HARDNESS EVALUTION OF Al-12Si-0,5Sb MELT-SPUN RIBBONS

HARDNESS EVALUTION OF Al-12Si-0,5Sb MELT-SPUN RIBBONS

O. UZUN1, T. KARAASLAN2, M. KESKiN +

'Gaziosmanpaşa University Physics Department, 60240 Tokat, TURKEY

2Erciyes University Physics Department, 38039 Kayseri, TURKEY

The microhardness measurement process is an important stage of metallographic analysis of structural materials. The most widespread method of microhardness determination is the indentation method. Conventional Vickers microhardness method is the one based on measuring the area of indentation, made in the specimen surface with an indenter forced into it at a given load. The microhardness is calculated from the ratio between load (P) and indentation area (d ) using the following equation,

H=l,8544(P/d²).

It has been well known that, for many engineering materials, the microhardnesses calculated from the above equation are load dependent "³. In general, higher applied load leads to lower measured hardness. Such a phenomenon is known as the indentation size effect (ISE). On the other hand, in the case of load dependence of hardness, the question of how we can determine the true hardness becomes important. In this study, we therefore focused on the determination of true hardness of rapidly solidified Al-12wt%Si-0,5wtSb alloys. Our measurements showed that hardness depends on the applied load. However, contrary to ISE, hardness decreases after a peak at the lower load values and approaches a relatively constant value. This result is believed to be related the fact that rapidly solidified alloys have supersaturated solid solubility and hence is meta-stable contrary to equilibrium states.

References:

[1] A. Leenders, M. Ullrich and H. C. Freyhardt, Physica C, 279, 173, 1997 [2] J. Gong, J. Mater. Sci. Letters, 19, 515, 2000

[3] Y. Yoshino, A. Iwabuchi, R. Onodera, A. Chiba, K. Katagiri and T. Shimizu, Cryogenics, 41, 505,2001

TFD- 21. Fizik Kongresi

11-14 Eylül 2002 SDÜ, İsparta YMF_S21

HİDROSTATİK BASINCIN TERMOELASTİK FAZ DÖNÜŞÜMÜ ÜZERİNE ETKİSİ:

MOLEKÜLER DİNAMİK BENZETİMİ

S. KAZANÇ. S. ÖZGEN ve O. ADIGÜZEL

Fırat Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 23169 - Elazığ.

Dayanım/ağırlık oranının diğer alaşımlara göre daha iyi olması nedeniyle NiAl alaşımları ileri teknoloji uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu alaşımlar %6065Ni kompozisyon bölgesinde termoelastik faz dönüşümü gösterirler. Termoelastik dönüşümlerde ileri ve geri dönüşüm başlama sıcaklıkları (A^s ve M^s) ile bitiş sıcaklıklarının (Af ve Mf) madde üzerine uygulanan basınçla değişiminin bilinmesi önemlidir.

Lennard-Jones potansiyel enerji fonksiyonu ile modellenen 1024 atomlu

alaşımında, şekil ve hacimce değişebilen bir moleküler dinamik yöntemi kullanılarak P=0;

2,71 ve 5,42GPa basınç değerleri için dönüşüm sıcaklıklarının değişimi incelendi. Elde edilen sonuçlardan, basıncın artmasıyla dönüşüm sıcaklıklarının arttığı ve aynca dönüşüm sıcaklıkları arasındaki histerisizin de arttığı belirlendi.

GÜMÜŞ DİFÜZYONUNUN VE ELEKTRODİFÜZYONUNUN YBa

Cu

O7.x SÜPERİLETKENLERİN ÖZELLİKLERİNE ETKİSİ

O. GÖRÜR¹. T.D. DZHAFAROV², M. ALTUNBA޹,

'Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Trabzon

2YıIdız Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, İstanbul

Gümüş difüzyonunun; YBaCuO (123) seramik süperiletkenlerin kristal yapısı ve süperiletkenlik özelliklerine etkisi, X-ışmlan kınnımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), kritik sıcaklık, kritik akım yoğunluğu ve akım-voltaj ölçümleriyle incelendi. Ag/YBaCuO örnekleri, 500-800°C sıcaklık aralığındaki 5 farklı sıcaklıklarda ısıl işleme tabi tutularak, gümüşün difüzyonu gerçekleştrildi. Ağ difüzyonu yapılmış bu örneklerden ince tabakalar alınarak c örgü parametresinin, yüzeyden olan x uzaklığına göre değişimi incelendi. c-x eğrilerinden yararlanılarak, YBaCuO seramik süperiletkenlerde, gümüşün difüzyon katsayısının sıcaklıkla değişiminin, D=1.3xlO"4 exp(-0,94/kT) biçiminde olduğu bulundu.

Oda sıcaklığında, d.c. elektrik alanı uygulanarak gümüş katmanlarındaki atomların seramik malzemeye difüzyonu da araştırıldı. Ag/YBaCuO/Ag örneklerinin anoda yakın (A) ve katoda yakın (B) bölgelerindeki kristal yapıya, yüzey morfolojisine ve süperiletkenlik özelliklerine Ag'nin etkisi incelendi.

TFD- 21. Fizik Kongresi

H-14 Eylül 2002 SDÜ. İsparta YMFJ23

InGaAsP/In(Ga,As)P/InP ÇOKLU KUANTUM KUYU LAZERLERİNİN OPTİK KAZANCI

H. TOKTAMIS ve BEŞİRE GÖNÜL

Gaziantep Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği, 27310, Gaziantep

Günümüzde, örgü sabitleri farklı olan tabakalar birbiri üzerine çok iyi kalitede büyütülebilmektedir. Bu tarz bir büyütme sonucunda orijinal örgü uzunluğunda sıkıştırma ve germe olmak üzere iki tip değişim söz konusu olmaktadır. Aktif tabaka olarak kullanılabilen bu tür yapılar, kuantum kuyularının bant yapısını değiştirecek önemli serbestlik derecelerinden birisi olmakla birlikte opto-elektronik aygıtların da işlerliğini önemli derecede artırmaktadır. Ancak söz konusu tabakaların kullanılması, toplam kalınlığın kritik bir değerin altında tutulmasını gerektirip çoklu kuantum kuyularının kullanılmasını engellemektedir. Kuantum kuyu sayılarının artırılabilmesi, engele/kuyuya uygulanan sıkıştırma/germenin zıttı ile mümkün olabilmektedir. Bu çalışmada, kuantum kuyu lazerlerinde kazanç malzemesi olarak kullanılabilen söz konusu yapıların, aygıtın kazanç parametreleri üzerindeki etkileri araştırıldı.

İDEAL OLMAYAN YÜKSEK DİRENÇLİ SCHOTTKY DİYOTLARININ TEMEL PARAMETRELERİN I - V

KARAKTERİSTİKLERİNDEN HESAPLANMASI

Ş. ALTINDAL1, S. KARATAS2. A. ÖZMEN1, M. ÇAKAR2, A.TÜRÜT3

'Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500 Beşevler-Ankara

2Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, K.Maraş

2Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Kimya Bölümü, K.Maraş

3Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Erzurum,

Schottky diyotlannın en.önemli fiziksel parametreleri olan engel yüksekliği ($B), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) değerlerini hesaplamak için bilinen geleneksel metot, akım voltaj (I-V) ve kapasitans -voltaj (C-V) deneysel karakteristiklerini kullanmaktır. Ancak seri direnç Rs çok büyük ve arayüzey durumları yeterince yüksekse bu I-V ve C-V karakteristikler ideal durumdan sapmalar gösterir. Bu durumda hesaplamalar daha karışık bir hal almakta ve hesaplanan temel parametrelerin güvenirliliği azalmaktadır. Fakat son zamanlarda bu durum için H. Norde tarafından sunulan metot, diğer bazı yazarlar tarafından modifiye edilerek ideal olmayan Schottky diyotlanna da uygulanabildiği gösterilmiştir[l-6]. Modifiye edilmiş Norde fonksiyonları kullanılarak potansiyel engel yüksekliği(<I>B), idealite faktörü(n). seri direnç(Rs) ve en önemlisi arayüzey durumlarının yasak enerji aralığındaki dağılım profili oda sıcaklığında elde edildi. Zn katkılı Al/p- Si(MS) Schottky diyodu için; $B=0,70 eV, n=2,51, Rs= 780 D ve Nss=5.1013 cm'2 eV1

mertebesinde elde edildi

*Bu çalışma Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projesi (BAP) FEF- 05/2002-17 ve FEF- 05/2002-46 tarafından desteklenmiştir.

[1] H. Norde., J.Appl. Phys.50(7), 5052,(1979)

[2] S. K. Cheung, N.W. Cheung., Appl.Phys.Lett. 49 (2) 85, (1986) [3] A. Tiirüt, M. Sağlam.,Physica B 179 285, (1992)

[4] E.Ayyıldız, A. Türüt, H. Efeoğlu, S. Tüzemen.M. Sağlam.Y.K.Yoğurtçu., Solid-State Electronics 39, 83, (1996)

[5] K. Şato and Y. Yasumura., J.Appl. Phys. 58(9), (1985)

[6] W.P.Kang, J.L.Davidson, Y.Gurbuz and D.V.Kerns., J.Appl. Phys,78(2),1101, (1995)

TFD- 21. Fizik Kongresi

11-14 Eylül 2002 SDÜ, İsparta YMFJ25

İKİ BOYUTLU ELEKTRON GAZINDA ELEKTRON TAŞINIMININ MONTE CARLO YÖNTEMİ İLE İNCELENMESİ

Z. YARAR. M. ÖZDEMİR

Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330 Adana

Modülasyon katkılı AlGaAs/GaAs tipi tekli veya çoklu heteroyapılann arayüzeyinde oluşan iki boyutlu elektron gazının (2BEG) oluşturduğu potansiyel profili, boş veya dolu enerji seviyeleri ve bunlara karşılık gelen dalga fonksiyonları, dolu enerji seviyelerinde bulunan elektron yoğunluğu Schrödinger ve Poisson denklemlerinin sayısal olarak kendi içinde uyumlu çözümü ile elde edilmiştir. Çözümde hiç bir uyum parametresi kullanılmamış, sadece malzeme parametrelerinin verilmesi yeterli olmuştur.

Yukarıda belirtilen değerler elde edildikten sonra iki boyutlu elektronların saçılma oranlan Bom yaklaşımı temel alınarak analitik ve sayısal yöntemlerle hesaplanmıştır. Gözönüne alınan saçılma mekanizmaları eklem ara yüzeyi dışındaki (uzak) iyonik safsızlıklardan saçılma, akustik, polar ve polar olmayan optik fonon saçılmalarıdır. Fononlann üç boyutlu olduğu kabul edilmiş, taşıyıcı-taşıyıcı ve buruşuk yüzey saçılmaları göz önüne alınmamıştır. Elektronların heteroeklem düzlemine paralel olarak sürüklenme hızlan uygulanan alanın bir fonksiyonu olarak değişik sıcaklık ve malzeme parametre değerlerinde bulunmuş buradan faydalanarak elektronların düşük alan mobilite değerleri elde edilmiştir.

İKİ-BANDLI GlNZBURG-LANDAU TEORlSİ İLE MgB

İÇİN H

ı ve H

-NİN İNCELENMESİ

1.N.ASKERZADE. A.GENCER, N.GÜCLÜ, A.KILIÇ

Ankara Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Tandogan, 06100, Ankara

Magnezyum diborür, MgB2, kritik sıcaklık civarında yüksek kritik magnetik alanının büyük bir pozitif eğriliğe sahip olduğu Budko et al ve K-H Müller et al. tarafından bulundu. Yüksek kritik alandaki benzer pozitif eğrilik magnetik olmayan süperiletken borocarbid ailesinde (Y(Lu))(NiB)²C önceden gözlenmişti . Genel olarak yüksek sıcaklık süperiletkenlerdeki bu maksimum pozitif eğriliği (Hc²) birçok araştırmacı tarafından araştırılmaktadır. Örneğin kuantum kritik nokta senaryosu, bipolaronik model önerildi Fermi enerji seviyesi civarında durum yoğunluğunun genelleştirilmiş van-Hove tekilliği üzerine bir model Abrikosov tarafından önerildi. Magnetik olmayan borocarbidler için yüksek magnetik alanın bir çok özellikleri mikroskopik düzeyde iki band Eliashberg teorisi kullanılarak bilgisayar simülasyonu aracılığı ile belirlenebilmektedir.

Bu bildiride ilave olarak ikibandlı Ginzburg-Landau teorisi ile MgB² için H^Cı ve H^C2 nin sıcaklık bağıntısı incelenecekdir. Teorik ve deneysel sonuçlar karşılaşdmldıkda iyi bir uyum gösterdiyi tesbit edilmişdir..

TFD- 21. Fizik Kongresi

l J-14 Eylül 2002 SDÜ, İsparta YMF__S27

KATKILANMIŞ POLİPİROL FİLMLERİNİN, 70 -320 K SICAKLIK ARALIĞINDA, ELEKTRİKSEL İLETKENLİĞİ

A. G. SEDEF¹, N. SÜNEL¹, M. PARLAK²,0. UZUN¹, L. TOPPARE³

'Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fizik Bölümü, 60240 Taşlıçiftlik, TOKAT.

2Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531 ANKARA.

3Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Kimya Bölümü, 06531 ANKARA.

En basit yapıdaki iletken polimer poliasetilendir. Katkılanmamış bir poliasetilenin oda sıcaklığındaki iletkenlik değeri 4.4 10"⁵ (£2 cm)"¹ dir. Bu güne kadar yapılan çalışmalarda, en yüksek iletkenlik .değeri, Naarmann metoduyla elde edilen iyot katkılanmış poliasetilende, 1.43 10⁵ (Q cm)"¹ olarak ölçülmüştür."¹. Bu değer, bakırın iletkenliği ile aynıdır. Ancak, poliasetilenin hava ortamında çabuk oksitlenmesinden dolayı uygulamalarda kullanılması zordur. Bu nedenle, yapılan çalışmalar oksitlenmeye karşı daha kararlı olan halkalı yapıya sahip iletken polimerler üzerinde yoğunlaşmıştır.

İletken polmerlerin anyon veya katyonla katkılanması sonucunda, yüklü yerleşik kusurlar (polaron ve bipolaron) meydana gelir. Polipirol (PPy) % 33 mol perklorat anyonları ile katkılandığında, optik soğurma spektrumunun yardımıyla, elektronik band yapısında polaron bandının bipolaron bandına dönüştüğü gözlemlenmiştir¹²¹.

İletken polimerler için özel bir iletkenlik modeli olmadığından, kristal yapıya sahip malzemeler için geliştirilmiş olan band modeli ile kristal yapıya sahip olmayan malzemeler için hoplama iletkenlik modeli birlikte kullanılır. Polimerler, kısmen kristallenmiş malzemelerdir. Bu nedenle ilk olarak amorf yarıiletkenlerde Mott tarafından ortaya atılan değişken erimli hoplama (VRH) iletkenlik modeli, polimerlerin iletkenliğini açıklamada kullanılmaktadır. Katkılanmış PPy filmlerinde VRH modelinin kullanıldığı ilk çalışma, Singh et al. tarafından yapılmıştır¹³¹. Literatürde iletken polimerlerin iletkenlik mekanizmasının anlaşılması için yapılan çalışmaların çoğu VRH modeline göre açıklanmaktadır¹⁴'⁵¹.

Bu çalışmada, ilk olarak, sulu ortamda paratoluen sülfonik asit (PTSA) anyonları ile daha sonra da asetonitrilli ortamda tetrabütil amonyum tetrafloraborat (TBAFB) destek elektrotunun BF⁴ anyonları ile katkılanmış PPy filmleri elde edildi. İki farklı türde katkılanmış filmler için 70-320 K sıcaklık aralığında yüzey iletkenliği ölçüldü ve taramalı elektrn mikroskobu (SEM) ile mikro yapı analizleri yapıldı. Ino -T"^1/4 eğrisinden değişken erimli hoplama (VRH) iletimi modelinde verilen Mott parametreleri elde edildi. Böylece iletkenlik mekanizması anlaşılmaya çalışıldı.

ZnO KATKILI YBaCuO SÜPERİLETKENLERİN SÜPERİLETKENLİK ÖZELLİKLERİ

U. KÖLEMEN1. H. KARAL1, A. ÖZTÜRK1, F. İNANIR2, U. ÇEViK1, S. NEZİR3,0.

GÖRÜR1, S.ÇELEBİ1

'Karadeniz Teknik Üniversitesi Fizik Bölümü 61080 Trabzon.

2 Karadeniz Teknik Üniversitesi Rize Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü Rize.

3Kınkkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü Kırıkkale.

ZnO katkısının, YBaCuO'nun mikroyapısı ve geçiş özellikleri üzerindeki etkisi EDX, SEM, XRD ve AÇ alınganlık vasıtası ile araştırıldı. Numuneler, bilinen katıhal reaksiyon yöntemi ile hazırlandı ve YBaCuO sistemine ilave metodu (ağırlıkça %0, 0.5 ve l ZnO ) kullanıldı. Süperiletkenlik geçiş sıcaklığı ve kritik akım yoğunluğu numunelerin Zn miktarına bağlıdır. YBaCuO'ya eklenen ZnO miktarı ile geçiş sıcaklığı azalırken, taneler arası kritik akım yoğunluğu arttı. Zn miktarı artırıldığı zaman, a ve b örgü parametreleri olmak üzere, ortorombiklik

A=(b-a)/(b+a)

artmaktadır. Taneler arası AÇ kayıp pikleri frekans (AÇ alan genliği) arttıkça yüksek (düşük) sıcaklıklara doğru hareket etmektedir. Bu da AÇ kayıplarının hem "histeretic bulk pinning" kayıplarından hem de taneler arası bölgede akı akışı kayıplarından kaynaklandığını göstermektedir.

TFD- 21. Fizik Kongresi

11-14 Eylül 2002 SDÜ, İsparta YMF_S29

KİMYASAL DEPOLAMA YÖNTEMİ İLE DEPOLANAN CdS İNCE FİLMLERİNİN FOTOİLETKENLİĞİNİN ÖLÇÜLMESİ

H.METtN¹. R. ESEN2, E. ÇETİNÖRGÜ2, N.H.ERDOĞAN²

'Mersin Üniversitesi, Fizik Bölümü, İÇEL

2Çukurova Üniversitesi, Fizik Bölümü.ADANA

Kimyasal depolama yöntemi ile 60 °C de elde edilen CdS ince filmlerinin optik özellikleri belirlendi. Optik soğurma değerlerinden enerji aralığı (Eg) 2.42 eV olarak bulundu. CdS ince filmine indiyum ile eş düzlemli kontak yapıldı. Sabit gerilim uygulayarak 25-210 °C arasında tavlama yapılarak her derece de değişen sıcaklıkla film üzerindeki gerilim değerleri okunarak sıcaklığa bağlı gerilim grafiğinden aktivasyon enerjisi 0.45 eV olarak belirlendi. Fotoiletkenlik için dalgaboyuna karşı fotoakım ölçüldü. Ölçülen fotoakım değerleri daha sonra ışık şiddeti ve dedektör duyarlılığına göre normalize edilerek fotoiletkenliğin spektral bağımlılığı belirlendi.

KİMYASAL DEPOLAMA YÖNTEMİYLE ELDE EDİLEN CdS İNCE FİLMLERİN BÜYÜME ORANLARININ

VE OPTİK ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ

E. CETİNÖRGܹ. R. ESEN¹, H. METiN2

'Çukurova Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, ADANA.

2Mersin Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, İÇEL.

CdS'ün optik ve elektriksel özellikleri film üretiminde kullanılan yöntemlere, film kalınlığına ve çözelti derişimine bağlıdır. CdS İnce filmler kimyasal depolama yöntemiyle farklı sıcaklık ve zaman aralıklarında ardışık olarak büyütüldü. Sıcaklığın büyümeye etkisi ve zamanla büyüme oranlan incelendi. Aynca optik geçirgenlik değişimlerinden filmlerin özelliklerini tanımlayan; kalınlık, soğurma katsayısı, yasak enerji aralığı gibi temel parametreler hesaplandı. Sonuçta filmler için en iyi büyüme koşullan elde edilmeye çalışıldı. Bu kapsamda filmlerin en iyi 60 C de oluştuğu, kalınlığın ve oluşum hızının koşullara bağlı olduğu bulundu. Optik geçirgenlik değerlerinden hesaplanan soğurma katsayısının ~10⁴ cm' ve yasak enerji aralığının 2.45 eV civannda olduğu görüldü. Değişik sıcaklıklarda elde edilen filmlerin kalınlık-zaman değişimlerine baktığımızda yüksek sıcaklıklarda filmlerin daha hızlı oluştuğunu daha sonra doyuma gittiğini görmekteyiz.

Düşük sıcaklıklarda ise oluşum lineer olarak zaman içinde artmaya devam etmektedir.

Yüksek sıcaklıklarda bunun gözlenmesi bu koşullarda oluşum hızının yüksek olması dolayısıyla çözeltideki iyon konsantrasyonunun azalması ile açıklanabilir

TFD- 21. Fizik Kongresi

11-14 Eylül 2002 SDÜ, İsparta YMF_S3]

KİMYASAL PÜSKÜRTME YÖNTEMİYLE FARKLI S:Zn MOLAR ORANLARINDA ÜRETİLMİŞ ZnS İNCE FİLMLERİNİN

KARAKTERİSTİK ÖZELLİKLERİ

K. ÖZTÜRK. E. BACAKSIZ, V. NOVRUZOV, M. ALTUNBAŞ ve E. YANMAZ Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,

61080-TRABZON

Kalınlığı 3-5 um olan ZnS ince filmler, 500°C sabit sıcaklıkta tutulan cam ve cam/SnOa altlıklar üzerinde, kimyasal püskürtme yöntemiyle üretildi. Filmlerin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri XRD, optik mikroskop, özdirenç ve soğurma analizleri yapılarak incelendi. S:Zn molar oranlarını ayarlayarak, kontrollü bir şekilde, ZnS filmlerinin kübik (p-fazı) veya hekzagonal (a-fazı) yapıda büyümesi sağlandı. Optik fotoğraflarından, 0.9 (S:Zn) molar oranına sahip filmlerin daha homojen ve büyük taneli yapıya sahip oldukları görüldü. Küçük S:Zn oranlarında, filmlerin özdirençlerinde belirli düşüşler görüldü. Bu düşüşün, Zn atomlarının kristal örgü arayerlerine yerleşerek küçük donor özelliği göstermesinden kaynaklandığı düşünülmektedir. 250-500°C sıcaklık aralığında, hava ortamında tavlanmış, ZnS filmlerinin yüzeyinde, ZnO fazının oluşduğu XRD piklerinden anlaşıldı. Bu fazın oluşumunun bir sonucu olarak, fımlerin ışığa duyarlılığında artış görüldü. Bunlara ek olarak, farklı S:Zn oranlarında üretilmiş ZnS filmlerinin, soğurma spektrumlanndan hesaplanmış optik yasak band aralığının 2.88-3.76 eV aralığında değiştiği görüldü.

KUASİKRİSTALLER VE ELEKTRONİK YAPILARININ İNCELENMESİ

A. TEKiN'. A.K. YILDIZ²

'Gaziantep Üniversitesi, Adıyaman Eğitim Fakültesi, 02030 Adıyaman

2Fırat Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 23169 Elazığ

Bu çalışmanın amacı, çoklu saçılmaya dayanan teoriksel bir metod kullanarak, bazı kuasikristal sistemlerinin elektronik yapılarını incelemektir. Bunun için özellikle, Sıkı-bağ yaklaşımı içinde iki-boyuttaki bir kuasikristalin elektronik durum yoğunluğu ve elektronik difraksiyon spektrumlan hesaplanacaktır. Ayrıca, elektronik durum yoğunluğu ile ilgili olarak spektral fonksiyonun momentum dalga vektörünün doğrultusuna göre davranışı araştırılacaktır.