Yarıiletken diyotların I −V karakteristikleri yardımıyla elde edilen parametreleri, elektronik tasarımlarında önemli yer tutmaktadır. Çığ gibi büyüyen elektronik sanayisinde, değişik yöntemlerle malzeme parametrelerinin her geçen gün iyileştirilmesi ve çeşitliliğinin artması, malzemelerin karakterizasyonlarından yapılan parametre hesaplamalarında yeni metodlar bulunmasının yolunu açmıştır. Bu hesaplamaların hepsi TE teorisine dayandırılmaktadır.
Çalışmamızda, Mn/n-GaAs Schottky diyodu LPE (Lıquid-Phase Epitaxy) tekniği ile büyütülmüş bir yüzeyi mat diğer yüzeyi parlatılmış [100] doğrultusuna sahip, özdirenci
0073 . 0 0015 . 0 − =
ρ Ω-cm-3 olan Te (Tellür) katkılanmış n-tipi GaAs numunesinin deneysel sonuçları kullanılmıştır. Numune üzerindeki organik ve ağır metal kirliliklerini temizlemek için kimyasal temizleme yapılmış, n-tipi GaAs üzerine omik kontak elde etmek için ise Au-Ge metalizasyonu yapılarak 425 0C de 3 dakika tavlanmış ve Schottky kontak elde etmek için %99.9 saflıkta Mn buharlaştırılmıştır.
Bu koşullar altında hazırlanan ve sonrasında basınç ünitesine yerleştirilen Mn/n- tipi GaAs Schottky diyotun üniteden çıkarılan elektriksel bağlantılarla 0.00-7.00 kbar’lık basınç aralığında I−V ölçümleri çalışmamızda karakterizasyonları oluşturulmak üzere alınmıştır.
Hesaplamalar için akım iletimini açıklayan Termoiyonik Emisyon Teorisi kullanılmıştır. Schottky diyot parametrelerinin hesaplanmasında Termoiyonik Emisyon Teorisini temel alarak literatürde çokca kullanılan Missous yöntemi, Norde Fonksiyonu ve Cheung Fonksiyonları yardımıyla diyot parametrelerini hesaplaplandı. Ayrıca deneysel veriler yardımıyla deney aralığını ANFIS ile tanımlayıp bu deney aralığında deneysel verileri ve belirlediğimiz basınç değerleri için karakterizasyonun tüm değerlerini belirledik. Teorik olarak verilen denklemde basınç parametresi bulunmamasına rağmen böylece bu çalışma ile hidrostatik basıncın etkisini kısmende olsa hesaplamaya ilkkez tarafımızdan dahil edilmiş oldu.
Termoiyonik Emisyon (TE) teorisini kullanarak I−V eğrilerinin doğrudan fit edilerek yapılan hesaplamalarında iki yöntem kullanıldı. İlk olarak tez yazarı ve gözlemci tarafından ters ve düz beslem I−V grafikleri kullanıldı (Şekil 5.1-5.2). Her basınç için çizilen bu grafiklerdeki düz beslem kısmının lineer kısmına eğriler fit ederek eğrinin eğimi ve y eksenini kestiği nokta tez yazarı ve gözlemci tespit edildi. İkinci olarak da her basınç için çizilen bu grafiklerdeki ters ve düz beslemlerinin lineer kısımlarının her ikisininde y eksenini aynı noktada kestiği durum için eğriler fit edilerek y üzerindeki nokta tespit edildi (Şekil 5.3). Bu değerleri kullanarak idealite faktörleri ve engel yükseklikleri hesaplandı, Tablo 6.1 ve Tablo 6.2 de verildi. Hesapladığımız bu değerler 0.00, 1.00, 3.00, 5.00 ve 7.00 kbar değerlerine karşılık tez yazarı ve gözlemci için sırasıyla idealite faktörü için 1.140, 1.060, 1.044, 1.028, 1.021 ve 1.130, 1.079, 1.102, 1.104, 1.076 olarak, ikinci yöntemlede 1.269, 1.227, 1.230, 1.210, 1.197 olarak hesaplanmıştır. Engel yüksekliği için yine sırasıyla 0.588, 0.602, 0.621, 0.641, 0.660 eV ve 0.585, 0.598, 0.614, 0.632, 0.652 eV, ikinci yöntemlede 0.574, 0.584, 0.601, 0.621, 0.639 eV olarak hesaplanmıştır
Missous yöntemini kullanarak yaptığımız bu hesaplamalarda 0.00-7.00 kbar aralığında alınan I−V ölçümleri kullanılarak ters ve düz beslem için logaritmik
V kT eV − − exp - 1
I grafiği çizilip, bu grafiğin lineer kısmına fit edilen doğrunun y eksenini kestiği noktadan her bir basınç değeri için I0 doyma akımı ve doğrunun eğimi belirlenerek idealite faktörü ve engel yüksekliği hesaplandı (Şekil 5.4). 0.00, 1.00, 3.00, 5.00 ve 7.00 kbar basınç değerlerine karşılık sırasıyla idealite faktörleri 1.104, 1.088, 1.084, 1.081, 1.080 ve engel yükseklikleri ise 0.587, 0.593, 0.611, 0.628, 0.646 eV olarak bulunmuştur (Tablo 6.1-6.2).
F(V)-V grafiği çizildiğinde F(V) fonksiyonunun değerini minumum yapan I0 ve
0
V değerleri hesaplandı (Şekil 5.5). Bulduğumuz bu değerlerden Norde fonksiyonunu yardımıyla engel yüksekliği ve seri direnci hesaplandı. 0.00, 1.00, 3.00, 5.00, 7.00 kbar basınç değerlerine karşılık sırasıyla engel yükseklikleri 0.594, 0.614, 0.627, 0.647, 0.667 eV ve seri dirençler ise 44.986, 22.920, 30.583, 30.986, 48.571 Ω olarak bulunmuştur (Tablo 6.2-6.3).
dV/d(lnI)’in I ’ye karşı çizilen grafikten elde ettiğimiz doğrunun eğiminden seri direncini, y eksenini kestiği noktadan ise idealite faktörleri tez yazarı ve gözlemci tarafından hesaplandı (Şekil 5.6-5.7). Cheung fonksiyonlarının birincisini kullanarak bulunan bu değerleri 0.00, 1.00, 3.00, 5.00, 7.00 kbar basınç değerlerine karşılık sırasıyla seri direnci için 53.448, 21.050, 27.037, 30.587, 47.405 Ω ve 52.403, 21.206, 27.106, 30.587, 47.775 Ω, idealite faktörü için ise 1.072, 1.091, 1.100, 1.101, 1.107 ve 1.089, 1.085, 1.097, 1.101, 1.090 değerleri hesaplanmıştır (Tablo 6.1-3).
Engel yüksekliğini bulmak için ikinci Cheung fonksiyonu adı verilen H(I) şeklinde özel bir fonksiyon tanımlanır ve bu fonksiyon yardımıyla çizdiğimiz H(I)’e karşı I grafiğinden elde edilen doğrunun eğiminden seri direnci, H(I) ekseninin kesim noktasından ve birinci Cheung fonksiyonundan elde edilen idealite faktörü değeri kullanılarak engel yüksekliği tez yazarı ve gözlemci tarafından hesaplandı (Şekil 5.8-5.9). Elde edilen bu değerler 0.00, 1.00, 3.00, 5.00, 7.00 kbar basınç değerlerine karşılık sırasıyla seri direnci için 52.739, 21.526, 27.489, 30.610, 47.845 Ω ve 52.523, 21.434, 27.326, 29.982, 47.540 Ω, engel yüksekliği için ise 0.576, 0.593, 0.610, 0.629, 0.666 eV ve 0.585, 0.597, 0.612, 0.629, 0.656 eV değerleri hesaplandı (Tablo 6.1-3).
Tablo 6.1-3’de de verilen sonuçlara bakılacak olursa başka yöntemlerle olmaksızın farklı iki kişinin fit sonuçlarıyla hesaplanan değerler bile farklılık göstermektedir. Bu farklılık temelde çizilen I−V grafiklerinin lineer bölgeleriyle ilgilidir, çünkü grafiğin tamamı için tek bir idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç hesaplaması yapılmaktadır. Bu durumda grafiği inceleyen her uzman kişinin farklı sonuçlar hesaplaması da kaçınılmaz olmaktadır. Benzer durum birinci Cheung fonksiyonunda dV/d(lnI)’in I’ye karşı çizilen ve ikinci Cheung fonksiyonunda H(I)’e karşı I için çizilen grafikte de görülmektedir. Norde fonksiyonunda ise minimum noktayı kestirmek hemen hemen olanaksızdır. Sonuçlar birbirine ne kadar yakın çıkarsa çıksın biz deney unsurlarından kaynaklanan hataların dışındaki bu hataları hesaplama hatası olarak adlandırabiliriz. Her nekadar veriler farklı metodlar veya başkası tarafından da değerlendirilse değerler birbirine oldukça paralellik arzeder. Buda standart bir hata olarak karşımıza çıkar. Geliştirilen diğer yöntemler bu hatayı dahada aza indirmek için geliştirilmiştir. Zaten bütün ölçme ve değerlendirmelerin hatalı olduğu pozitif bilimle
uğraşan herkes tarafından bilinmektedir ve onun içindir ki özellikle yarıiletken malzemeler için güvenlik aralığı (tolerans bandı) göz ardı edilemez. Güvenlik aralığı cihazlarda EN, %, m gibi notasyonlarla ifade edilmektedir, bu semboller ölçmedeki şüpheli aralığı yada başka bir ifadeyle ölçülemeyen hataları gösterir.
Tablo 6.1. Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç değerleri için I-V karakterizasyonundan elde edilen idealite faktörü değerleri
Basınç (kbar) 0.00 1.00 3.00 5.00 7.00
Tez Yazarı n (I-V) 1.140 1.060 1.044 1.028 1.021 Gözlemci n (I-V) 1.130 1.079 1.102 1.104 1.076 Pozitif ve Negatif Beslem
Eğrilerinin Fiti n (I-V) 1.269 1.227 1.230 1.210 1.197 Missous n (I-V) 1.104 1.088 1.084 1.081 1.080 Birinci Cheng Fonksiyonu
Tez Yazarı n (dV/d(lnI)-I) 1.072 1.091 1.100 1.101 1.107 Birinci Cheng Fonksiyonu
Gözlemci n (dV/d(lnI)-I) 1.089 1.085 1.097 1.101 1.090
Tablo 6.2. Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç değerleri için I-V karakterizasyonundan elde edilen engel yüksekliği değerleri
Basınç (kbar) 0.00 1.00 3.00 5.00 7.00
Tez yazarıφb (I-V) 0.588 0.602 0.621 0.641 0.660 Gözlemci φb (I-V) 0.585 0.598 0.614 0.632 0.652 Pozitif ve Negatif Beslem
Eğrilerinin Fiti φb (I-V) 0.574 0.584 0.601 0.621 0.639 Missous φb (I-V) 0.587 0.593 0.611 0.628 0.646 Norde Fonksiyonu
b
φ (F(V)-V) 0.594 0.614 0.627 0.647 0.667
İkinci Cheng Fonksiyonu
Tez Yazarı φb(H(I)-I ) 0.576 0.593 0.610 0.629 0.666
İkinci Cheng Fonksiyonu
Tablo 6.3. Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun uygulanan basınç değerleri için I-V karakterizasyonundan elde edilen seri direnç değerleri
Basınç (kbar) 0.00 1.00 3.00 5.00 7.00
Norde Fonksiyonu s
R (F(V)-V) 44.986 22.920 30.583 30.986 48.571 Birinci Cheng Fonksiyonu
Tez YazarıRs(dV/d(lnI)-I) 53.448 21.050 27.037 30.587 47.405 Birinci Cheng Fonksiyonu
Gözlemci Rs(dV/d(lnI)-I) 52.403 21.206 27.106 30.587 47.775 İkinci Cheng Fonksiyonu
Tez Yazarı Rs(H(I)-I ) 52.739 21.526 27.489 30.610 47.845
İkinci Cheng Fonksiyonu
Gözlemci Rs(H(I)-I ) 52.523 21.434 27.326 29.982 47.540
Tablo 6.2 verilen sonuçlara göre Mn/n-GaAs Schottky diyodunda incelediğimiz tüm yöntemlerle tüm basınç aralığında engel yüksekliklerinin düzgün olarak arttığından, Mn/n-GaAs Schottky diyodunun basınç sensörü olarak kullanılabilirliğini göstermektedir.
Oda basıncında alınan verinin düz beslem bölgesinde diğer basınç ölçümlerine göre seri direnç bölgesindeki anormal değişim diyodun yağ ortamı içerisinde uygun kontak sağlanamamasından kaynaklanmıştır. Bunun için ilk değerden sonraki seri direnç değerler bizim için daha kabul edilir değerlerdir. Eğer bu durum gözönünde bulundurulursa artan basınçla sırasıyla engel yüksekliğinin basınçla lineeer arttığı, idealite faktörünüm düzgün değişim göstermediğini ve seri direncinde arttığı gözlenmiştir. Engel yükseklinin basınçla değişimi 10.11 meV/kbar yasak enerji aralığının değişimi ise 10.70 meV/kbar (Wolford and Bradley, 1985) olup birbirlerine yaklaşık eşittir (Şekil 6.1). Böylece Fermi Seviyesi iletkenlik bandının maksimumuna mıhlandığını söyleyebiliriz.
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00
Basınç (kbar)
0.00 20.00 40.00 60.00 80.00E
ng
el
Y
ük
se
kl
iğ
in
in
D
eğ
iş
im
i (
m
eV
)
Mn/n-GaAs
T=300 K
0.00 20.00 40.00 60.00 80.00Y
as
ak
E
ne
rj
i A
ra
lığ
ın
ın
D
eğ
iş
im
i (
m
eV
)
Engel Yüksekliği Engel Yüksekliği Fiti Yasak Enerji AralığıŞekil 6.1 Basınç ile Mn/n-tipi GaAs Schottky diyotunun Engel Yüksekliğinin ve GaAs’ın Yasak Enerji Aralığının Değişim grafiği
V
I − grafikleriyle ilgili olan problemlere benzer durumlar bilim dünyasında sıklıkla karşılaşılan problemlerdendir. Hesaplamada ki problemlerden de önemlisi hidrostatik basınç altındaki incelemelerin tamamı TE teorisi ile incelenmiş ve sonuçlarında hidrostatik basınca uygun olduğu ifade edilmiştir. Yani basınç parametresini içeren herhangi bir akım iletim bağıntısı bulunmamaktadır.
Pozitif bilimlerde sonuçları bilinen fakat bir denklemle bugüne kadar ifade edilememiş oldukça fazla problem vardır. Bu bilimlerin başında da elektronik ve aktif devre elemanları gelmektedir. Termoiyonik Emisyon teorisinde basınç parametresi bulunmadığından çalışmamızda yapay sinir ağı ve bulanık mantığın birleşimi olan uyarlamalı bulanık sinir ağı (ANFIS) kullanılmıştır. ANFIS uygulama da uzmanlık gerektiren bir yazılımdır, az da olsa istenilen yada beklenilen sonuçları vermez. ANFIS giriş ve çıkış değerleri bilinen problemleri önce yapay sinir ağlarıyla öğrenir ve bulanık mantıkla kurallar dizisi haline dönüştürür yani algoritma oluşturup optimize eder. Burada dikkat edilmesi ve unutulmaması gereken en önemli nokta ANFIS bu algoritmayı oluştururken kesinlikle deneysel sonuçlardan az da olsa uzaklaşır, burada uzaklaşma
ölçüsünü konuyla ilgili uzman belirler. ANFIS ’in bir başka avantajı da deneysel bütünlüğü sağlamasıdır, Çünkü deney yapılması gereken sonsuz nokta vardır ve bu noktaların tamamı için deney yapmak imkansızdır. ANFIS kurduğu doğru algoritma ile deney aralığında ki sonsuz noktalar için çıkış değeri üretir ki buda karakterizasyonun deney aralığında tam olarak yapılmasına olanak sağlar.
Çalışmamızda ki deneysel sonuçları ANFIS’e uygularken sistemi daha çok bilgilendirmek için 5 farklı basınçta 640x3 matris şeklinde deneysel verilerin tamamı kullanılmıştır. ANFIS uygulaması için yaptığımız programda Sugeno tip FIS tek çıkışlı sistemin üyelik fonksiyon parametrelerini belirlemek için hibrid (hybrid) öğrenme algoriması kullandık. LSE ve BGD metodunun birleşiminden oluşan hibrid öğrenme algoritmasında, 42 tane doğrusal, 27 tane doğrusal olmayan toplam 69 değişken kullanılarak ve 14 tane bulanık kural program yardımıyla ANFIS tarafından oluşturuldu, deneme yanılma yöntemiyle girişler için iki, çıkış için yedi üyelik derecesi ve Gbellmf üyelik fonksiyonuyla en doğru sonuçlar elde edildi.
Deneysel sonuçlarla ANFIS eğitimi sonuçları alınmış üstüste gösterilmiş (Şekil 5.10-14), aynı program içerisinde oluşturulan 14 kurala göre ara basınç değerleri olan ve deneysel sonuçları bilinmeyen 0.5 kbar,1.5 kbar, 2.0 kbar, 4.0 kbar ve 6.0 kbar da gerilim değerleri ile birlikte yapılan programla aynı anda istenmiş ve sonuçlar elde edilmiştir. Elde edilen bu sonuçlarla deneysel sonuçların ANFIS eğitimi sonucunda elde edilen sonuçları birlikte gösterilmiştir (Şekil 5.15-19). Bu grafiklere baktığımızda deneyi yapılmış olan 0.00, 1.00, 3.00, 5.00, 7.00 kbar basınç değerleri için sonuçların ANFIS sonuçlarıylarıyla hemen hemen aynı olduğunu, pozitif ve negatif beslemde lineer bölgelerinin çakıştığını ve buna bağlı olarak y eksenindeki kesim noktalarının aynı olduğunu, ANFIS ürettiği parametrelerle ve oluşturduğu kurallarla çizilen grafiklerden TE teorisi kullanılarak yapılacak hesaplamaların aynı olduğunu söyleyebiliriz. Ayrıca basınç arttıkça ANFIS grafiklerinin doğrululuğunun artmasıda bir başka dikkat çekici husustur.
Deneysel verileri alınmış basınç değerleri için doğru sonuçlar veren programda deneysel verileri alınmamış ara değerler içinde grafikler beklenen biçimdedir (Şekil 5.15- 19). Bu durumda 0.00-7.00 kbar aralığında Mn/n-GaAs Schottky diyodu için tam bir
karakterizasyon sağlanmıştır. Böylece istenilen basınç değeri için ANFIS yardımı ile I−V grafiği elde edilebilir.
Çalışmamızda Mn/n-GaAs Schottky diyodu klasik bilinen yöntemler dışında son yılların en popüler konusu olan ANFIS ile belli aralıklarda basınç, gerilim ve akım deneysel verileri kullanarak tüm deney aralığında tam karakterizasyon ilkkez elde edilmiştir. Malzeme tasarımcıları katkı oranı, nem, üretim teknikleri vb. gibi farklı durumlar için her seferinde deney yapmak yerine yapılmış deney sonuçlarıyla bir veri tabanı oluşturup bu verileri bizim basınç için tahmin ettirdiğimiz gibi tahmin ettirebilirler. Şüphesiz bu bir uzmanlık deneyim ve beraberinde ekip çalışmasını gerektirecektir. Sabırla bütün olasılıkları kullanarak deneylerin sonucuna bir simülatörle deney yapmadan ulaşabilecektir. Çalışmamız bu yöndeki çalışmaları teşvik edecek, malzeme tasarımcılarının işini biraz olsun kolaylaştıracaktır. Böylece fabrikasyon masraflarından tasarruf sağlanacak, istenen engel yüksekliğinde ve kalitede malzeme üretilebilecektir.
KAYNAKLAR
ABIYEV, R., JULY 2003. Recurrent Neural Network Based Fuzzy Inference System for Identification and Control Of Dinamic System, International Journal on Computational Intelligence (TAIN 2003), pp.31-39.
ALLER, I., LANG, C., SCWEEGER, G., HARTNAGEL, H.L., DOLT, R. and HOHENBERG, G., 1996. GaAs Piezo-Transistör for Dynamic Pressure Measurements at High Tempreture. Appl. Phys. Lett., 96(3), 403-405.
ANDREWS, J.M and PHILIPS, J.C. , 1975. Chemical Bonding and Structure of Metal Semiconductor Interface. Phys. Rev. Lett., 35, 56-59.
AUBRY, V. and MEYER, F., 1994. Schottky Diode with High Series Resistance:Limitations of Forward I-V Methods. J.Appl.Phys., 76, 7973-7984. BACCARANI, G., 1976. Current Transport in Schottky-Barrier Diodes. J.Appl. Phys.,76,
4122-4126.
BALASUBRAMANYAM, N. and KUMAR, V., 1987. Pressure Dependence of Barrier Heights of Schottky Contacts on Silicon. Phys. Stat. Sol.(a), 101, K29-K32i.
BARDEEN, J., 1947. Surface State and Rectification at a Metal-Sem. Contact. Phys.Rev.,71 , 717-727.
BARDI,J., BINGGELI, N. and BALDERESCHI, A., 1996-II. Pressure and Alloy- Composition Dependence of Al/Ga1−XAlXAs100 Schottky Barriers. Phys. Rev. Lett. B, 54, R11102-R111050.
BİBER, M., 2005. Low-temperature current-voltage characteristics of MIS Cu/n-GaAs and inhomogeneus Cu/n-GaAs Schottky diodes. Physica B, 325, 138-148.
BOHLIN, K.E., 1986. Generalized Norde Plot Including Determination of the Ideality Factor. J. Appl. Phys., 60, 1223.
BOSSLEY, K.M., 1997. Neuro-Fuzzy Approaches in System Identification University of Southampton, Faculty of Engineering and Applied Sciense, Electronics and Computer Science Department, Doctor of Philosophy Thesis, England.
CHANG, C. Y., FANG, Y.K. and SZE, S.M., 1971. Specific contact resistance of Metal- Semiconductor barrier. Solid State Electronics., 14, 541-550.
CHEN, S. and BILLINGS, S. A., 1992. Neural Networks for Nonlinear Dynamic System Modeling and identification, intemational J. Control, 2, 319-346.
CHEN, T.P., LEE, T.C., LING, C.C.,BELLING, C.D. and FUNG, S., 1993. Current Transport and Its Effect on the Determination of the SBH in a typical System. Solid State Electron., 36, 949-94.
CHEUNG, S.K and CHEUNG, N.W., 1986. Extraction of Schottky diode parameters from forward current–voltage characteristics. J. Appl. Phys., Let., 49, 85-87.
CIBILS, R.M. and BUITRAGO, R., 1985. Forvard I-V plot for nonideal Schottky diodes with high series resistance. J. Appl. Phys., 58, 1075-1077.
CROWELL, C.R. and SZE, S.M., 1965. Surface States and Barrier Height Metal- Semiconductor System. J. Appl. Phys., 36, 3212-3220.
CROWELL, C.R and SZE, S.M., 1966. Current transport in Metal-Semiconductor Barriers. Solid State Electron., 9, 1035-1048.
CRUMBACKER, T.E., SITES, J.R. and SPAIN, I.L., 1989. Effects of high pressure on silicon metal-oxide- semiconductor structures. J. Appl. Phys., 65, 2328-2331. ÇANKAYA, G., 1998. Au/n-GaAs Schottky diyotların karakteristik parametreleri üzerine
hidrostatik basıncın etkisi. Yüksek Lisans Tezi, Atatürk Üniversitesi, (Yayınlanmış) 42 Sayfa.
ÇANKAYA, G., UÇAR, N., AYYILDIZ, E., EFEOĞLU, H., TÜRÜT, A., TÜZEMEN, S, and YOĞUTÇU, Y.K., 1999-I. Effect of hydrostatic pressure on the characteristics parameters of Au/n-GaAs Schottky-barrier diodes. Phys. Rev. B, 60, 15944-15947.
ÇANKAYA, G., UÇAR, N. and TÜRÜT, A., 2000a. Reverse Bias Capacitance-Voltage Characteristic of Au/n-GaAs Schottky Diodes under Hydrostatic Pressure. Int. J. Electron., 87, 1171-1176.
ÇANKAYA, G., UÇAR, N. and TÜRÜT, A., 2000b. An Investigation of I-V Characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes after hydrostatic pressur. Phys. Stat. Sol. (a), 179, 469-473.
ÇANKAYA, G. and UÇAR, N., 2002a. Forward Bias Capacitance-Voltage Characteristic and Interface State Density of Au/n-GaAs Schottky Diodes under Hydrostatic Pressure. Physica Scripta, 65, 454-458.
ÇANKAYA, G., 2003. Hidrostatik Basınç Altında Metal/p-Si Schottky Diyotların Elektriksel karakterizasyonu. Doktora Tezi, Atatürk Üniversitesi. 84 Sayfa.
ÇANKAYA, G. and ABAY, B., 2005. Current- and capacitance-voltage characteristics of Cd/p-GaTe Schottky barrier diodes under hydrostatic pressure. Semicond. Sci. Technol. 21, 124–130.
DABROWSKI, J. and SCHEFFER, M., 1988. Theoretical Evidence for an Optical Inducible Structural Transition of the isolated As Antisite in GaAs: Identification and Explanation of EL2?. Phys. Rev. Lett., 60, 2183-2186.
DANG, Z., 2004. Extended Neuro-Fuzzy Models Of Multilayer Perceptrons, Fuzzy Sets and Systems 142, 221–242.
DEMUTH, H., BEALE, M. and HAGAN, M. T., 1995. Neural Network Design, Wadsworth Publishing Company Pub.
DIZHUR, E.M., SHULMAN, A.Y., KOTELNIKOV, I.N. and VORONOVSKY, A.N., 2001. Pressure Dependence of the Barrier Heights in Tunnel n-GaAs/Au Junction. Phys. Stat. Sol.(b),223, 129-137.
DOBACZEWSKI, L. and LANGER, J.M., 1993. Pressure Dependence of the Schottky Barrier Heights in Al/AlGaAs Junctions. Acta Phys. Pol. A, 84,741-744.
DONOVAL, D., DE SOUAS PIRES, J., TOVE, P.A and HARMAN, R., 1989. A self consistent approach to I-V measurements on rectifying Metal- Semiconductor contacts. Solid State Electron., 32, 961-964.
EVANGELOU, E.K., PAPADIMITRIOU, L., DIMITRIADES, C.A. and GIAKOUMAKIS, G.E., 1993. Extraction of Schottky Diode Parameters from I-V Characteristics. Solid State Electron., 36, 1633-1635.
FAUSSETT, L., 1994. Fundamentals of Neural Networks Architectures, Algorithms, and Applications, Prentice-Hall.
FRYE, R.C., RIETMAN, E. and WONG, C.C., 1991. Back-Propogation Learning and Nonidealities in Analog Neural Network Hardware. IEEE Transactions on Neural Networks, 2, (1), 110-117.
GIANNAKIS G.B. and MENDEL J.M., 1989. Identification of Non-Minimum Phase Systems Using Higher-Order Statistics, IEEE Trans. Acoust., Speech, Signal Processıng, 37, 360-377.
GWOREK C.S., PHATAK P., JONKER B.T., WEBER E.R. and NEWMAN N., 2001. Pressure dependence of Cu, Ag, and Fe/n-GaAs Schottky barrier heights. Phys. Rev. B, 66, 045322-1-045322-6.
JACCEH, M., 2003. Neuro-Fuzzy System With Learning Tolerant To Imprecision, Fuzzy Sets and Systems 138, 427–439.
EKSİN İ. and..EROL O. K., 2000 A Fuzzy Identification Method for Nonlinear Systems. Turk. J. Elec. Engin., 8, , 125-135.
JIT, S. and NARASIMHA, MURTY NETI, V.L., 2006. Analytical study of the photo- effects on common-source and common-drain microwave oscillators using high pinc-off n-GaAs MESFETs. Microelectronics Journal, 37, 452-458.
JOGLE, V., 2004. Artificial Neural Networks and Neuro-Fuzzy Systems for Modelling and Controlling Real Systems, A Comparative Study, Engineering Applications of Artificial Intelligence, 17, 265–273.
KARATAŞ, Ş. and ALTINDAL, Ş.,2005a. Temperature dependence of barrier heights of Au/n-type GaAs Schottky diodes. Solid-State Electronics, 49, 1052-1054.
KARATAŞ, Ş. and ALTINDAL, Ş., 2004. Ideal Olmayan Schottky Diyotlarının Temel Parametrelerinin Akım-Voltaj Karakteristiklerinden belirlenmesi. KSU. Journal of Science and Engineering, 7(2).20-25
KARATAŞ, Ş. and ALTINDAL, Ş., 2005b. Zn/p-Si Schottky Diyotlarda Temel Elektriksel Parametrelerin Sıcaklığa Bağlı Incelenmesi. KSU. Journal of Science and Engineering, 8(1) 26-30
KARATAŞ, Ş. and TÜRÜT, A., 2006. The determination of electronics and interface state density distributions of Au/n-type GaAs Schottky barrier diodes. Physica B, 381, 199-203.
KARATAŞ, Ş., TÜRÜT, A. and ALTINDAL, Ş., 2005. Effects of 60Co γ-ray irradition on the electrical characteristics of Au/n-GaAs (MS) structures.NIM- A,555, 260- 265.
KOSKO, B., 1994. Neural Networks for Signal Processing Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ 07632, 1992.
LEE, T.C., FUNG, S.,BELLING, C.D. and AU, H.L., 1992. A systematic approach to the measurement of ideality factor, series resistance, and barrier height for SBD’s. J. Appl, phys., 72, 4739-4742.
LEE, J. AND MATHEWS, V.J., 1994. A Stability Condition for Certain Bilinear Systems, IEEE Trans. on Signal Processing, 42, 1871-1873.
LIN, Y., and CUNNINGHAM, G., 1995. A New Approach to Fuzzy-Neural System Modelling, IEEE Transactions on Fuzzy Systemsa, 3, (2), 190-198.
LIN, C.T. and LU, Y.C., 1995. A Neural Fuzzy System with Linguistic Teaching Signals. IEEE Transactions on Fuzzy Systems, 3, (2), 169-189.
LOUIE, S.G and COHEN, M.L., 1976. Electronic Structure of a Metal-Semiconductor Interface. Phys. Rev. B, 13, 2461-2469.
MARSEQUERA, M., 2004. Model Identification by Neuro-Fuzzy Techniques: Predicting The Water Level In A Steam Generator of a pwr. Progress in Nuclear Energy, 44, (3), 237-252.
MISSOUS, M., RHODERICK E.H. and SINGER K.E., 1985. Thermal Stability of Epitaxial Al/GaAs Schottky Barriers Prepared by Moleculer-Beam Epitaxy. J. Appl. Phys., 59(9), 3189-3195.
MEAD, C.A., 1966. Schottky Barrier Gate Field-Effect Transistör. Proc. IEEE, 54, 307- 308.
MÖNCH, W., 1995. Semiconductor Surfaces and Interfaces, 2nd Edition. Springer,
Berlin, P.75-92, P.347-387, Table A.4.
NARENDRA, K.S. and MUKHOPADHYAY, S., 1997. Adaptive Control Using Neural Networks and Approximate Models, IEEE Trans. on Neural Networks, 8, 475-485. NAUCK, D., 1995. Beyond Neuro-Fuzzy Perspectives and Directions.Proc. Third
European Congress on Intelligent Technigues and Soft Computing, 1159-1164, Aachen.
NAUCK, D. and KLAWONN.F., 1996. Neuro-Fuzzy Classification Initialized by Fuzzy Clusterig.Proc. Fourth European Congress on Intelligent Tecnigues and Soft Computing, Aachen.
NAUCK, D., LAWONN. F. and KRUSE, R., 1992. Fuzzy Sets, Fuzzy Controllers, and Neural Networks, Journal of the Humboldt-University of Berlin, Series Medicine 41.
NAUCK, D., and KRUSE, R., 1994. Choosing Appropriate Neuro-Fuzzy Models. In Proc. Second European Congress on Fuzzy and Intelligent Technologies (EUFIT94), 552-557.
NORDE, H., 1979. A modified forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance. J. Appl. Phys., 50, 5052-5053.
PEANASKY, M.J. and DRICKAMER, H.G., 1984. Effect of pressure, on the height of the Schottky barrier (φB) for several semiconductor. J. Appl. Phys., 56, 3471-3475. PERROT, M.H., and COHEN, R.J., 1996. An Efficiant Approach to ARMA Modelling
of Biolagical Systems with Multiple Inputs and Delays. IEEE Transactions on Biomedical Engineering, 43, (1), 1-14.
PHATAK, P., NEWMAN, N., DRESZER, P. and WEBER, E.R., 1995-II. Experimental determination of the pressure dependence of the barrier height of
metal/
[
n type GaAs−]
Schottky contacts: A critical test of Schottky-barrier models. Phys. Rev. B, 51, 18003-18006.RAUF, F., 1993. Nonlinear Adaptive Filtering: A Unified Approach, Ph.D. Thesis, Boston