• Sonuç bulunamadı

Yeni aktif eleman yapıları ve analog devre tasarımındaki uygulamaları

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "Yeni aktif eleman yapıları ve analog devre tasarımındaki uygulamaları"

Copied!
203
0
0

Yükleniyor.... (view fulltext now)

Tam metin

(1)

YEN

ø AKTøF ELEMAN YAPILARI VE ANALOG DEVRE

TASARIMINDAK

ø UYGULAMALARI

Elektronik Yük. Müh. Umut Engin AYTEN

FBE Elektronik ve Haberleúme Mühendisli÷i Anabilim Dalı Elektronik Programında Hazırlanan

DOKTORA TEZø

Tez Savunma Tarihi : 11 Kasım 2009

Tez Danıúmanı : Prof. Dr. Herman SEDEF (YTÜ) Jüri Üyeleri : Prof. Dr. Vedat TAVùANOöLU (YTÜ)

: Prof. Dr. Oruç BøLGøÇ (Kültür Ünv.) : Prof. Dr. Ece Olcay GÜNEù (øTÜ) : Prof. Dr. Serdar ÖZOöUZ (øTÜ)

(2)

ii Sayfa øÇøNDEKøLER...ii SøMGE LøSTESø ... v KISALTMA LøSTESø ... vi ùEKøL LøSTESø ... ix

ÇøZELGE LøSTESø ... xvi

ÖNSÖZ………...xvii

ÖZET……….xviii

ABSTRACT ... xx

1. GøRøù... 1

1.1 Tarihçe ... 5

1.2 Konu ile ølgili Çalıúmalar ... 6

1.2.1 øki Ucu Serbest Endüktans, Kapasite ve Direnç Elemanlarının Gerçeklenmesi ile ølgili Çalıúmalar ... 6

1.2.2 Yapay Transformatör Devreleri ile ølgili Çalıúmalar... 13

1.2.3 økinci Dereceden Filtre Devreleri ile ølgili Çalıúmalar ... 14

1.2.4 Osilatörler Devreleri ile ølgili Çalıúmalar ... 23

1.2.5 n. Dereceden Filtre Gerçeklemesi ile ølgili Çalıúmalar ... 28

1.3 Bu Tezde øzlenen Yol ... 30

2. ÖNERøLEN AKTøF ELEMAN YAPILARI ... 33

2.1 Akım Geriyönlü Geçiú øletkenli÷i Kuvvetlendiricisi (CBTA) ... 33

2.1.1 CBTA Elemanının CMOS Tranzistörlerle Gerçekleútirilmesi ... 36

2.1.2 CBTA Aktif Elemanının Performans Analizi ... 37

2.2 Akım Kontrolü Akım Geriyönlü Geçiú-øletkenli÷i Kuvvetlendiricisi (CCCBTA)53 2.2.1 CCCBTA Elemanının Lineer Çalıúma Koúullarının Belirlenmesi... 55

2.2.2 CCCBTA Elemanının Küçük øúaretlerde AC Analizi ... 60

2.3 Çok Çıkıúlı CBTA ... 61

2.4 De÷iútirilmiú Gerilim øzleyicili Akım Farkı Kuvvetlendiricisi (Modified Current Differencing Buffered Amplifier-MCDBA) ... 64

2.4.1 MCDBA Elemanının Lineer Çalıúma Koúullarının Belirlenmesi ... 66

2.4.2 MCDBA Elemanının Küçük øúaretlerde AC Analizi ... 69

3. øKø UCU SERBEST ENDÜKTANS, KAPASøTE VE DøRENÇ ELEMANLARININ GERÇEKLENMESø... 72

3.1 Önerilen Devre Yapısı ... 72

(3)

iii

Devresi... 85

3.5 Önerilen Devrelerin Avantajları ve Literatür ile Karúılaútırılması ... 88

4. YAPAY TRANSFORMATÖR GERÇEKLEMESø... 91

4.1 Önerilen Devre Yapısı ... 91

4.2 Benzetim Sonuçları... 95

4.3 Deneysel Sonuçlar ... 98

4.4 Önerilen Devrenin Literatür ile Karúılaútırılması ... 99

5. TEK GøRøùLø ÇOK ÇIKIùLI VE ÇOK GøRøùLø TEK ÇIKIùLI FøLTRELER 101 5.1 Akım Modlu Tek Giriúli Üç Çıkıúlı Çok Fonksiyonlu Filtre Tasarımı ... 101

5.2 Gerilim Modlu Tek Giriúli Dört Çıkıúlı Çok Fonksiyonlu Filtre Tasarımı ... 105

5.3 Gerilim Modlu Üç Giriúli Tek Çıkıúlı Çok Fonksiyonlu Filtre Tasarımı... 107

6. ÖNERøLEN SøNÜZOøDAL OSøLATÖR DEVRELERø ... 112

6.1 Akım ve Gerilim Çıkıúlı Sinüzoidal Osilatör Devresi... 112

6.2 Önerilen Sinüzoidal Osilatör Devresinin CCCBTA Elemanıøle Gerçekleútirilmesi ... 116

6.3 Önerilen Sinüzoidal Osilatör Devresinin Deneysel Sonuçları... 119

6.4 Akım ve Gerilim Modlu Dikgen Osilatör Devresi ... 120

7. BASAMAKLI TÜRDEN DEVRELERøN øùARET AKIù DøYAGRAMI YÖNTEMø øLE SENTEZø ... 126

7.1 Gerilim Modlu Devreler için Leapfrog Sentez Yönteminin Uygulanması ... 126

7.1.1 Aktif Alçak Geçiren Filtre Devresinin Sentezi... 129

7.1.2 Band Geçiren Filtre Devresinin Sentezi ... 130

7.1.3 Band Söndüren Filtre Devresinin Sentezi ... 137

7.1.4 Yüksek Geçiren Filtre Devresinin Sentezi ... 142

7.2 Akım Modlu Devreler için Leapfrog Sentez Yönteminin Uygulanması... 144

7.2.1 Akım Modlu Aktif Alçak Geçiren Filtre Devresinin Sentezi... 147

7.2.2 Akım Modlu Band Geçiren Filtre Devresinin Sentezi ... 149

7.2.3 Akım Modlu Band Söndüren Filtre Devresinin Sentezi... 154

7.2.4 Akım Modlu Yüksek Geçiren Filtre Devresinin Sentezi... 156

8. SONUÇLAR... 161

KAYNAKLAR... 165

EKLER………178

Ek 1 Devre Benzetimlerinde Kullanılan TSMC 0.25 Pm CMOS Tasarım Parametreleri ... 179

Ek 2 Devre Benzetimlerinde Kullanılan BJT Üretim Parametreleri ... 180

Ek 3 SCI øndeksine Giren Dergilerde Yayınlanan Makaleler ve Uluslararası Konferanslarda Kabul Edilen Bildiriler ... 181

(4)
(5)

v )

(s

p

D Frekansa Ba÷lı Akım Kazancı )

(s

n

D Frekansa Ba÷lı Akım Kazancı

İp Akımøzleyici Hatası

İn Akımøzleyici Hatası

İw Gerilim øzleyici Hatası

gm

H Geçiú øletkenli÷i øzleyici Hatası

P Tranzistördeki Taúıyıcı Mobilitesi

Pw(s) Frekansa Ba÷lı Gerilim Kazancı

Ȧ Açısal Frekans

Ȧo Do÷al Frekans

C Kapasite

Cox Birim Alandaki Kapı-Oksit Kapasite De÷eri )

(s

gm Frekansa Ba÷lı Geçiú øletkenli÷i

go DC ùartlardaki Geçiú øletkenli÷i

I Akım

Io Kutuplama Akımı (Kontrol Akımı)

k Boltzman Sabiti

L Endüktans

L Tranzistörün Kanal Uzunlu÷u

Lp Transformatörün Birinci Kapısınaøliúkin Öz Endüktans

Ls Transformatörün økinci Kapısına øliúkin Öz Endüktans

M Ortak Endüktans R Direnç Rx Parazitik Direnç Q Kalite Faktörü q Elektron Yükü T Mutlak Sıcaklık V Gerilim VT Isıl Gerilim

W Tranzistörün Kanal Geniúli÷i

Y Admitans Z Empedans

(6)

vi AC Alternating Current (Alternatif Akım) AGF Alçak Geçiren Filtre

BGF Band Geçiren Filtre

BJT Bipolar Jonksiyonlu Tranzistör BSF Band Söndüren Filtre

CBTA Current Backward Transconductance Amplifier (Akım Geriyönlü Geçiú øletkenli÷i Kuvvetlendiricisi)

CCDCVC Current Controlled Differential Current Voltage Conveyor (Akım Kontrollü Diferansiyel Akımlı Gerilim øzleyici)

CCCBTA Current Controlled Current Backward Transconductance Amplifier (Akım Kontrollü Akım Geriyönlü Geçiú øletkenli÷i Kuvvetlendiricisi)

CC Current Conveyor (Akım Taúıyıcı)

CCI First Generation Current Conveyor (Birinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

CCI+ Positive-Type First Generation Current Conveyor (Pozitif Tip Birinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

CCI- Negative-Type First Generation Current Conveyor (Negatif-Tip Birinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

CCII Second Generation Current Conveyor (økinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

CCII+ Positive-Type Second Generation Current Conveyor (Pozitif-Tip økinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

CCII- Negative-Type Second Generation Current Conveyor (Negatif-Tip økinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

CCCII Second Generation Current Controlled Current Conveyor (økinci Kuúak Akım Kontrollu Akım Taúıyıcı)

CCIII Third Generation Current Conveyor (Üçüncü Kuúak Akım Taúıyıcı)

CDA Current Differencing Amplifier (Akım Fark Kuvvetlendiricisi veya Norton Kuvvetlendiricisi)

CDBA Current Differencing Buffered Amplifier (Gerilim øzleyicili Akım Farkı Kuvvetlendiricisi)

CC-CDBA Current Controlled Current Differencing buffered Amplifier (Akım Kontrollu Gerilim øzleyicili Akım Farkı Kuvvetlendiricisi)

CDTA Current Differencing Transconductance Amplifier (Akım Farkını Alan Geçiú øletkenli÷i Kuvvetlendiricisi)

(7)

vii

Current Feedback Operational Amplifier (Akım Geri Beslemeli øúlemsel Kuvvetlendirici)

CM Current Mode (Akım Modlu)

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor (Tümler Metal Oksit Yarıiletken) CMRR Common-Mode Rejection Ratio (Ortak Mod Reddetme Oranı)

COA Current Operational Amplifier (Akımøúlemsel Kuvvetlendirici) DC Direct Current (Do÷ru Akım)

DDA Differencial Difference Amplifier (Diferansiyel Fark Kuvvetlendiricisi)

DDCCFA Differential Difference Complementary Current Feedback Amplifier (Diferansiyel Fark Tümler Akım Geribeslemeli Kuvvetlendirici)

DO-CCII Dual-Output Second Generation Current Conveyor (Çift Çıkıúlı økinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

DO-CCCII Dual-Output Second Generation Current Controlled Current Conveyor (Çift Çıkıúlı økinci Kuúak Akım Kontrollu Akım Taúıyıcı)

DO-OTA Dual Output Operational Transconductance Amplifier (Çift Çıkıúlı øúlemsel Geçiú øletkenli÷i Kuvvetlendiricisi)

DXCCII Dual X Second Generation Current Conveyor (Çift X Çıkıúlı økinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

DVCC Differential Voltage Current Conveyor (Diferansiyel Gerilimli Akım Taúıyıcısı) DVCFA Differential Voltage Current Feedback Amplifier (Diferansiyel Gerilimli Akım

Geri Beslemeli Kuvvetlendirici)

FDCCII Fully Differential Current Conveyor (Tamamen Farksal Akım Taúıyıcı) FDNR Frequency Dependent Negative Resistor (Frekansa Ba÷ımlı Negatif Direnç) FTFN Four Terminal Floating Nullor (Dört Uçlu Yüzen Nulör)

GIC Generalized Immitance Converter (Genelleútirilmiú ømitans Çevirici) IC Integrated Circuit (Tümleúik Devre)

KHN Kerwin-Huelsman-Newcomb

MCCIII Modified Third Generation Current Conveyor (De÷iútirilmiú Üçüncü Kuúak Akım Taúıyıcı)

MCDBA Modified Current Differencing Buffered Amplifer (De÷iútirilmiú Gerilim øzleyicili Akım Farkı Kuvvetlendiricisi)

MISO Multi Input Single Output (Çok Giriúli Tek Çıkıúlı)

(8)

viii

Multiple Output Current Conveyor (Çok Çıkıúlı Akım Taúıyıcı)

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili Tranzistör)

MRC MOS Resistive Circuit

NIC Negative Impedance Converter (Negatif Empedans Çevirici) NF Notch Filter (Çentik Filtre)

Opamp Operational Amplifier (øúlemsel Kuvvetlendirici)

OMA Operational Mirrored Amplifier (øúlemsel Aynalı Kuvvetlendirici)

OTA Operational Transconductance Amplifier (øúlemsel Geçiú øletkenli÷i Kuvvetlendiricisi)

OTRA Operational Transrezistance Amplifier (øúlemsel Geçiú Direnç Kuvvetlendirici) PSPICE Personal Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis

RTL Resistor Transistor Logic (Direnç Tranzistör Lojik) TGF Tüm Geçiren Filtre

TISO Three input Single Output (Üç Giriúli Tek Çıkıúlı)

VCG-CCII Voltage and Current Gained Second Generation Current Conveyor (gerilim ve Akım Kazançlıøkinci Kuúak Akım Taúıyıcı)

VLSI Very Large Scale Integration (Çok Büyük Ölçekli Tümleútirme) VM Voltage Mode (Gerilim Modlu)

(9)

ix

ùekil 2.1 CBTA aktif elemanının devre sembolü... 33 ùekil 2.2 a) CBTA aktif elemanının ba÷ımlı kaynaklardan oluúmuú devre modeli, b) OTA ve DO-CCII aktif elemanları kullanılarak elde edilen CBTA eúde÷er devresi. .... 34 ùekil 2.3 CBTA elemanının kayıplı eúde÷er devre modeli. ... 35 ùekil 2.4 CBTA elemanının CMOS tranzistörlerle gerçeklemesi... 36 ùekil 2.5 a) z çıkıú akımına iliúkin DC transfer karakteristikleri. b) w çıkıú gerilimine iliúkin DC transfer karakteristikleri. ... 39 ùekil 2.6 a) p uç akımına iliúkin DC transfer karakteristikleri. b) n uç akımına iliúkin DC

transfer karakteristikleri. ... 39 ùekil 2.7 Denklem (2.7a)’daki fonksiyonun incelenmesi. a) iz(vpvn) karakteristi÷i (vz

de÷iúken). b) iz(vpvn) karakteristi÷i (iw de÷iúken). ... 41 ùekil 2.8 Denklem (2.7b)’deki fonksiyonun incelenmesi. a) vwvz karakteristi÷i (iw de÷iúken).

b) vwvz karakteristi÷i (vp de÷iúken). c) vwvz karakteristi÷i (vn de÷iúken)... 42 ùekil 2.9 Denklem (2.7c)’deki fonksiyonun incelenmesi. a) ipiw karakteristi÷i (vz de÷iúken).

b) ipiw karakteristi÷i (vp de÷iúken). c) ipiw karakteristi÷i (vn de÷iúken)... 43 ùekil 2.10 Denklem (2.7d)’deki fonksiyonun incelenmesi. a) iniw karakteristi÷i (vz de÷iúken).

b) iniw karakteristi÷i (vp de÷iúken). c) iniw karakteristi÷i (vn de÷iúken)... 44 ùekil 2.11 IBakımı ile gm de÷erinin de÷iúimi. ... 45 ùekil 2.12 CBTA elemanının genlik-frekans karakteristikleri. a) |gm(s)| |Iz /(Vp Vn)|

frekans karakteristi÷i. b) |Pw(s )| |Vw/Vz |- frekans karakteristi÷i... 47 ùekil 2.13 CBTA elemanının genlik-frekans karakteristikleri. a) |Dn | |In/Iw |frekans

karakteristi÷i. b) |Dn | |In/Iw |frekans karakteristi÷i. ... 48 ùekil 2.14 a)Iz fz((Vp Vn),Vz,Iw,sabit)de÷iúimi. b)Iz fz((Vp Vn),Vz,sabit,Iw) de÷iúimi.49 ùekil 2.15 a)Vw fw(Vz,Iw,Vp,sabit,Vn,sabit)de÷iúimi. b)Vw fw(Vz,Iw,sabit,Vp,Vn,sabit)ve

) , , , ( z w,sabit p,sabit n w w f V I V V V de÷iúimi. ... 49 ùekil 2.16 a)Ip fp(Iw,Vz,Vp,sabit,Vn,sabit)de÷iúimi. b)Ip fp(Iw,Vz,sabit,Vp,Vn,sabit)ve

) , , , ( w z,sabit p,sabit n p p f I V V V I de÷iúimi... 50 ùekil 2.17 a) Gerilim kuvvetlendirici devresi. b) Akım kuvvetlendirici devresi. ... 51 ùekil 2.18 Gerilim kuvvetlendirici devresinin transfer fonksiyonunun genlik-frekans

(10)

x

karakteristi÷i. ... 52 ùekil 2.20 Akım kontrollü akım geriyönlü geçiú-iletkenli÷i kuvvetlendiricisi elemanının

sembolü. ... 54 ùekil 2.21 CCCBTA aktif elemanının BJT tranzistörler ile gerçeklemesi... 54 ùekil 2.22 a) p uç akımına iliúkin DC transfer karakteristikleri. b) n uç akımına iliúkin DC transfer karakteristikleri. ... 56 ùekil 2.23 a) z çıkıú akımına iliúkin DC transfer karakteristikleri. b) Rw ihmal edilmiú iken w

çıkıú gerilimine iliúkin DC transfer karakteristikleri. c) vz=0 V iken w çıkıú

gerilimine iliúkin DC transfer karakteristikleri. ... 57 ùekil 2.24 Io akımı ile Rw direncinin de÷iúimi. ... 58

ùekil 2.25 IBakımı ile gm de÷erinin de÷iúimi. ... 59

ùekil 2.26 CCCBTA elemanının genlik-frekans karakteristikleri. a) |gm(s)| |Iz /(Vp Vn)| -frekans karakteristi÷i. b) |Pw(s)| |Vw/Vz |- frekans karakteristi÷i. c)

| / | |

|Dn In Iw - frekans karakteristi÷i. d) |Dn | |In /Iw |- frekans karakteristi÷i. ... 61 ùekil 2.27 MOCBTA elemanının sembolü... 62 ùekil 2.28 MOCBTA elemanının CMOS tranzistörler ile gerçeklemesi. ... 62 ùekil 2.29 CMOS MOCBTA elemanının z uçlarına iliúkin çıkıú akımlarının DC

karakteristikleri. ... 63 ùekil 2.30 MCDBA elemanının sembolü. ... 64 ùekil 2.31 MCDBA elemanının CMOS gerçeklemesi. ... 65 ùekil 2.32 a) ipiz1 de÷iúimi. b) ipiz2 de÷iúimi. c) iniz1 ve iniz2 de÷iúimi de÷iúimi. d) vz1vw

de÷iúimi... 67 ùekil 2.33 Iak de÷iúimi... 68

ùekil 2.34 MCDBA elemanının genlik-frekans karakteristikleri. ... 70 ùekil 3.1 CBTA Elemanı kullanılarak elde edilen iki ucu serbest endüktans, kapasite, direnç eúde÷er devresi... 72 ùekil 3.2 øki ucu serbest eúde÷er endüktans devresinde frekans ile eúde÷er empedans

de÷erinin de÷iúimi... 75 ùekil 3.3 ødeal endüktans, CMOS CBTA’lı eúde÷er endüktans ve CBTA’nın kayıplı eúde÷er

devresi ile gerçekleútirilmiú eúde÷er endüktansın empedansının frekans ile de÷iúimi... 76

(11)

xi

de÷iúimi... 77

ùekil 3.5 øki ucu serbest eúde÷er direnç devresinde frekans ile eúde÷er empedans de÷erinin de÷iúimi... 77

ùekil 3.6 Gerilim modlu LC pasif alçak geçiren filtre devresi. ... 78

ùekil 3.7. Aktif ve pasif alçak geçiren filtre devresinin genlik karakteristi÷i. ... 79

ùekil 3.8 Aktif ve pasif alçak geçiren filtre devresinin faz karakteristi÷i. ... 79

ùekil 3.9 Aktif-RC ve pasif LC devrelerinin çıkıú iúaretlerinin zamanla de÷iúimi... 80

ùekil 3.10 Gerilim ve Akım Modlu Basamaklı Türden LC Yüksek Geçiren Filtre Devreleri. 80 ùekil 3.11 Gerilim ve Akım Modlu Aktif-RC Yüksek Geçiren Filtre Devreleri. ... 81

ùekil 3.12 Gerilim ve akım modlu yüksek geçiren aktif filtre devrelerinin genlik ve faz karakteristikleri. ... 81

ùekil 3.13 Gerilim ve Akım Modlu Basamaklı Türden LC Band Geçiren Filtre Devreleri... 82

ùekil 3.14 Gerilim ve akım modlu band geçiren aktif filtre devrelerinin genlik ve faz karakteristikleri. ... 82

ùekil 3.15 Akım Modlu Basamaklı Türden LC Band Söndüren Filtre Devreleri. ... 83

ùekil 3.16 Gerilim ve akım modlu band geçiren aktif filtre devrelerinin genlik ve faz karakteristikleri. ... 83

ùekil 3.17 Ticari olarak üretilen aktif elemanlar kullanılarak CBTA gerçeklemesi. ... 84

ùekil 3.18 Alçak ve yüksek geçiren filtre devrelerinin ideal ve deneysel sonuçları. ... 84

ùekil 3.19 CCCBTA elemanı kullanılarak elde edilen iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi. ... 85

ùekil 3.20 Dördüncü dereceden direnç ile sonlandırılmıú LC band-geçiren filtre devresi... 87

ùekil 3.21 Gerilim-Frekans Karakteristi÷i. ... 87

ùekil 3.22 Faz-Frekans Karakteristi÷i. ... 88

ùekil 4.1 a) Transformatör elemanının sembolü. b) Transformatör elemanının T-tipi eúde÷er devresi. ... 92

ùekil 4.2 Önerilen yapay transformatör devresi. ... 93

ùekil 4.3 Önerilen yapay transformatör devresi ile gerçekleútirilen band-geçiren filtre devresi.95 ùekil 4.4 Yapay transformatör ile gerçekleútirilen band geçiren filtre devresinin genlik-frekans karakteristi÷i. ... 96

ùekil 4.5 Yapay transformatör ile gerçekleútirilen band geçiren filtre devresinin faz-frekans karakteristi÷i. ... 96 ùekil 4.6 Bu tezde önerilen devre ile Yüce ve Minaei’nin önerdi÷i devrenin benzetim

(12)

xii

devresi. ... 98

ùekil 4.8 Alçak geçiren filtre devresinin genlik ve faz karakteristikleri. ... 98

ùekil 4.9. Band geçiren filtre devresinin ideal ve deneysel sonuçları. ... 99

ùekil 5.1 Önerilen akım modlu tek giriúli üç çıkıúlı filtre devresi... 102

ùekil 5.2 Önerilen akım modlu filtre devresinin çıkıúlarının frekans cevapları. (a) Genlik karakteristi÷i. (b) Faz karakteristi÷i... 103

ùekil 5.3 Önerilen filtre devresinin çıkıú akımlarının zamanla de÷iúimi ve ideal sonuçla karúılaútırılması. a) io1 çıkıúı. b) io2 çıkıúı, c) io3 çıkıúı. ... 104

ùekil 5.4 Q=20 için io2 çıkıúının genlik ve faz karakteristikleri. ... 104

ùekil 5.5 Akım modlu tek giriúli üç çıkıúlı filtre devresinin ideal ve deneysel sonuçları. ... 105

ùekil 5.6 Önerilen gerilim modlu tek giriúli dört çıkıúlı filtre devresi. ... 106

ùekil 5.7 Önerilen gerilim modlu filtre devresinin çıkıúlarının frekans cevapları. ... 107

ùekil 5.8 Önerilen gerilim modlu üç giriúli tek çıkıúlı filtre devresi. ... 108

ùekil 5.9 Üç giriúli tek çıkıúlı filtre devresi ile elde edilen beú farklı filtre fonksiyonunun genlik ve faz karakteristikleri... 109

ùekil 5.10 Gerilim-modlu tek-giriúli dört-çıkıúlı filtre devresinin band geçiren ve çentik filtre çıkıúları için elde edilen ideal ve deneysel sonuçları. ... 110

ùekil 6.1 Önerilen akım ve gerilim çıkıúlı sinüzoidal osilatör devresi... 113

ùekil 6.2 R1=2.2 k: için önerilen osilatör devresinin çıkıú gerilim ve akımlarının zamana göre de÷iúimleri ve frekans spektrumları... 114

ùekil 6.3 R1=3 k: için önerilen osilatör devresinin çıkıú gerilim ve akımlarının zamana göre de÷iúimleri ve frekans spektrumları... 115

ùekil 6.4 R1=10 k: için önerilen osilatör devresinin çıkıú gerilim ve akımlarının zamana göre de÷iúimleri ve frekans spektrumları... 116

ùekil 6.5 CCCBTA kullanılarak direnç kullanmadan gerçekleútirilen akım çıkıúlı sinüzoidal osilatör devresi. ... 117

ùekil 6.6 a) Önerilen osilatör devresinin çıkıú akımı benzetim sonucu. b) Çıkıú akımının frekans spektrumu... 118

ùekil 6.7 a) Io=5 PA de÷eri için elde edilen çıkıú akımının de÷iúimi. b) Osilasyon frekansının Io akımına gore de÷iúimi. c) Çıkıú akımının tepeden tepeye genlik de÷erinin Io akımına gore de÷iúimi... 118

(13)

xiii

gerilim çıkıúları. ... 120

ùekil 6.10 CDBA tabanlı akım-modlu tüm geçiren filtre devreleri. ... 121

ùekil 6.11 MCDBA kullanılarak gerçekleútirilen dikgen osilatör devresi. ... 122

ùekil 6.12 Önerilen dikgen osilatör devresinde Ia=50 μA iken çıkıú akımlarının ve gerilimlerinin zamana göre de÷iúimleri ve frekans spektrumları. ... 124

ùekil 6.13 Önerilen dikgen osilatör devresinde Ia=70 μA iken çıkıú akımlarının ve gerilimlerinin zamana göre de÷iúimleri ve frekans spektrumları. ... 124

ùekil 7.1 Gerilim modlu basamaklı türden genel devre yapısı... 126

ùekil 7.2 Basamaklı türden gerilim modlu yapının iúaret akıú diyagramı... 127

ùekil 7.3 øúaret akıú diyagramının de÷iútirilme iúlem adımları. ... 128

ùekil 7.4 CBTA’lı aktif devreye dönüútürülmeye uygun iúaret akıú diyagramı... 128

ùekil 7.5 a) ùekil 7.4’te verilen iúaret akıú diyagramında tekrar eden alt-diyagram, b) Alt-diyagramın CBTA elemanı ile gerçeklemesi ve elde edilen alt-devre. ... 128

ùekil 7.6 Sentez sonucu elde edilen aktif filtre devresi... 129

ùekil 7.7 Basamaklı türden gerilim modlu 5. dereceden pasif alçak geçiren filtre devresi.... 129

ùekil 7.8 CBTA elemanını kullanılarak gerçekleútirilen gerilim modlu 5. dereceden aktif alçak geçiren filtre devresi. ... 129

ùekil 7.9 Alçak geçiren pasif ve aktif filtre devrelerinin; a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz karakteristi÷i. ... 130

ùekil 7.10 Basamaklı türden gerilim modlu 4. dereceden pasif band geçiren filtre devresi. . 131

ùekil 7.11 CBTA elemanını kullanılarak gerçekleútirilen gerilim modlu 4. dereceden aktif band geçiren filtre devresi... 131

ùekil 7.12 Gerilim modlu 4. dereceden aktif band geçiren filtre devresi... 132

ùekil 7.13 Band geçiren pasif ve aktif filtre devrelerinin; a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz karakteristi÷i. ... 133

ùekil 7.14 Gerilim modlu pasif band geçiren filtre devresi... 133

ùekil 7.15 Denklem (7.4) sonucu elde edilen iúaret akıú diyagramı. ... 134

ùekil 7.16 De÷iútirilmiú iúaret akıú diyagramı... 134

ùekil 7.17 CBTA’lı aktif devreye dönüútürülmeye uygun iúaret akıú diyagramı... 134

ùekil 7.18 Band geçiren aktif filtre devresi. ... 135

ùekil 7.19 Band geçiren pasif ve aktif filtre devrelerinin; a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz karakteristi÷i. ... 136 ùekil 7.20 Basamaklı türden gerilim modlu 6. dereceden pasif band söndüren filtre devresi.137

(14)

xiv

ùekil 7.22 Band söndüren pasif ve aktif filtre devrelerinin; a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz

karakteristi÷i. ... 138

ùekil 7.23 Gerilim modlu pasif band söndüren filtre devresi... 139

ùekil 7.24 Denklem (7.7) sonucu elde edilen iúaret akıú diyagramı. ... 139

ùekil 7.25 De÷iútirilmiú iúaret akıú diyagramı... 140

ùekil 7.26 CBTA’lı aktif devreye dönüútürülmeye uygun iúaret akıú diyagramı... 140

ùekil 7.27 Gerilim modlu 6. dereceden band söndüren aktif filtre devresi. ... 140

ùekil 7.28 Band söndüren pasif ve aktif filtre devrelerinin; a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz karakteristi÷i. ... 141

ùekil 7.29 Gerilim modlu pasif yüksek geçiren filtre devresi. ... 142

ùekil 7.30 Gerilim modlu 3. dereceden aktif yüksek geçiren filtre devresi. ... 143

ùekil 7.31 Yüksek geçiren pasif ve aktif filtre devrelerinin; a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz karakteristi÷i. ... 143

ùekil 7.32 Akım modlu basamaklı türden genel devre yapısı. ... 144

ùekil 7.33 Basamaklı türden akım modlu filtre devresinin iúaret akıú diyagramı... 145

ùekil 7.34 øúaret akıú diyagramının de÷iútirilme iúlem adımları. ... 145

ùekil 7.35 MOCBTA’lı aktif devreye dönüútürülmeye uygun iúaret akıú diyagramı. ... 146

ùekil 7.36 a) ùekil 7.35’de verilen iúaret akıú diyagramında tekrar eden alt-diyagram, b) Alt-diyagramın CBTA elemanı ile gerçeklemesi ve elde edilen alt-devre. ... 146

ùekil 7.37 Sentez sonucu elde edilen akım modlu genel aktif filtre devreleri. ... 147

ùekil 7.38 Basamaklı türden akım modlu 5. dereceden pasif alçak geçiren filtre devresi. .... 147

ùekil 7.39 Sentez sonucu elde edilen akım modlu alçak geçiren aktif filtre devreleri... 148

ùekil 7.40 Akım modlu alçak geçiren pasif ve aktif filtre devrelerinin, a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz karakteristi÷i. ... 148

ùekil 7.41 Basamaklı türden akım modlu 4. dereceden pasif band geçiren filtre devresi... 149

ùekil 7.42 MOCBTA elemanını kullanılarak gerçekleútirilen akım modlu 4. dereceden aktif band geçiren filtre devresi... 149

ùekil 7.43 Akım modlu band geçiren pasif ve aktif filtre devrelerinin, a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz karakteristi÷i. ... 151

ùekil 7.44 Akım modlu pasif band geçiren filtre devresi. ... 151

ùekil 7.45 Denklem (7.12) sonucu elde edilen iúaret akıú diyagramı... 152

ùekil 7.46 De÷iútirilmiú iúaret akıú diyagramı... 152

(15)

xv

ùekil 7.49 Akım modlu pasif ve aktif filtre devrelerinin a) Genlik karakteristi÷i, b) Faz karakteristi÷i. ... 154 ùekil 7.50 Basamaklı türden akım modlu 6. dereceden pasif band söndüren filtre devresi... 154 ùekil 7.51 Akım modlu 6. dereceden band söndüren aktif filtre devresi. ... 155 ùekil 7.52 Akım modlu pasif ve aktif band söndüren filtre devrelerinin genlik

karakteristikleri. ... 156 ùekil 7.53 Akım modlu pasif yüksek geçiren filtre devresi. ... 157 ùekil 7.54 Akım modlu 3. dereceden yüksek geçiren aktif filtre devresi... 157 ùekil 7.55 Akım modlu yüksek geçiren pasif ve aktif filtre devrelerinin; a) Genlik

(16)

xvi

Çizelge 2.1 CMOS tranzistörlerin kanal geniúlikleri ve uzunlukları... 37

Çizelge 2.2 IB akımına ba÷lı olarak elde edilen gm de÷erleri... 46

Çizelge 2.3 Gerilim ve akım kuvvetlendirici devrelerinin kazanç ve köúe frekansı de÷erleri. 52 Çizelge 2.4 CBTA elemanının parazitik kapasite ve direnç de÷erleri ... 53

Çizelge 2.5 Io akımına ba÷lı olarak elde edilen Rw de÷erleri... 59

Çizelge 2.6 IB akımına ba÷lı olarak elde edilen gm de÷erleri... 59

Çizelge 2.7 MOCBTA elemanını oluúturan CMOS tranzistörlerin kanal geniúlikleri ve uzunlukları ... 63

Çizelge 2.8. CMOS tranzistörlerin kanal geniúlikleri ve uzunlukları... 65

Çizelge 2.9. Ia akımına ba÷lı olarak elde edilen k de÷erleri ... 68

Çizelge 2.10. Önerilen aktif elemanların lineer çalıúma bölgeleri ve maksimum çalıúma frekansları. ... 71

Çizelge 3.1 ùekil 3.1’deki devre ile elde edilen eúde÷er elemanlar. ... 74

Çizelge 3.2 Önerilen devrelerin literatür ile karúılaútırılması... 89

Çizelge 4.1 Yapay transformatör devrelerinin karúılaútırılması... 100

Çizelge 6.1 Önerilen dikgen osilatör devresinin literatür karúılaútırılması ... 125

Çizelge 7.1 Sentez iúlemleri sonucunda elde edilen aktif filtre devrelerindeki eleman sayıları160 Çizelge Ek 1.1 TSMC CMOS Tranzistör Parametreleri ... 179

(17)

xvii

Lisansüstü e÷itimim boyunca bana yol gösteren ve yardımlarını esirgemeyen sayın hocam Prof. Dr. Herman SEDEF’e ve bu tezin hazırlanması sırasında fikirlerini benimle paylaúan arkadaúım Yrd. Doç. Dr. Mehmet SAöBAù’a en içten teúekkürlerimi sunarım. Ayrıca üzerimde eme÷i olan bütün hocalarıma ve bu tez hazırlanırken özellikle son dönemde bana çok yardımcı olan Devreler ve Sistemler Anabilim dalı araútırma görevlisi arkadaúlarıma çok teúekkür ediyorum. Son olarak, her zaman maddi ve manevi destekleriyle yanımda olan aileme, tez sürecinde sürekli olarak bana destek olan canım eúim Tu÷ba’ya çok teúekkür ediyorum.

A÷ustos 2009 Umut Engin AYTEN

(18)

xviii

Tümleúik devre teknolojisinin geliúmesiyle birlikte çok sayıda aktif eleman yapısı geliútirilmiú ve analog devre uygulamalarında kullanılmıútır. Bu aktif elemanlardan ilki olan iúlemsel kuvvetlendirici (Operational Amplifier, Opamp), analog devre uygulamalarında oldukça yaygın olarak kullanılmaktadır.

øúlemsel kuvvetlendiriciden sonra analog devre uygulamalarında en fazla kullanılan aktif elemanlardan birisi de iúlemsel geçiú-iletkenli÷i kuvvetlendiricisidir (Operational Transconductance Amplifier, OTA). Özellikle sayısal devreler ile analog devrelerin birlikte gerçekleútirildi÷i karma tümleúik devrelerde, OTA yapısı oldukça sık kullanılmaktadır.

Literatürde tanıtılan di÷er bir aktif eleman da akım taúıyıcıdır (Current Conveyor). Akım taúıyıcılar kullanılarak gerçekleútirilen akım modlu elemanların gerilim modlu elemanlara göre dinamikli÷inin, band geniúli÷inin ve güç tüketiminin daha iyi olması nedeniyle, araútırmacılar akım taúıyıcı tabanlı yeni aktif elemanlar önermiúlerdir. Günümüzde halen analog devre uygulamalarında çeúitli avantajlar sa÷layan yeni aktif elemanlar sunulmaya devam edilmektedir.

Bu tezde de analog devrelerde kullanılabilecek yeni aktif elemanlar önerilmiú ve bu aktif elemanların MOS ve BJT tranzistörler ile gerçeklemeleri yapılmıútır. Ayrıca, önerilen aktif elemanların uç gerilim ve akımlarına iliúkin DC ve AC transfer karakteristikleri elde edilmiú ve bu elemanların lineer çalıúma bölgeleri ile maksimum çalıúma frekansları bulunmuútur. Önerilen aktif elemanlar ile gerçekleútirilecek analog devrelerin tasarımında, bu belirlenen lineer çalıúma bölgeleri ve maksimum çalıúma frekansları göz önünde tutulmuútur.

Bu tezde, önerilen aktif elemanlar ile çeúitli analog devre uygulamaları gerçekleútirilmiú ve gerçekleútirilen devrelerin úimdiye kadar literatürde sunulan devrelere göre üstünlükleri ortaya konulmaya çalıúılmıútır.

Bu tezde gerçekleútirilen analog devre uygulamalarının ilki endüktans elemanı eúde÷er devresidir. Endüktans elemanı, analog devrelerde fonksiyonundan vazgeçilemeyen, ancak yüksek frekansta lineer olmayan davranıúı, istenmeyen kuplajları, alçak frekans uygulamasında ortaya çıkardı÷ı boyut ve a÷ırlık, üretim güçlü÷ü ve maliyet sorunları gibi nedenlerden dolayı analog devrelerde kullanılmasından kaçınılan bir elemandır. Bundan dolayı aktif elemanlar kullanılarak endüktans elemanı eúde÷er devreleri elde edilmekte ve bu devre yapıları kullanılarak aktif filtre devreleri gerçekleútirilmektedir. Bu tezde de iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi elde edilmiú ve bu devre ile çeúitli analog filtre uygulamaları gerçekleútirilmiútir. Aynı zamanda, tümdevre teknolojisinde bir ucu topraklı direnç ve kapasite elemanlarının tümdevre içinde gerçekleútirilmesinin avantajları literatürde ortaya konulmuútur. Bundan dolayı analog devrelerde pasif elemanların bir ucu topraklı úekilde olması tercih edilmektedir. Bu tezde de gerçekleútirilen filtre devrelerinde kullanılan pasif elemanların bir ucu topraklıúekilde olmasına çalıúılmıútır.

Bu tezde gerçekleútirilen di÷er bir analog devre uygulaması ise yapay transformatör devresidir. Bu devre yapısı ile de analog filtre gerçeklemesi yapılmıú ve úimdiye kadar literatürde sunulan devrelere göre üstünlükleri ortaya konulmuútur.

Ayrıca bu tezde, ikinci dereceden filtre devreleri de önerilmiútir. Tek giriúli çok çıkıúlı akım ve gerilim modunda çalıúan iki filtre devresi ve çok giriúli tek çıkıúlı gerilim modunda çalıúan filtre devresi gerçekleútirilmiútir. Tek giriúli çok çıkıúlı filtre devrelerinde aynı anda çıkıúlarından alçak geçiren, band geçiren ve yüksek geçiren filtre karakteristikleri elde edilebilmektedir. Çok giriúli tek çıkıúlı filtre devresinde ise giriúlerin seçimine ba÷lı olarak

(19)

xix

Ayrıca bu tezde, gerilim ve akım çıkıúlı sinüzoidal osilatör devreleri önerilmiútir. Bu osilatör devrelerinin gerilim çıkıúları düúük direnç de÷erli, akım çıkıúları ise yüksek direnç de÷erlidir. Dolayısıyla, önerilen devrelerin çıkıúları rahatlıkla di÷er devrelere ba÷lanabilmektedir. Ayrıca önerilen sinüzoidal osilatör devrelerinin osilasyon frekansları elektronik olarak kontrol edilebilmektedir.

Bu tezde gerçekleútirilen di÷er bir uygulama ise basamaklı türden pasif filtre devrelerinin iúaret akıú diyagramları yöntemi kullanılarak ve önerilen aktif elemanlara uygun olarak iúaret akıú diyagramlarını de÷iútirerek aktif elemalar ile gerçekleútirilmesidir. Bu yöntem kullanılarak alçak geçiren, band geciren, yüksek geçiren, band söndüren ve tüm geçiren filtre devre yapıları gerçekleútirilmiútir.

Bu tezde gerçekleútirilen analog devre uygulamalarının teorik hesaplarla uyuútu÷unu göstermek için öncelikle PSPICE programı kullanılarak benzetimleri gerçekleútirilmiútir. Sonra da, bu tezde önerilen aktif elemanların ticari olarak üretilen aktif elemanlar kullanılarak eúde÷er devreleri elde edilmiú ve bu tezde önerilen birçok analog devre uygulamasının deneysel çalıúması yapılmıútır.

Anahtar Kelimeler: Aktif Elemanlar, Akım Geriyönlü Geçiú-iletkenli÷i Kuvvetlendiricisi, De÷iútirilmiú Akım Farkını Alan Gerilim øzleyicisi, Akım Modlu Devreler, Gerilim Modlu Devreler, Aktif Filtreler, Sinüzoidal Osilatörler, Basamaklı Türden Filtre Devreleri.

(20)

xx

A large number of active component structures have been derived with the evolution of the integrated circuit technology; and used to design in analog circuit. As the first of these new components, operational amplifiers are frequently used in analog circuits. Another mostly used component in analog circuits is the Operational Transconductance Amplifier (OTA). OTA is especially used in the joint integrated circuits in which both analog and digital circuits are realized.

Another active component structure is the current conveyor. After the recognition that the current mode circuits are more advantageous than the voltage mode circuits, new current mode based active components have been proposed. Both current conveyors and the active components based on the current conveyors have more dynamic amplitude and larger bandwidth; they also need less power than the voltage mode circuits. Today, new active components are still being introduced to be used in the analog circuit design.

In this thesis a new active components have been proposed to be used in analog circuit design and shows the realization of these new active components with MOS and BJT transistors. In addition, the DC and AC transfer characteristics of the terminals both in terms of potential and current of these new components are obtained. These features are taken into account while designing the analog circuits.

Many analog circuit applications are realized and the advantages of these circuits to the literature are tried to be presented in this thesis.

The first realized analog circuit in this thesis is the equivalence of the inductance. Inductance is evaded to use in the circuits for its nonlinear characteristics in high frequencies, undesired couplings, the dimension and weight problems in the low frequencies, and finally for its cost and production problems; but it is an indispensable circuit component for its function. So the equivalents of inductance are obtained by using active components and these equivalents are used in the active filter circuits. In this thesis, the floating inductance’s equivalent is obtained; and various analog filter applications are verified by using this equivalent circuit. On the other hand, the advantages of the verification of grounded capacitances and resistors in the integrated circuits are revealed in the literature. Based on this information, grounded passive components are prefered for the realization of these filter circuits.

Another realized analog circuit application in this thesis is the synthetic transformer circuit. Analog filter by using this synthetic transformer circuit is obtained, and its distinctions to the other circuits presented in the literature are explained.

Oscillator circuits with sinusoidal outputs, both voltage and current, are also introduced in this thesis. The proposed oscillator circuits have low and high resistance for voltage and current outputs, respectively. Therefore, the outputs of the proposed circuits can easily be connected to the other circuits. In addition, the oscillation frequencies of these proposed sinusoidal oscillator circuits could be controlled electronically.

Another obtained application in this thesis is the realization of the ladder passive filters with active components by using the signal-flow diagrams method and by adapting the signal-flow diagrams with the proposed active component. Low-pass, high-pass, band-pass, band rejection, and all-pass filter architectures are obtained by using this method.

PSPICE simulations are used in order to verify the theoretical calculations of the proposed circuits. Then, the active devices proposed in this thesis are obtained by using industrial active

(21)

xxi

Keywords: Active Components, Current Bacward Transconductance Amplifier, Modified Current Differencing Buffered Amplifier, Current Mode, Voltage Mode, Active Filters, Sinüsoidal Oscillator, Quadrature Oscillator, Leapfrog Circuits.

(22)

1. GøRøù

Günümüzde elektronik sistemlerin ço÷unlu÷unu sayısal devreler oluúturmaktadır. Tranzistörün icadı ve milyonlarcasının çok küçük bir alana sı÷dırılabilmesi ile birlikte sayısal devre teknolojisi hızlı bir úekilde geliúmiútir. Günlük hayatta kullanılan hemen hemen her elektronik cihaz sayısal teknoloji temellidir. Fakat sayısal bir devreye analog dünyadan bir giriú yapılması gerekti÷inde veya sayısal devrenin çıkıúının analog dünyaya çevrilmesinin gerekti÷i durumlarda mutlaka analog devrelere ihtiyaç vardır. Örne÷in, sıcaklı÷ı ölçmek için kullanılan bir algılayıcının çıkıúı çok düúük gerilim de÷erinde analog iúaret üretir. øúaretin iúlenece÷i devrelerin sayısal olması durumunda bu ölçüm de÷erlerinin kuvvetlendirilmesi ve analog sistemden sayısal sisteme geçebilmesi için yapılacak örnekleme iúlemi öncesinde mutlaka örtüúme önleyici analog filtre devresinden geçirilmesi gerekmektedir. Aynı úekilde, sayısal sistemde iúlenen iúaretin tekrar sürekli zamana dönüútürülebilmesi için analog devrelere ihtiyaç duyulmaktadır. Analog devrelerin kullanıldı÷ı di÷er bir örne÷i sabit disk sürücüleri için verebiliriz. Bilgisayarda iúlenen sayısal veriler magnetik olarak sabit diskte depolanır. Fakat sabit diskteki veri okunmaya çalıúıldı÷ında birkaç milivolt seviyesinde analog iúaretle karúılaúılır. Bu iúaretin uygun bir úekilde kuvvetlendirilip, gerekli filtreleme iúlemleri gerçekleútirilip tekrar sayısal iúarete dönüútürülmesi gerekmektedir. Bu iúlemleri gerçekleútirmek için analog devrelere ihtiyaç vardır. Bunun gibi birçok elektronik sistemde analog devreler kullanılmak zorundadır.

Elektronik sistemlerde en çok kullanılan analog devrelerin baúında filtreler gelir. Analog sistemden sayısal sisteme ve aynı úekilde sayısal sistemden analog sisteme geçiúlerde analog filtrelerin kullanımı bir zorunluluk (Laker vd., 1994), (Deliyannis vd., 1999), (Razavi, 2001) oldu÷u gibi filtreler, analog iúaretlerin iúlenebilmesi için gerekli olan temel devre yapısıdır. Analog filtre devreleri pasif direnç, endüktans, kapasite elemanlarıyla gerçekleútirilebildikleri gibi aynı zamanda aktif elemanlarla birlikte sadece kapasite elemanları (aktifC), sadece direnç elemanları (aktifR) ya da bunların her ikisi birden kullanılarak da gerçekleútirilebilir (aktifRC). Pasif analog filtrelerin tümdevreye do÷rudan uyarlanması, oldukça yüksek de÷erli endüktans elemanlarının kırmık üzerinde çok yer kaplaması nedeniyle çok zordur. Bundan dolayı araútırmacılar úimdiye kadar birçok aktif eleman yapısı önermiúler ve çok sayıda aktifRC ve aktifR filtre devreleri gerçekleútirmiúlerdir. Bu aktif elemanların baúında iúlemsel kuvvetlendirici gelmektedir.

(23)

en çok kullanılan aktif elemandır. øúlemsel kuvvetlendiriclerden sonra analog devre uygulamalarında en fazla kullanılan aktif elemanlardan birisi de OTA’dır. Ticari olarak üretilen ilk bipolar OTA 1969 yılında RCA firması tarafından tanıtılmıútır. Ama daha çok 80’lerin ortalarından itibaren elektronik tasarımcılar tarafından kullanılmaya baúlanmıútır. Özellikle birçok araútırmacı tarafından CMOS OTA yapıları tanıtıldıkça elektronik devrelerde, özellikle tümdevre içinde gerçekleútirilen analog devrelerde, kullanılmaya baúlanmıútır.

Analog devrelerde kullanılan di÷er bir aktif eleman da akım taúıyıcıdır. ølk olarak Smith ve Sedra tarafından sunulmuútur (Smith ve Sedra, 1968). Bundan çok kısa süre sonra aynı kiúiler ikinci kuúak akım taúıyıcı (CCII) olarak adlandırdıkları yeni bir aktif devre elemanı tanımlamıúlardır (Sedra ve Smith, 1970). Ancak, önerildi÷i dönemi takip eden ilk on yılda, bu elemanın o dönemde birçok uygulamada kullanılmakta olan iúlemsel kuvvetlendiriciye göre üstünlü÷ünü ortaya koyacak prati÷e uygun bir gerçeklemesi önerilememiútir. Bu durum, akım taúıyıcı elemanının seksen’li yılların baúlarına kadar kavramsal bir eleman olarak de÷erlendirilmesine neden olmuútur. Ancak, tümdevre teknolojisinde bu dönemden sonra ortaya çıkan yenilikler sayesinde, akım taúıyıcının tümdevre içinde de kolaylıkla gerçekleútirilebilece÷i anlaúılmıútır. Bu dönemden sonraki çalıúmaların önemli bir bölümü, bu elemanın ve bu elemanı içeren devrelerin tümüyle tümleúik devre tasarımına uygun olarak gerçekleútirilmesi üzerine yapılmıútır (Özo÷uz, 2000).

Akım taúıyıcıları fikrinin ilk kez 1968 yılında yeni bir devre elemanı olarak ortaya çıkmasından sonra, 1970 yılında eleman tanım ba÷ıntısında de÷iúiklik yapılarak ikinci kuúak akım taúıyıcılar (Smith ve Sedra, 1970) ve 1995 yılında ise Üçüncü Kuúak Akım Taúıyıcıları (Third Generation Current Conveyor-CCIII) sunulmuútur (Fabre, 1995). Son zamanlarda CCIII’larla gerçekleútirilemeyecek olan devreler için farklı tasarım olanakları sunabilen yeni bir aktif devre elemanı olan Geliútirilmiú Üçüncü Kuúak Akım Taúıyıcıları (MCCIII-Modified Third Generation Current Conveyor) önerilmiútir (Kuntman vd, 2000).

Analog tümdevrelerin ve akım modlu yapıların geliúmesiyle birlikte analog devrelerde kullanılabilecek özellikle aktif devre sentezi açısından yeni olanaklar sa÷layan ve devre kuruluúunu basitleútiren gerilim izleyicili akım fark kuvvetlendiricisi (Current Differencing Buffered Amplifier-CDBA) aktif elemanı tanıtılmıútır (Acar ve Özo÷uz, 1999). CDBA elemanı kullanılarak gerçekleútirilen birçok analog devre uygulaması literatürde verilmiútir. Tümleúik devre teknolojisinin geliúmesi, yukarıda bazı örnekleri verilen birçok aktif

(24)

elemanların ortaya çıkmasına neden olmuútur. øúlemsel kuvvetlendiriciler ile baúlayan bu süreçte gerilim modlu devrelere göre akım modlu devrelerin bazı avantajlarının anlaúılmasıyla birlikte akım modlu devrelere uygun olarak çalıúabilecek birçok aktif eleman önerilmiútir. Bununla birlikte bazı analog uygulamalarda gerilim modlu devrelerden de vazgeçilemedi÷i için hem gerilim modunda hem de akım modunda kullanılabilecek aktif eleman yapıları sunulmuútur. Bu süreçte úimdiye kadar literatürde sunulan tümleúik aktif elemanların bazıları aúa÷ıda verilmiútir:

x øúlemsel Kuvvetlendiriciler (Op-Amp)

x Norton Kuvvetlendiriciler (Norton Amplifier veya Current Difference Amplifiers-CDA)

x Geçiú øletkenli÷i Kuvvetlendiricisi (OTA)

x Birinci Kuúak Akım Taúıyıcı (First Generation Current Conveyor-CCI)

x økinci Kuúak Akım Taúıyıcı (CCII)

x Üçüncü Kuúak Akım Taúıyıcı (CCIII)

x Akım Geribeslemeli Kuvvetlendirici (Current Feedback Amplifier-CFOA)

x Dört Uçlu Yüzen Nulör (Four Terminal Floating Nullor-FTFN)

x Akımøúlemsel Kuvvetlendiricisi (Current Operational Amplifier-COA)

x øúlemsel Aynalanmıú Kuvvetlendirici (Operational Mirrored Amplifier-OMA)

x Diferansiyel Fark Kuvvetlendiricisi (Differencial Difference Amplifier-DDA)

x Diferansiyel Gerilimli Akım Taúıyıcısı (Differencial Voltage Current Conveyor-DVCC)

x Gerilim øzleyicili Akım Fark Kuvvetlendiricisi (CDBA)

x Akım Farkını Alan Transkondüktans Kuvvetlendiricisi (Current Differencing Transconductance Amplifier-CDTA)

x øúlemsel Geçiú-direnç Kuvvetlendirici (Operational Transrezistance Amplifier-OTRA)

(25)

Yukarıda bazıları verilen çok sayıda aktif eleman yapısı literatürde sunulmuútur. Yapılan araútırmalarla analog devre uygulamalarında çeúitli avantajlar sa÷layan yeni aktif eleman yapıları sunulmaya devam edilmektedir. Bu tezde, analog devrelerde kullanılabilecek yeni aktif eleman yapıları önerilmiú ve bu aktif elemanlar ile çeúitli analog devre uygulamaları gerçekleútirilmiútir. Önerilen aktif elemanlar ile gerçekleútirilen devrelerin úimdiye kadar literatürde sunulan devrelere göre üstünlükleri ortaya konulmaya çalıúılmıútır.

Bu tezde gerçekleútirilen analog devre uygulamalarının baúında aktif filtre devreleri gelmektedir. Aktif devre sentezindeki yöntemlerinden birisi; pasif RLC elemanları ile gerçeklenebilen filtre devrelerindeki endüktans elemanının eúde÷erini aktif elemanlar, kapasite ve direnç elemanları kullanılarak oluúturmak ve pasif devredeki endüktans yerine bu eúde÷er devreyi kullanmaktır. Endüktans elemanı analog devrelerde fonksiyonundan vazgeçilemeyen fakat yüksek frekansta lineer olmayan davranıúı, istenmeyen kuplajları, alçak frekans uygulamalarında ortaya çıkardı÷ı boyut ve a÷ırlık, üretim güçlü÷ü ve maliyet sorunları gibi nedenlerden dolayı analog devrelerde kullanılmasından kaçınılan bir elemandır. Bundan dolayı aktif elemanlar kullanılarak endüktans elemanı eúde÷er devreleri elde edilmekte ve bu devre yapıları kullanılarak aktif filtre devreleri gerçekleútirilmektedir. Bu tezde de iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi elde edilmiú ve bu devre ile çeúitli analog filtre uygulamaları gerçekleútirilmiútir. Aynı zamanda, tümdevre teknolojisinde bir ucu topraklı direnç ve kapasite elemanlarının tümdevre içinde gerçekleútirilmesinin avantajları literatürde ortaya konulmuútur (Bhusman ve Newcomb, 1967). Bundan dolayı analog devrelerde pasif elemanların bir ucu topraklı úekilde olması tercih edilmektedir. Bu tezde de gerçekleútirilen filtre devrelerinde kullanılan pasif elemanların bir ucu topraklı úekilde olmasına çalıúılmıútır

Bu tezde gerçekleútirilen di÷er bir analog devre uygulaması ise yapay transformatör devresidir. Bu devre yapısı ile de analog filtre gerçeklemesi yapılmıú ve úimdiye kadar literatürde sunulan devrelere göre üstünlükleri ortaya konulmuútur.

Ayrıca bu tezde, gerilim ve akım çıkıúlı sinüzoidal osilatör devreleri sunulmuútur. Gerçekleútirilen osilatör devrelerinin gerilim çıkıúları düúük empedans de÷erli, akım çıkıúları ise yüksek empedans de÷erlidir. Dolayısıyla, önerilen devrelerin çıkıúları rahatlıkla di÷er devrelere kaskat olarak ba÷lanabilmektedir. Ayrıca önerilen sinüzoidal osilatör devrelerinin osilasyon frekansları elektronik olarak kontrol edilebilmektedir.

(26)

iúaret akıú diyagramları yöntemi kullanılarak ve önerilen aktif elemanlara uygun olarak iúaret akıú diyagramlarını de÷iútirerek aktif elemalar ile gerçekleútirilmesidir. Bu yöntem kullanılarak alçak geçiren, band geçiren, band söndüren ve yüksek geçiren filtre devre yapıları gerçekleútirilmiútir.

Bu tezde gerçekleútirilen analog devre uygulamalarının teorik hesaplarla uyuútu÷unu göstermek için öncelikle PSPICE devre benzetim programı kullanılarak benzetimleri gerçekleútirilmiútir. Daha sonra da, bu tezde önerilen aktif elemanların, ticari olarak üretilen aktif elemanlar kullanılarak eúde÷er devreleri elde edilmiú ve bu tezde önerilen birçok analog devre uygulamasının deneysel çalıúması gerçekleútirilmiútir.

Bundan sonraki alt bölümde, analog devre tasarımının tarihi geliúiminden bahsedildikten sonra aktif elemanlar ile gerçekleútirilen konuyla ilgili çalıúmalar incelenmiú ve bu tezde izlenen yol belirlenmiútir.

1.1 Tarihçe

Devre tasarımı, yani devre fonksiyonlarından bir veya birden fazla devrenin sistematik yöntemlerle elde edilmesi konusu, 1915–1917 yılları arasında Amerika’da George Campbell ve Almanya’da Karl Wagner’ın elektrik filtrelerini birbirinden ba÷ımsız olarak bulmalarıyla baúlamıútır. 1924–1931 yılları arasında Otto J. Zobel, sonraki yıllarda Ronal M. Foster, Wilhelm Cauer, Otto Brune, Hendrick Bode, 1980’li yıllarda ise Sydney Darlington bu bilim dalına önemli katkılarda bulunmuúlardır. Tasarımdan yararlanılarak devre tasarımı konusunda ilk makale 1924 yılında Foster tarafından yazılmıútır (Valkenburg, 1982).

ølk BJT (Bipolar Junction Transistor) tranzistör Shockley, Bardeen ve Brattain tarafından 1947 yılında Bell laboratuarında icat edilmiútir. Bu buluú ile elektronik devrelerde büyük bir geliúme sa÷lanmıútır. Bununla birlikte elektronik devrelerde esas geliúme birden fazla transistorün yarıiletken malzemeler kullanılarak küçük bir alana yerleútirelebilece÷inin buluması ile baúlamıútır. Böylece ortaya tümleúik devreler (IC) çıkmıútır. ølk tümleúik devre 1960 yılında gerçekleútirilen ve dört elemandan oluúan RTL (Resistor Transistor Logic) tipindeki devredir. 1960 ve 1962 yılında yapılan çalıúmalarda tümdevre teknolojisine BJT’lere göre daha uygun olan Metal-oksit-yarıiletken alan etkili tranzistör (metal-oxide-semiconductor field effect transistor-MOSFET) geliútirilmiútir (Kahng ve Atalla, 1960), (Hofstein ve Heinman, 1963). MOSFET transistorlerin geliúmesi ile birlikte tümdevre içine çok daha fazla sayıda transistor yerleútirilebilmiútir. Bir tümleúik devredeki eleman sayısı

(27)

1964’te 40’a ve 1972’de 1200’e yükselmiútir. 1982’li yıllarda VLSI (Very Large-Scale Integration) olarak isimlendirilen sistemlerde 100,000’ler mertebesinde eleman içeren tümleúik devreler gerçekleútirilmiútir (Leblebici, 1974). Günümüzde bu elaman sayıları çok daha büyük de÷erlere ulaúmıútır.

Tümdevre teknolojisinin geliúmesi ile birlikte tümleúik aktif devre elemanları da ortaya çıkmaya baúlanmıútır. ølk olarak iúlemsel kuvvetlendiriciler geliútirilmiútir. ølk tümleúik iúlemsel kuvvetlendirici devresi 1965 yılında Bob Widlar tarafından tasarlanmıútır ve Fairchild firmasında ȝA709 kodu ile üretilmiútir. Üretildikten kısa bir süre sonra içyapısı iyileútirilerek ȝA741 kodu ile piyasaya sürülmüútür. Günümüzde hala bu tümdevre üretilmeye devam etmektedir. øúlemsel kuvvetlendirici ile úimdiye kadar birçok analog devre uygulaması gerçekleútirilmiútir ve gerçekleútirilmeye devam etmektedir.

øúlemsel kuvvetlendiriciden sonra geliútirilen aktif devre elemanı OTA’dır. OTA elemanı ticari olarak 1969 yılında RCA firması tarafından üretilmiútir. Literatürde OTA elemanı ile gerçeklenen birçok çalıúma mevcuttur.

Akım taúıyıcı elemanı literatürde ilk olarak Smith ve Sedra tarafından sunulmuútur ve birinci kuúak akım taúıyıcı olarak bilinmektedir (Smith ve Sedra, 1968). CCI elemanının, çıkıú empedansı sınırlamaları, temel akım hatalarından dolayı oluúan bozulmalar ve sınırlamalar sebebiyle kısa bir sure sonra ikinci kuúak akım taúıyıcısı sunulmuútur (Smith ve Sedra, 1970). Ancak akım taúıyıcı elemanının aktif devre tasarımındaki önemi 1980’lerden sonra ortaya çıkmaya baúlamıú ve pek çok uygulamada kullanılmıútır.

1.2 Konu ile ølgili Çalıúmalar

Bu tezde önerilen analog devre uygulamaları ile ilgili úimdiye kadar literatürde yapılan çalıúmaların incelenmesi bu alt bölümde verilmiútir.

1.2.1 øki Ucu Serbest Endüktans, Kapasite ve Direnç Elemanlarının Gerçeklenmesi ile ølgili Çalıúmalar

ølk olarak, aktif elemanlar kullanılarak gerçekleútirilen iki ucu serbest endüktans, kapasite ve direnç elemanlarının bir ucu topraklı pasif elemanlar ve aktif elemanlar kullanılarak gerçekleútirilmesi ile ilgili úimdiye kadar yapılan çalıúmalar incelenmiú ve tarihe göre aúa÷ıda verilmiútir.

(28)

yılında yapılmıútır (Senani, 1979). Bu çalıúmada tek akım taúıyıcı, iki ucu serbest bir kapasite ve iki direnç kullanılmıútır ve iki ucu serbest birbirine paralel olarak ba÷lanmıú endüktans ve direnç eúde÷eri elde edilmiútir.

Aynı yıl yapılan di÷er bir çalıúmada Singh, iki akım taúıyıcı kullanarak birbirine seri olarak ba÷lı direnç ve endüktans eúde÷eri elde etmiútir. Bu çalıúmada iki ucu serbest iki direnç ve bir kapasite elemanı kullanılmıútır. Ancak devrede kullanılan iki direncin de÷erinin birbirine eúit alınması gerekmektedir (Singh, 1979a).

Singh aynı yıl yaptı÷ı di÷er bir çalıúmada, tek akım taúıyıcı ve minimum sayıda pasif elaman kullanarak, iki ucu serbest seri RL devresini parametre eúleme úartı olmadan gerçekleútirmiútir (Signh, 1979b). Bu çalıúmada kullanılan pasif elemanların iki uçları serbest úekildedir.

1980 yılında Senani, iki ucu serbest seri RL eúde÷er devresini gerçekleyen iki devre yapısı önermiútir (Senani, 1980a). Bu devrede iki akım taúıyıcı ve beú pasif eleman kullanılmaktadır. Devrenin pasif eleman eúleme úartı bulunmamaktadır.

Parananis ve Paul, 1980 yılında, iki akım taúıyıcı kullanarak ve parametre eúleme úartına gerek duyulmadan iki ucu serbest kayıpsız endüktans elemanını gerçekleyen bir devre yapısı önermiúlerdir (Patrananis ve Paul, 1980). Bu devrede pasif eleman olarak bir kapasite ve dört direnç kullanılmıútır.

Senani, 1980 yılında, parametre eúleme úartından ba÷ımsız olarak iki ucu serbest endüktans, seri RL ve paralel RL elemanlarını gerçekleyen akım taúıyıcılı üç devre yapısı önermiútir (Senani, 1980b). Kayıpsız endüktans gerçekleyen devrede üç akım taúıyıcı, di÷erlerinde ise iki akım taúıyıcı elemanı kullanılmaktadır.

Pal, 1981 yılında, iki ucu serbest ideal endüktans elemanının eúde÷erini elde eden bir devreyi dört akım taúıyıcı, dört direnç ve bir kapasitör elemanı kullanarak gerçekleútirmiútir (Pal, 1981). Gerçekleútirdi÷i devrede bulunan tüm pasif devre elemanları bir ucu topraklı biçimdedir. Bu önerilen yapıdan önceki çalıúmalarda iki ucu serbest pasif elemanlar kullanılmıútır ki bu durum, tümdevre gerçeklemesinde istenilmeyen bir özelliktir (Bhusman ve Newcomb, 1967). Pal’in önerdi÷i devre yapısının dezavantajları ise çok sayıda aktif ve pasif eleman içermesi ve pasif eleman eúleme úartının bulunmasıdır.

1981 yılında Singh, iki tane negatif akım taúıyıcı ve iki tane pozitif akım taúıyıcı kullanarak iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi elde etmiútir. Bu devrede bir tane bir ucu topraklı kapasite, iki tane bir ucu topraklı direnç ve endüktans de÷erini kontrol etmek için kullanılan

(29)

bir tane iki ucu serbest direnç kullanılmıútır. Devrede pasif eleman eúleme úartı da bulunmaktadır (Singh, 1981).

1982 yılında Senani, bir ucu topraklı kapasite elemanı ile iki ucu serbest endüktans gerçekleyen devre yapısı önermiútir. Bu devrede dört adet akım taúıyıcı kullanılmaktadır (Senani, 1982).

Bryson ve Wirzba, 1982 yılında, yarı-belirsiz admitans teorisini ortaya koymuú ve bu teorinin sonuçlarını kullanarak iúlemsel kuvvetlendiricili devrelerde iki ucu serbest giriú fonksiyonlarının sistematik olarak nasıl elde edilebilece÷ini göstermiútir (Bryson ve Wierzba, 1982).

Nandi vd. 1983 yılında, üç akım taúıyıcı ve minimum sayıda pasif eleman kullanarak iki ucu serbest FDNR (Frequency Dependent Negative Resistor) eúde÷er devresi gerçekleútirmiúlerdir (Nandi vd., 1983).

1984 yılında Senani, iki akım taúıyıcı ve beú aktif eleman kullanarak iki ucu serbest FDNR devresi önermiútir (Senani, 1984).

Toumazo ve Lidgey, 1985 yılında, akım taúıyıcıları kullanarak iki ucu serbest empedans ve genelleútirilmiú imitans çeviricileri (GIC) gerçekleútirmiúlerdir (Toumazo ve Lidgey, 1985). Empedans çevirici için iki pozitif-tip ikinci nesil akım taúıyıcı (CCII+), imitans çevirici için ise dört CCII+ kullanmıúlardır.

Senani, 1985 yılında, yüksek dereceden filtrelerin akım taúıyıcılarla tasarımına iliúkin yeni bir yöntem sunmuútur (Senani, 1985). Bu yöntem, basamaklı türden LC devrelerine yeni bir ölçekleme tekni÷i uygulaması ve böylelikle elde edilen devrelerin, ideal olmayan eúde÷er endüktans elemanları ve FDNR’lar ile gerçekleútirilmesi esasına dayanmaktadır. Bu yöntem sonucunda elde edilen devrelerin duyarlıkları da iyi olmaktadır.

Toumazo ve Lidgey, 1985 ylında, akım taúıyıcıları kullanarak iki ucu serbest empedans ve genelleútirilmiú imitans çeviricileri (GIC) gerçekleútirmiúlerdir (Toumazo ve Lidgey, 1985). Empedans çevirici için iki CCII+, imitans çevirici için ise dört CCII+ kullanmıúlardır.

Wilson, 1986 yılında, yapmıú oldu÷u çalıúmada CCII+ ve CCII- tipi akım taúıyıcıları kullanarak çesitli uygulamalar yapmıútır (Wilson, 1986). Bunlar: tüm geçiren filtreler, bir ucu topraklı ve iki ucu serbest NIC (Negative Impedance Converter)’lar, jiratörler, FDNR’ler ve

(30)

kuvvetlendiricisi gibi aktif elemanlarla yapılan tüm uygulamaların, akım taúıyıcılar kullanarak da yapılabilece÷ini göstermiútir ve bu devrelerin çok daha geniú bir frekans bandında çalıúabilece÷ini belirtmiútir.

1986 yılında Senani, iki negatif tipten akım taúıyıcı ve beú pasif eleman kullanarak iki ucu serbest endüktans ve FDNR elemanlarını gerçeklemek için kullanılabilecek üç farklı genel devre yapısı önermiútir (Senani, 1986).

1987 yılında Higashimura ve Fukui, iki ucu serbest kayıplı ve kayıpsız endüktans ve FDNR elemanlarını gerçeklemek için kullanılabilecek ve sistematik olarak elde edilmiú iki farklı devre yapısı önermiúlerdir (Higashimura ve Fukui, 1987a). Bu devre yapılarında dört akım kayna÷ı ve dört pasif eleman kullanılmıútır. Ayrıca, devrelerde pasif eleman eúleme úartı bulunmaktadır.

Aynı yıl Senani, ilk defa nulor kavramını akım taúıyıcılı iki ucu serbest giriú fonksiyonu gerçekleyen devrelerin sentezinde kullanmıú ve kayıplı endüktans eúde÷er devresi önermiútir (Senani, 1987).

Sighn 1988 yılında yaptı÷ı çalıúmada, ideal iúlemsel kuvvetlendirici kullanarak bir ucu topraklı empedansları iki ucu serbest hale getirecek bir yöntem önermiútir. Örnek olarak iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi gerçekleútirmiútir. Bu devrede 2 tane opamp, 4 direnç ve bir kapasite elemanı bulunmaktadır. Bütün pasif elamanların iki ucu serbest úekildedir (Singh, 1988).

Hou vd. 1993 yılında, nulor kavramı yardımıyla, keyfi dereceden iki ucu serbest giriú fonksiyonlarının nasıl gerçekleútirilece÷ini açıklamıúlar ve tamamen negatif akım taúıyıcı elemanlarının kullanıldı÷ı devre yapıları elde etmiúlerdir (Hou vd., 1993).

Elwan ve Soliman, 1997 yılında, iki tane DVCC ve iki tane pasif eleman kullanarak iki ucu serbest pozitif, negatif empedans çevirici devresi ve iki ucu serbest jiratör elemanı elde etmiúlerdir (Elwan ve Soliman, 1997).

Al-walaie ve Alturaigi, 1997 yılında, üç tane CFOA elemanı, iki direnç ve bir ucu topraklı bir kapasite elemanı kullanarak iki ucu serbest endüktans devresi elde etmiútir. Bu devrede pasif eleman eúleme úartı bulunmamakla birlikte devredeki bir direnç iki ucu serbest biçimdedir(Al-walaie ve Alturaigi, 1997).

(31)

taúıyıcılı genel iki devre yapısı önermiúler ve bu yapıları kullanarak, literatürde daha önceden verilmiú olan bazı iki ucu serbest endüktans ve FDNR gerçeklemelerinin sistematik olarak elde edilebilece÷ini göstermiúlerdir (Özo÷uz ve Acar, 1998).

Çiçeko÷lu’nun 1998 yılında yaptı÷ı çalıúmada, üç tane ikinci kuúak akım taúıyıcı kullanılarak dört farklı devre yapısı sunulmuútur. Bu devrelerde tüm pasif elemanların bir ucu topraklıdır ve eleman eúleme úartı bulunmamaktadır. Önerilen devreler ile bir ucu topraklı endüktans, seri RL, paralel RL, seri (-R)L, seri R(-L) gibi sekiz farklı eúde÷er devre elde edilmektedir. Fakat eúde÷er devrelerin bir ucu topraklıdır (Çiçeko÷lu, 1998).

Kuntman ve vd., 2000 yılında, bir tane üçüncü kuúak akım taúıyıcı kullanarak beú farklı endüktans eúde÷er devresi önermiúlerdir. Fakat bu devrelerin hiç birinde saf endüktans eúde÷eri elde edilmemektedir (Kuntman vd., 2000).

Sedef ve Acar, 2000 yılında, iki tane DVCC elemanı, iki direnç ve bir kapasite elemanı kullanarak iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi önermiúlerdir. Devredeki pasif elemanların bir uçları topraklıdır ve pasif eleman eúleme úartı bulunmamaktadır (Sedef ve Acar, 2000).

Çam ve di÷erleri, 2001 yılında, kayıpsız iki ucu serbest endüktans, kapasite ve FDNR eúde÷er devresi önermiúlerdir. Bu devrede iki tane FTFN elemanı ve 5 tane iki ucu serbest pasif eleman kullanılmaktadır (Çam vd., 2001).

Feri ve Guernini’nin 2001 yılında yapmıú oldukları çalıúmada düúük besleme gerilimi ile çalıúabilen CMOS CCII+ yapısı sunulmuútur. Bu devre ile kapasite de÷eri çarpıcı, bir ucu topraklı ve iki ucu serbest endüktans eúde÷er devreleri gerçekleútirilmiútir. øki ucu serbest endüktans devresinde dört tane akım taúıyıcı ve üç pasif eleman bulunmaktadır. Ayrıca bu çalıúmada, CMOS CCII devre yapısı geliútirilerek FDCCII (Fully Differential Current Conveyor) elemanı elde edilmiútir. Bu elemandan iki tane ve beú pasif eleman kullanarak iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi elde edilmiútir (Ferri ve Guernini, 2001).

Minaei vd, 2002 yılında, sadece iki tane aktif eleman kullanarak, elektronik olarak ayarlanabilen iki ucu serbest endüktans devresi önermiúlerdir. Bu devrede kapasite ve direnç elemanı bulunmamaktadır. Aktif eleman olarak iúlemsel kuvvetlendirici ve DOCCCII (Dual output current controlled current conveyor) kullanılmıútır. Opamp’ın çıkıú parazitik kapasitesi kullanılarak endüktans eúde÷eri elde edilmiútir (Minaei vd, 2002).

(32)

empedansları elde etmek için genel bir yöntem sunmuútur. Örnek olarak iki ucu serbest endüktans eúde÷eri elde etmiútir. Bu devrede dört OTA elemanı, iki direnç ve bir kapasite elemanı vardır. Bütün pasif elemanlar iki ucu serbest biçimdedir (Singh, 2003).

2003 yılında yapılan di÷er bir çalıúmada Feri ve di÷erleri, altı tane CCII+, 4 direnç ve bir kapasite elemanı kullanarak iki ucu serbest endüktans eúde÷eri elde etmiúlerdir. Bu devrenin en büyük avantajı çok düúük frekanslarda bile ideal endüktansın fonksiyonunu sa÷layabilmesidir (Ferri vd., 2003).

Tangsrirat vd., 2004 yılında, üç tane CCDCVC (Current Controlled Differential Current Voltage Conveyor) elemanı ve sadece bir tane bir ucu topraklı kapasite kullanarak iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi elde etmiúlerdir. Bu devrede, endüktans de÷eri elektronik olarak dıúarıdan ba÷lanan bir akım kayna÷ı ile ayarlanmaktadır (Tangsrirat vd., 2004).

Keskin ve Hancıo÷lu, CDBA elemanı kullanarak iki farklı iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi sunmuúlardır (Keskin ve Hancıo÷lu, 2005). Bu devrelerde kullanılan dirençler MOS transistorlerle gerçekleútirilmiútir. Böylelikle devreler tümleútirmeye uygun hale getirilmiútir ve ayrıca endüktans de÷eri gerilimle kontrol edilebilmektedir.

2006 yılında yapılan çalıúmada, MOS tranzistörlerle diferansiyel giriúli birim kazançlı akım kuvvetlendirici devresi gerçekleútirilmiútir. Bu devre kullanılarak bir ucu topraklı ve iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi önerilmiútir. Bu devrelerde kullanılan kapasite elemanının bir ucu topraklıdır ve direnç elemanı kullanılmamaktadır (Psychalinos ve Spanidou, 2006). Parveen ve Ahmed, 2006 yılında, bir ucu topraklanmıú endüktans eúde÷er devresini sunmuúlardır. Önerilen devre, elektronik olarak kontrol edilebilmekte, iki CCCII ve bir topraklanmıú kapasitör içermektedir. Önerilen devrenin bir uygulaması olarak, çok fonksiyonlu bir filtre devresi verilmiútir.

Minaei vd, 2006 yılında, iki tane DO-CCII kullanarak iki ucu serbest endüktans, kapasite ve FDNR eúde÷erlerinin elde edilebildi÷i bir devre yapısı sunmuúlardır. Devrede üç tane pasif eleman vardır. Pasif eleman seçimine ba÷lı olarak endüktans, kapasite veya FDNR elemanı elde edilebilmektedir (Minaei vd., 2006).

Aynı yıl Yüce ve di÷erlerinin çalıúmasında, CCII-, CCII+ ve DO-CCII elemanları kullanılarak bir ucu topraklı immitansı iki ucu serbest hale getiren bir devre yapısı sunmuúlardır. Ayrıca immitans de÷eri pozitif veya negatif bir katsayı ile çarpılabilmektedir. Örnek olarak da iki ucu serbest endüktans eúde÷er devresi kullanılarak üçüncü dereceden

(33)

alçak geçiren filtre devresi gerçekleútirilmiútir (Yüce vd., 2006a).

Metin ve Çiçeko÷lu, 2006 yılında, akım taúıyıcı ile gerçekleútirilen negatif empedans çevirici devresini kullanarak birbirine paralel olarak ba÷lı iki ucu serbest endüktans ve direnç eúde÷er devresi elde etmiúlerdir. Yapıda iki CCII ve üç tane de iki ucu serbest pasif eleman vardır (Metin ve Çiçeko÷lu, 2006).

2006 yılında, Yüce vd., DO-CCII, CCCII+ aktif elemanlarını kullanarak pozitif ve negatif iki ucu serbest endüktans, kapasite ve negatif direnç gerçekleyen beú farklı devre yapısı önermiúlerdir. Bu devrelerde pasif eleman olarak sadece bir ucu topraklı kapasite vardır (Yüce vd., 2006b).

Bu çalıúmanın devamında, DO-CCII, CCII+ ve CCII- elemanları kullanılarak iki ucu serbest endüktans, kapasitans ve FDNR elemanları elde edilmiútir. Devrede dört tane pasif eleman kullanılmıútır ve pasif eleman eúleme úartı bulunmaktadır. Ayrıca bu çalıúmada, DXCCII (Dual X Second Generation Current Conveyor) ve MRC (MOS Resistive Circuit) elemanları kullanılarak elde edilen iki ucu serbest endüktans eúde÷erinin gerilim ile kontrol edilebilece÷i gösterilmiútir (Yüce, 2006c).

2006 yılında yapılan di÷er bir çalıúmada, CCCDTA (Current Controlled Current Differencing Transconductance Amplifier) elemanı ve iki tane birim kazançlı gerilim kuvvetlendirici kullanılarak iki ucu serbest endüktans elemanı elde edilmiútir (Jaikla vd., 2006).

Yüce, 2007 yılında, tek bir aktif eleman kullanarak iki ucu serbest endüktans, kapasite ve FDNR elemanı gerçekleútirmiútir. Devre yapısında, CFOA aktif elemanının z çıkıú uçlarının sayısı arttırılmıú ve altı kapılı hale getirilmiútir. øki tane bir ucu topraklı ve bir tane de iki ucu serbest pasif eleman kullanılmıútır. Ayrıca önerilen devre yapısının elektronik olarak kontrol edilebilme özelli÷i bulunmamaktadır (Yüce, 2007).

Marcelli vd., 2007 yılında, Opamp kullanılarak gerçekleútirilen NIC devre yapısı temel alınarak bir ucu topraklı ve iki ucu serbest olarak pozitif ve negatif kapasite çarpıcı devreleri gerçekleútirmiúlerdir. Önerilen devreler ile yüksek de÷erli kapasiteler düúük de÷erli kapasiteler ile elde edilebilmektedir. Devreler özellikle düúük frekans uygulamaları için çok uygundur. Devrelerde iki Opamp ve altı pasif eleman kullanılmıútır (Marcellis vd., 2007). Psychalinos vd., 2008 yılında CFOA aktif elemanını kullanarak iki ucu serbest genelleútirilmiú empedans çevirici devresi önermiúlerdir. Devrede dört CFOA ve beú pasif eleman kullanılmıútır (Psychalinos vd., 2008).

Şekil

Çizelge 2.1 CMOS tranzistörlerin kanal geniúlikleri ve uzunlukları
Çizelge 2.2 I B  akımına ba÷lı olarak elde edilen g m  de÷erleri
Çizelge 2.3 Gerilim ve akım kuvvetlendirici devrelerinin kazanç ve köúe frekansı de÷erleri Gerilim Kuvvetlendirici  Akım Kuvvetlendirici
Çizelge 2.4 CBTA elemanının parazitik kapasite ve direnç de÷erleri
+7

Referanslar

Benzer Belgeler

Bu yazýda transtorasik ekokardiyografide üst extremite venöz sisteminden verilen ajite salin ile görülememiþ ve sadece sað vena safena magnadan verilen ajite salin ile

amacıyla kullanılmasını incelemek için aşağı aki şekli ele alalım:.. Dbw esibel eğe ini bu seviyeye gö e

Verilen cümleleri Präteritum, Perfekt, Plusquamperfekt, Futur I ve II’ye dönüştürünüz4. Ihr lacht über die Antwort

Kalem in rengini belirtilen d eğer kadar değiştirm ek için kullanılır.. Kalem in rengini belirtilen renk y a p m a k için

ABD’de Portland merkezli yazılım şirketi GreenPrint Technologies tarafından geliştirien ‘sanal yazıcı’ yazılımı, boş, sadece reklam olan veya üzerinde içeriğe ait

DHCP Request mesajını alana DHCP sunucusu artık DHCP istemci için gerekli kayıtları gerçekleştirip ona gerekli olan IP, ağ geçidi, ağ maskesi, DNS adres veya

[r]

Tablo 14: Kocaeli Kartepe İlçesindeki Öğrencilere Uygulanan Büyüme 1 Sorusunun Geçmiş Yıllardaki Sonuçlarına Göre Karşılaştırılması