Portekiz Bağlamında Bakire Meryem ve Katolik Kültürü

Os substratos sobre os quais os filmes finos foram depositados são lâminas de vidro para microscópio de 1 mm de espessura por 15 mm de largura e 26 mm de comprimento, de fabricação da Perfecta, código 200, do tipo lisa e lapidada. A figura 11 apresenta o espectro de transmissão de uma amostra desse vidro, medido por espectrofotometria (técnica que será apresentada na seção 3.3). O vidro é transparente para o espectro visível e infravermelho (até  ~ 1000 nm), mas é absorvente para a radiação ultravioleta com  < 350 nm.

Figura 11 _{– Espectro de transmissão da lâmina de vidro utilizada como substrato.} O vidro é transparente na região do espectro entre 350 e 1000 nm.

Para a deposição dos filmes finos de silício amorfo hidrogenado, foi utilizado o reator PECVD do Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.

O princípio de funcionamento do reator foi dividido, neste trabalho, em cinco etapas básicas, para que pudesse ser melhor explicado:

a) Preparativos pré-deposição;

b) Controle da temperatura do substrato;

c) Injeção dos gases precursores na câmara de deposição; d) Ejeção dos gases da câmara de deposição;

e) Formação do plasma e deposição dos filmes.

A figura 12 apresenta imagens do reator, enquanto a figura 13 apresenta um diagrama esquemático para o mesmo (RIBEIRO, 2009). Cada sistema em particular foi identificado com a mesma letra na figura 12 e na figura 13, para que os sistemas representados no diagrama possam ser localizados nas imagens. Além disso, os fabricantes dos sistemas e seus respectivos modelos estão listados no quadro 3.1.

Figura 12 _{– Imagens do reator PECVD do LME utilizado para a deposição dos} filmes finos. Está destacada, na parte direita superior, a janela da câmara de deposição com o plasma e na parte direita inferior, o interior da câmara.

Figura 13 – Diagrama esquemático do reator PECVD utilizado para a deposição dos filmes finos. As letras em vermelho identificam os sistemas indicados pelas mesmas letras na figura 12 (RIBEIRO, 2009).

Quadro 3.1 _{– Principais sistemas que compõem o reator PECVD do LME.}

Equipamento / Sistema Modelo Fabricante Identificação

Bomba Termonuclear V-450 Varian c

Bomba Mecânica SD-300 Varian d

Controlador de Temperatura 91 Eurotherm e Controlador de Fluxo de Gases Mass Flow Meter 2258 MKS h Bomba Mecânica TRIVAC D 65 B Leybold-Heraeus i Bomba Mecânica RUVAC WAU 251 US Leybold-Heraeus j Fonte de RF RFX-600 Advanced Energy Corp -

Na etapa dos preparativos pré-deposição, a câmara de 89 litros de volume (figura 12a) é aberta através de sua porta frontal, e os substratos são fixados na base de cobre de seu interior (figura 12b). Para evitar contaminação de partículas sob efeito gravitacional, a base de cobre é posicionada na parte superior da câmara e a superfície dos substratos fica voltada para baixo. A porta é então fechada e inicia-se a evacuação da câmara até o estabelecimento do regime de alto vácuo (pressão de cerca de 10-6 torr), por meio da bomba termonuclear em série com a bomba mecânica (figura 12, posicionada atrás da câmara e figura 12d, respectivamente). O regime de alto vácuo é importante para a minimização dos

gases anteriormente presentes na câmara e, principalmente, vapor de água, evitando, desse modo, contaminações durante o processo de deposição (NARDES, 2002).

O controle de temperatura do substrato é iniciado juntamente com a evacuação da câmara e permanece durante todo o processo. As características estruturais dos filmes e a ocorrência das reações químicas que os formarão dependem do valor da temperatura do substrato (OHRING, 2001). Há, portanto, um controlador de temperatura (figura 12e) acoplado a um termômetro (termopar de cromel-alumel) e uma resistência elétrica de 1500 W em contato com a base de cobre para aquecimento do substrato (figura 12f).

Após o estabelecimento do regime de alto vácuo e a estabilização da temperatura do substrato no valor desejado, inicia-se a injeção dos gases

precursores na câmara de deposição pelas linhas de fluxo (figura 12g). A

quantidade correta do fluxo de cada gás é um fator determinante para a composição do filme depositado. Por isso, o sistema que controla os fluxos (figura 12h) é de grande importância para a reprodutibilidade dos resultados (NARDES, 2002). Além disso, o controlador também funciona como um dispositivo de segurança, pois, no caso de falta de alimentação elétrica, o sistema opera em modo “normalmente fechado”, impedindo a circulação dos gases.

A pressão interna da câmara foi mantida em 100 mtorr durante todo o processo de deposição, através do equilíbrio dos fluxos de entrada e de saída dos gases. O sistema de ejeção dos gases da câmara de deposição tem a função da manutenção desse equilíbrio, e para isso utiliza duas bombas mecânicas ligadas em série (figura 12i,j), denominadas de “bombas de processo”.Algo que requer atenção durante o projeto de construção do reator é o sistema de descarte de gases: geralmente, os gases precursores utilizados na microeletrônica são tóxicos, cancerígenos e inflamáveis, e um descarte seguro dos mesmos deve ser feito. Existem diferentes sistemas de descarte, como, por exemplo, a diluição dos gases expurgados da câmara com gás argônio ou gás nitrogênio e a utilização de filtros próprios para essa finalidade.

Com a formação do plasma se inicia a deposição dos filmes. As quebras, causadas pelo plasma, das moléculas dos gases geram espécies reativas que possibilitam a ocorrência de reações químicas, formadoras dos filmes, a

temperaturas menores do que em outros processos (RIBEIRO, 2009). A figura 12k traz uma imagem do plasma visível através da janela da câmera, que é obtido por meio de uma fonte alternada de RF (13,56 MHz) de 25 W de potência (não aparente na figura 12) ligada aos eletrodos do tipo grade (figura 12l). Foi utilizada a configuração triodo para os eletrodos, para que os gases fossem decompostos numa região afastada do substrato, evitando, desse modo, o bombardeamento de íons e elétrons sobre o filme.

Os gases precursores utilizados para a obtenção do Si-a:H foram o hidrogênio (H2), a silana (SiH4) e a fosfina (PH3), que sofrem reações químicas para

a formação do filme fino. A dopagem do silício é realizada com átomos de fósforo provenientes da fosfina, ao mesmo tempo em que ele é depositado. O quadro 3.2 traz informações sobre a composição dos gases utilizados e seus fabricantes. Nota- se que a fosfina é diluída em H2. Neste trabalho, chama-se simplesmente de

“fosfina” a fosfina diluída em hidrogênio na concentração especificada no quadro 3.2.

Quadro 3.2 _{– Características dos gases utilizados nas deposições.}

Gás

Fórmula

Composição

Fabricante

Pureza

Hidrogênio

H

100%

White Martins

99,995%

Silana

SiH

100%

Scott

99,999%

Fosfina

PH

4,94% em H

Linde Gas

99,98%

Foram realizados nove processos PECVD, alterando-se um dos seguintes parâmetros em cada processo: a temperatura de deposição ou o fluxo de volume da fosfina (ou seja, a vazão da fosfina). A tabela 3.1 apresenta os valores do fluxo de fosfina em sccm (standard cubic centimeter per minute – centímetro cúbico padrão por minuto) e da temperatura, para cada deposição. Cada processo foi identificado com um código composto de uma letra e um número. A letra traz informações sobre a sequência em que as deposição foram feitas: primeiro a série A, depois a série B e assim por diante. Os números trazem informações sobre algum parâmetro utilizado naquela deposição, de modo a facilitar sua identificação. Em cada processo de deposição, foram produzidas três amostras, que foram identificadas de acordo com o código do processo. Por exemplo, com o processo A-2.5 foram feitas as amostras

A1-2.5, A2-2.5 e A3-2.5, e essa mesma metodologia de identificação foi adotada para os demais processos.

Tabela 3.1 – Parâmetros utilizados em cada deposição.

Código do Processo Temperatura de Deposição (oC) Fluxo de Fosfina (sccm)

A-2.5 50 2,5 A-10 50 10 A-20 50 20 A-40 50 40 B-70 70 10 B-90 90 10 D-150 150 10 D-200 200 10 C-200 200 0

A tabela 3.2 apresenta os demais parâmetros utilizados, que foram iguais para todas as deposições.

Tabela 3.2 _{– Parâmetros fixos utilizados em todas as deposições.}

Parâmetro Valor Unidade

Fluxo de H2 250 sccm

Fluxo de SiH4 10 sccm

Duração da Deposição 120 minutos

Pressão da Câmara 100 mtorr

Potência do RF 25 W