ince film işlemleri, ince filmlerde difüzyon mekanizması, atlığın seçiminde dikkat edilecek hususlar, tampon tabakası olarak STO’nun kullanılması ve süperiletkenlerin temel özellikleri Bölüm 2’de ayrıntılı olarak anlatılmıştır. PED ve farklı tekniklerle üretilen YBCO süperiletken filmlerin üretildiği çalışmaların sonuçları kaynak araştırması bölümünde verilmiştir. YBCO ve STO hedef malzemelerin üretilmesi, altlıkların temizlenmesi ve hazırlanması, PED sistemi ile Si altlık üzerine sırasıyla STO tampon tabakasının ve YBCO ince filmin büyütülmesi, kullanılan PED tekniğinin özellikleri ve üretilen filmin AFM, SEM, XRD ve Optik mikroskop ölçümlerine ilişkin bilgiler Bölüm 4’de ayrıntılı olarak verilmiştir.
Kullanmış olduğumuz PED parametrelerinin filmin süperiletkenlik özelliklerine etkisi elde edilen bulguların değerlendirilmesi ile araştırılmıştır. Elde edilen sonuçlar literatürdeki, PED ve diğer çökeltme teknikleriyle büyütülen filmlerden elde edilen sonuçlar ile karşılaştırılmıştır.
Si altlığa, Si/STO filmine ve Si/STO/YBCO filmine ait XRD kırınım desenleri Şekil 5.1-10’da verilmiştir. Si/STO/YBCO filmin yüzey üzerinden alınan AFM fotoğrafları, Şekil 5.11-19’da yer almaktadır. Taramalı Elektron Mikroskobundan alınan görüntüler Şekil 5.20-28’de gösterilmektedir. Filmin farklı kesitlerinden, çekilen optik görüntüleri ise Şekil 5.29-35’de verilmiştir.
Si altlığın tavlanmadan öncesine ait X-ışını kırınım deseninden (Şekil 5.1) (222), (400), (440) ve (444) pikleri belirlenmiştir. Piklerin şiddeti genel olarak büyük olup (400) pik şiddetinin diğerlerine göre oldukça büyük olduğu görülmüştür. Farklı pikler, Si altlığın tavlama işleminden önce farklı yönelimli taneciklere sahip olduğunu göstermektedir. (400) pik şiddetinin büyük olması, (400) yönelimli taneciklerin çok olduğunu göstermiştir. Si altlığın tavlandıktan sonrasına ait X-ışını kırınım deseninden (Şekil 5.2) (002), (311) ve (004) piklerinin olduğu ve (004) pik şiddetinin diğerlerine göre oldukça büyük olduğu gözlenmiştir. Elde edilen piklerin, literatürdeki çalışmaların [84, 114, 115] sonuçlarıyla uyumlu olduğu görülmüştür. Tavlama işlemi sonrası Si altlığın tüm pikleri yer değiştirmiştir. (311) piki dışında, Si altlığın (00l) piklerine sahip olması, tavlama işleminden sonra, Si altlığın taneciklerinin hemen hemen c yönünde büyüdüğünü göstermektedir.
YBCO için genleşme katsayısı 12,9.10-6 K-1 ve Si için 3,10-6 K-1’dir. Genleşme katsayıları arasındaki bu fark, Si ile YBCO arasında bir örgü uyumsuzluğuna ve dolayısıyla altlık ile film arasında bir stres oluşumuna sebep olmaktadır. Bu stres, altlık üzerine büyütülecek olan filmin kristal yapısını ve yüzey morfolojisini olumsuz yönde etkilemektedir. Bu nedenle, Si ile YBCO arasına, genleşme katsayısı 3,10-6 K-1 ile 12,9.10-6 K-1 arasında olan bir tampon tabakasının kullanımı gereklidir [81]. Bu yüzden 9,10-6 K-1 genleşme katsayısına sahip olan STO, YBCO ince filmlerin büyütülmesinde tampon tabakası olarak kullanılmıştır.
Si/STO’ya ait X-ışını kırınım deseninden (Şekil 5.5) STO tampon tabakasına ait (001), (100) ve (110) pikleri görülmüştür. Elde edilen piklerin literatürdeki diğer çalışmaların [65, 116, 117, 118, 119] sonuçlarıyla uyumlu olduğu görülmüştür. Si altlık için ise (002) ve (004) piki görülmüştür. STO’ya ait piklerin şiddetinin oldukça düşük olduğu görülmüştür. Pik şiddetlerinin düşük olmasının birkaç sebebi vardır. STO’ya ait piklerin şiddetinin oldukça düşük olmasının sebeplerinden birincisi, Si altlık ile STO tabakası arasında oluşan arayüzey tabakasıdır. Büyütme mekanizması
STO ile Si arasındaki arayüzeye bağlıdır [115]. Ara yüzey tabaksı Si ile STO2’ nin
yapısına bağlı olarak değişir. Arayüzey tabakası, tampon tabakası ile altlık arasındaki örgü uyumsuzluğundan [115] ve Si altlık üzerindeki SiO2 oluşumundan
kaynaklanmaktadır. Si altlık genellikle doğal bir oksit tabakasına sahiptir. Epitaksiyel büyümenin sağlanabilmesi için çökeltme işleminden önce Si altlığın temizlenmesi gerekir. Silisyum altlığın yüzeyi ne kadar temizlense de yinede doğal bir oksit tabakası kalabilmektedir. SiO2 oluşmaması için, STO’nun çökeltilmesinin ilk bir
dakikası düşük oksijen basıncında yapılmalıdır [84]. Aynı zamanda STO ile Si altlık arasına konulacak bir tampon tabakasının, STO’nun pik şiddetlerinin düşmesine sebep olan arayüzey tabakasının oluşumunu engelliyeceği düşünülmektedir [115]. Arayüzey tabakasının oluşmasını engellemek için diğer bir yol ise STO filminin çökeltilmesinin ilk yarısında çökeltme basıncı olarak O2 gazı yerine H2/Ar karışımı
bir gaz kullanılmasıdır [87]. Bu çalışmada tüm çökeltme işlemi boyunca O2 gazı
kullanılmıştır. Pik şiddetlerinin düşük olmasının ikinci sebebi, altlığın mekaniksel ve fiziksel olarak parlatılmasından dolayı altlığın yüzeyinin tahribata uğraması ve kirlenmesinden dolayı çökeltilecek olan STO tabakasının kristal yapısının kötüleşmesidir [120]. STO’ya ait piklerin şiddetinin düşük olması taneciklerin iyi bir şekilde büyütülemediğini göstermektedir. S. W. Jiang ve arkadaşlarına [121] göre, taneciklerin iyi bir şekilde büyütülmesi için düşük altlık sıcaklığı ve uzun işlem zamanı gerekmektedir. Bu çalışmada, STO tabakasının Si altlık üzerine büyütülmesi yaklaşık 20 dakika sürmüştür. STO’ya ait piklerin şiddetinin oldukça düşük olmasının üçüncü bir sebebi de büyütme işleminin çok kısa sürmesidir. Đşlem zamanının kısa olmasından dolayı kristalizasyon için gerekli enerji tam olarak sağlanamamış ve tanecik büyümesi etkili bir şekilde olmamıştır. Yüksek oksijen basıncı, pik şiddetlerinin küçük olmasının bir diğer sebebidir. Bu çalışmada seçilen 5 mtorr’luk basıncın yüksek olduğu düşünülmektedir [122]. Artan oksijen basıncıyla, hedeften kopan atomların kinetik enerjileri azalmaktadır. Film büyümesi boyunca kinetik enerjinin bir kısmı altlık üzerindeki atomların taşınma enerjisine dönüşmektedir. Yine artan oksijen basıncıyla altlık yüzeyi üzerindeki atomların taşınma enerjisi azalmaktadır. Taşınma enerjisi düşük olduğu zaman, atomlar altlık üzerinde, etkili bir şekilde taşınamaz. Bu durum, kristal yapının bozulmasına ve dolayısıyla XRD pik şiddetlerinin düşmesine neden olmaktadır [122]. Pik
şiddetlerinin düşük olmasının bir diğer sebebi ise altlık sıcaklığının oldukça yüksek olmasıdır. YBCO için seçilen 890 oC yüksek altlık sıcaklığının STO tampon tabakasının çökeltilmesi içinde kullanılmış olmasının, pik şiddetlerinin azalmasına neden olduğu düşünülmektedir [121].
Şekil 5.5’de Si/STO’ya ait X-ışını kırınım deseninde 10o ≤ θ ≤ 20o arasında görülen düşük şiddetli piklerin, S.W.Jiang ve arkadaşlarının [121] çalışmalarının sonuçlarıyla uyumlu olarak SrOx ve TiOx safsızlık fazları olduğu ve bu safsızlık
fazlarının 850 oC’den sonra ortaya çıktığı düşünülmektedir. Bu SrOx ve TiOx
safsızlık fazları oksijen basıncından etkilenmektedir [123].
21,4o’de Si altlığın (002) pikiyle birlikte STO’nun (001) pikinin çakıştığı, fakat şiddetinin fazla yüksek olmadığı görülmektedir. Çakışık olan [002]Si[001]STO piki, a-b düzlemindeki Si altlık ile STO tampon tabakası arasındaki kristolagrafik yönelim bağlılığını göstermektedir [72]. Bu sonuca göre, STO’nun Si altlık üzerine hemen hemen epitaksiyel olarak büyüdüğü düşünülmektedir [115].
(110) pik şiddetinin (004) pik şiddetine göre oldukça zayıf olduğu görülmüştür. (110) pik şiddetinin (004) pik şiddetine göre zayıf olmasının PED [67, 106, 107] ve PLD [84, 108, 109] ’de ile üretilen filmlerde sıkça görülen, elektron demeti-hedef etkileşimi esnasında hedef yüzeyi üzerinde hidrodinamik püskürtme sonucu eriyik tabakanın altlık yüzeyine doğru bir bütün olarak püskürtülmesi ve bu parçanın STO tabakası üzerine yapışmasıyla oluşan damlacıklardan kaynaklandığı düşünülmektedir [110].
Si ve Si/STO’ya ait X-ışını kırınım deseninden (Şekil 5.6) STO tabakası çökeltildikten sonra Si altlığın (311) piki kaybolmuş ve Si altlığa ait (002) ve (004) piklerinin şiddetinin düştüğü gözlenmiştir. Şekil 5.6’da görüldüğü gibi, X-ışınımı kırınım deseninden termal titreşimlerin STO tampon tabakasının çökeltilmesinden sonra azaldığı görülmektedir. Bu durum STO taneciklerinin Si altlık üzerini kapladığını ve malzemenin kristal yapısının geliştiğini göstermektedir. Termal titreşimler cihazın özelliklerine, malzemenin safsızlık durumuna ve cihazda seçilen X-ışının cinsine bağlıdır.
Şekil 5.7’de Si/STO/YBCO ince filmine ait X-ışını kırınım deseninden, YBCO ince filmine ait (002),(004), (005), (006), (007), (008), (009) ve (0010) pikleri, STO’ya ait (110), (311) ve (003) pikleri görülmüştür. Fakat piklerin şiddeti oldukça
düşüktür. Elde edilen piklerin, literatürdeki diğer çalışmaların [62, 72, 112, 124, 126, 127] sonuçlarıyla uyumlu olduğu görülmüştür. Aynı zamanda, X-ışını kırınım deseninden YBCO’nun (00l) piklerinin dışında 32,4o’de ve 67,1o’de BaOx safsızlık
piklerinin olduğu görülmüştür. Aynı safsızlık pikleri, T. Kusumori ve arkadaşları [111] tarafından da gözlenmiştir. YBCO’ya ait (00l) piklerinin görülmesi c yönünde bir büyümenin olduğunu göstermektedir [125].
Çökeltme şartlarına bağlı olarak malzemede oluşan safsızlık fazlarının YBCO filme ait piklerin şiddetinin az olmasının bir sebebi olduğu düşünülmektedir [111]. Artan pik şiddeti ile süperiletken kritik sıcaklık değerinin arttığı bilinmektedir. Bu çalışmada elde edilen XRD verilerine göre, üretilen ince filmin süperiletken fazda olduğu, fakat kritik sıcaklık değerinin oldukça düşük olduğu söylenebilir.
Pik şiddetinin düşük olmasının diğer bir sebebi YBCO ile STO arasında bir arayüzey tabaksının oluşmasıdır [129]. Arayüzey tabakası kristal yapıyı bozmaktadır.
Büyütülen filmin kalınlığı da kristal yapıyı etkilemektedir. XRD pik şiddetlerine bakarak büyütülen filmin çok ince olduğunu söyleyebiliriz. YBCO filminin oldukça ince olmasının bir sebebi olarak elektron demetinin hızlandırıldığı seramik borunun çökelme işlemi sonrası hedeften kopan malzemelerle içinin dolması, gelen elektron demeti enerjinin azalması, kopma miktarının düşmesi ve dolayısıyla çökeltme süresi boyunca altlığa daha az maddeni taşınarak yapışması düşünülebilir. Bu problem şöyle çözülebilir. Birkaç çökeltme işleminden sonra, seramik tüp asitle temizlenmelidir. Bu çalışmada, temizlenme işlemi yapılamamıştır. Christen ve arkadaşları [76], seramik borunun temizlenmesinin çökeltme oranını büyük ölçüde artırdığını ifade etmektedirler.
Şekil 5.10’da Si altlık ile Si/STO/YBCO ince filmine ait X-ışını kırınım desenleri karşılaştırıldığı zaman, pik şiddetlerinin arttığı, termal titreşimlerin azaldığı, pik temel düzeyinin aşağıya doğru düz düzleştiği ve nispeten daha güzel bir desenin ortaya çıktığı görülmektedir. Buda YBCO filmin çökeltilmesiyle, kristal yapının geliştiğini göstermektedir.
Şekil 5.15’teki 2 boyutlu AFM fotoğrafında farklı büyüklüklerde ve yönelimde damlacıklar görülmektedir. Damlacıklar hedef-elektron demeti etkileşimi sırasında, hedeften hidrodinamik püskürtme sonucu oluşan eriyik damlacıkların yeniden film yüzeyinde katılaşmasıyla oluşur. AFM fotoğraflarında görülen
damlacıklar, PED ile üretilmiş süperiletken filmlerin yüzeyinde sıkça görülmektedir. Sonuçların literatürdeki diğer çalışmaların [57, 106, 107] sonuçlarıyla uyumlu olduğu bulunmuştur. Bu damlacıkların ortamla çapı yaklaşık 0,098 µm olarak ölçülmüştür. Damlacıkların varlığı PED parametreleri değiştirilerek azaltılabilir. Basıncın artması ve hızlandırıcı potansiyelin azalması ile parçacık büyüklüğü azaltılabilir. [11] Bu çalışmada, hızlandırıcı potansiyel değeri 13 kV olarak seçilmiştir. Kovaleski ve arkadaşlarının [67] aynı hızlandırıcı potansiyelde ölçtükleri ortalama parçacık yarıçapı (~0,1 µm) ile bizim ölçtüğümüz parçacık yarıçapı arasında iyi bir uyum olduğu görülmüştür.
Si/STO/YBCO filmine ait 0,5x0,5 µm2’lik bölgeden çekilen AFM fotoğrafından (Şekil 5.16) 0,25 µm2’lik bir yüzey alanında yapılan hesaplamalarda, damlacık yoğunluğu 109 damlacık/cm2 olarak hesaplanmıştır. Bu değer, Kovaleski ve arkadaşlarının [67] vermiş olduğu değerden daha büyük bir değerdir.
Şekil 5.18’de Si/STO/YBCO ince filmine ait AFM fotoğraflarından, adacıkların olduğu tespit edilmiştir. Aynı adacıklar diğer araştırmacılar tarafından da gözlenmiştir [113]. Adacıkların, büyüme mekanizmasına bağlı olarak ortaya çıktığı ve anizotropik olduğu düşünülmektedir. Adacıkların anizotropisi, YBCO ile STO arasındaki anizotropik stresten kaynaklanmaktadır [113].
Şekil 5.14 görüldüğü gibi, Si/STO/YBCO filmine ait, 1x1 µm2’lik bölgeden çekilen AFM fotoğrafının yüzey analizinden Ra = 22,3983 nm ve Rms = 27,6300 nm olarak belirlenmiştir. Si/STO/YBCO filmine ait 1x1 µm2’lik bölgeden çekilen AFM fotoğrafından elde edilen Ra yüzey pürüzlülüğü değeri, S. M. He ve arkadaşlarının [112] üretikleri YBCO/STO filmine ait 1x1 µm2’lik bölgeden çekilen AFM fotoğrafından elde edilen Rms yüzey pürüzlülüğü değeriyle uyum içerisinde olduğu ve Si/STO/YBCO’ya ait yüzey pürüzlülüğünün literatürdeki [127] STO/YBCO filmin yüzey pürüzlülüğünden küçük olduğu görülmüştür. Sonuç olarak daha düzgün bir yüzey morfolojisine sahip filmin üretildiğini söyleyebiliriz.
Düzgün yüzey ve yoğun yapı süperiletken ince film uygulamaları için oldukça önemlidir [66]. Üretilen filmin yüzey pürüzlülüğü, kristal büyütme teknolojisine ve yüzey işlem metoduna bağlıdır. Büyütülen filmin pürüzlülüğünün süperiletkenlik özellikleri üzerinde etkisi büyüktür [72]. 27,630 nm olarak hesaplanan Rms yüzey pürüzlülük değeri değeri, YBCO filmin pasif cihaz
uygulamaları için kabul edilebilir bir değer olmakla birlikte yine de büyük bir değer olduğu söylenebilir.
Filmin kalınlığı büyütme oranı ile büyüme zamanı çarpılarak hesaplanır. Üretici firma tarafından deney şartlarında büyütme oranı 1 Ao olarak verilmiştir. Bu çalışmada STO’nun ve YBCO’nun büyütülmesi yaklaşık olarak 44 dakika sürmüştür. Buradan, üretilen filmin kalınlığı yaklaşık olarak 24 nm değerinde olmalıdır [123]. Fakat XRD sonuçları, filmin kalınlığının oldukça düşük olduğunu göstermektedir. Bunun sebebi seçilen altlık sıcaklığının oldukça yüksek olmasıdır [128]. Yüksek altlık sıcaklıklarında hedef-elektron demeti etkileşimi sonucu kopan ve altlığa yapışan malzemeler, altıktan tekrar püskürtülmektedir. Bu ise, büyüme oranın azalmasına ve dolayısıyla büyütülen filmin kalınlığının küçülmesine sebep olmaktadır.
Literatürdeki çalışmalarda yüzey pürüzlülüğünün birçok sebebi olduğu ifade edilmektedir. Yüzey pürüzlülüğünün fazla olmasının birinci sebebi, film yüzeyi üzerinde, damlacık, çıkıntı, adacık ve çökelme gibi parçacıkların oluşmasıdır. Bu parçacıklar PED parametreleri değiştirilerek azaltılabilir [103]. Đkinci bir sebebi ise seçilen altlık sıcaklığının ve oksijen basıncının yüksek olmasıdır. Yüksek altlık sıcaklıklarında, taneciklerin anormal büyümesi gerçekleşmekte, bu durum yüzey pürüzlülüğünü artırmaktadır. Altlık sıcaklığının artmasıyla, Ra değeri azalırken, Rms değerinin arttığı belirtilmektedir [109]. Yüzey pürüzlülüğünü etkileyen faktörlerden üçüncüsü hedef-altlık mesafesidir. Bu çalışmada seçilen hedef-altlık mesafesinin oldukça yüksek olduğu düşünülmektedir [76].
Şekil 5.19’da Si/STO/YBCO filmine ait 1x1 µm2’lik bölgeden çekilen AFM fotoğrafında tanecik sınırları görülmektedir. Tanecik sınırlarına bakarak taneciklerin büyük olduğu söylenebilir. Tanecik genişliğinin büyük olması, yüzey pürüzlüğü değerinin yüksek olduğunu göstermektedir [109]. Tanecik sınırlarında oksijen boşluklarının olduğu düşülmektedir [112].
Şekil 5.26’da Si/STO/YBCO filmine ait SEM fotoğraflarında çıkıntıların olduğu görülmüştür. Aynı yapılar diğer araştırmacılar [87] tarafından üretilen filmlerde de görülmüştür. Çıkıntılar, Y123 fazına sahip YBCO süperiletken ince filmlerin yüzey yapısında sıkça oluşmaktadır. Çıkıntıların genişliği mikron mertebesindedir. Çıkıntılar, a yönelimli parçacıklar, yanlış yönelimli tanecikler ya da
safsızlık fazlarından kaynaklanmaktadır [84]. Film yüzeyindeki çıkıntıların oldukça küçük olmasının sebebinin, film büyütme işleminin oldukça kısa olması düşünülmektedir [111]. Büyüme zamanı arttıkça çıkıntıların büyüklüğü artmaktadır.
SEM fotoğraflarında görülen çıkıntıların CuO, BaO oksitlerinin kristal parçacıkları veya amorf BaCu2O2 bileşiği olduğu düşünülmektedir [111].
Şekil 5.28’de Si/STO/YBCO filmin iki farklı bölgesinden çekilmiş SEM fotoğraflarından yüzey üzerinde tümseklerin oluştuğu görülmektedir. Bu tümseklerin STO’nun pürüzlü yapısından kaynaklandığı düşünülmektedir. Eğer STO çökeltildikten sonra bir süre tavlamaya bırakılırsa, STO’nun yüzey pürüzlülüğü azalır ve dolayısıyla üzerine çökeltilecek olan YBCO’nun yüzey pürüzlülüğü de azalmış olur [121].
YBCO’nun doğrudan Si üzerine çökeltilmesi ile YBCO/STO/Si filmlerin yüzey yapısının daha yoğun, daha düz ve yüzeydeki taneciklerin ortalama genişliğinin daha küçük olduğu görülmüştür [129].
Şekil 5.33’de Si/STO/YBCO filmin enine kesitinden çekilen optik fotoğrafı gösterilmektedir. Optik fotoğraflardan Si altık üzerine STO filmi ve YBCO filminin büyüdüğü, YBCO filmi ile STO filmi arasında bir arayüzey tabaksının oluşmasının mümkün olduğu düşünülmektedir. Şekil 5.34’de Si/STO/YBCO filme ait 100 defa büyütülerek çekilmiş optik fotoğraftan, bazı bölgelerin düz, bazı bölgelerde tümseklerin olduğu görülmüştür. Altlığın yüzey yapısına ve işlem parametrelerine bağlı olarak oluşan tümsekler farklı büyüklüktedir. Tümseklerin özellikle kenar kısımlarda oluştuğu görülmektedir. Bu durumun hedeften kopan plazma bulutunun kenar kısımların stokiyometrik olmaması ve daha az yoğun olmasından kaynaklandığı düşünülmektedir [103].
Elde dilen sonuçlar STO tampon tabakasının iyi kalitede YBCO filmin büyütülmesinde tek başına tampon tabakası olarak kullanılabileceğini göstermiştir. Birçok tampon tabakası çökeltmek yerine, STO tampon tabakasının iyi kalitede YBCO filmin büyütülmesinde tek başına kullanılabilmesi işlem sayısını azaltacak ve PED işlem maliyetini düşürecektir.
Sonuç olarak PED tekniğinin YBCO süperiletken ince filmin üretilmesinde yeterli olduğu görülmüştür. Sistemin yeni, parametrelerinin oldukça çok olması ve dolayısıyla sistem parametre değerlerinin uygun olarak seçilememesi bir dezavantaj olarak ortaya çıksa da elde edilen sonuçların bundan sonraki YBCO ince film üretimi çalışmalarına yardımcı olacağını düşünüyoruz. Çalışmanın bundan sonraki safhalarında üretilen süperiletken ince filmin elektriksel ve magnetik özelliklerinin belirlenmesi ve sistem parametreleri değiştirilerek üretilecek olan yeni filmlerin özelliklerinin incelenmesi planlanmaktadır.
7. KAYNAKLAR
1. Boğaz, H., 2006, “Bi1,6Pb0,4SR2Ca2-xSmxCu3Oy süperiletkenlerinin elektriksel
karakterizasyonu”, Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Yüksek Lisans Tezi, Konya.
2. Wesche, R., 1998, “High-Temperature Superconductors: Materials, Properties and Applications”, Kluwer Academic Publishers, London.
3. Ateş, H., 2001, “Y0,4V0,6Ba2Cu3Oz süperiletken sisteminin karakterizasyonu”,
II. Ulusal Yüksek Sıcaklık Süperiletkenler Sempozyumu, Malatya.
4. Akimitsu, J., Nagamatsu, J., Nakagawa, N., Murakana, T., Yuji, Z., 2001, “Superconductivity at 39 K in Magnesium Diboride”, Nature 410, 63 – 64.
5. Alecu, G., 2004, “Crystal structures of some high-temparature superconductors”, Romanian Reports in Physics, Vol. 56, No. 3, 404–412.
6. Parinov, I. A., 2007, “Microstructure and Properties of High-Temperature Superconductors”, Springer, New York.
7. Altunbaş, M., 2001, “Yüksek sıcaklık süperiletken ince filmlerin üretimi ve kullanım alanları”, II. Ulusal Yüksek Sıcaklık Süperiletkenler Sempozyumu, Malatya.
8. Avcı, I., Tepe, M., Oktem, B., Serincan, U., Turan, R., Abukay, D., 2005, “Developing a trilayer processing technique for superconducting YBa2Cu3O7−δ
thin films by using Ge ion implantation”, Supercond. Sci. Technol. 18, 477–481.
9. Aslan, F., 2005, “Sol-gel metodu ile YBa2Cu3O7−δ süperiletken elde edilmesi”,
10. Hollmannt, E. K., Vendikt, O. G., Zaitsevt, A. G., Melekht, B. T., 1994, “Substrates for high-Tc superconductor microwave integrated circuits”,
Supercond. Sci. Technol. 7, 609–622.
11. Mathis, . J. H., Christen, H. M., 2007, “ Factors that influence particle formation during pulsed electron deposition of YBCO precursors”, Physica C 459, 47-51.
12. Beasley, M. R., 1989, “High-temperature superconductive thin films”, Proceedings of The IEEE, Volume 77, No. 8, 1155-1161.
13. Harshavardhan, K. S., Strikovski, M., 2005, “Second-Generation HTS Conductors”, Goyal, A., Kluwer Academic Publishers, Chapter 8, 109.