3.1 Giri¸s
Giri³im ltreleri optik sistemlerde yaygn olarak kullanlmaktadr. Filtreler, sade e tek dalgaboyu ³n geçirebildikleri gibi, belirli bir dalgaboyu aral§n geçirebilirler veya yanstabilirler. Bunlar, araba veya bina amlar, gözlükler ve lenslerde kullanlabilirler. Yanst [2,3,1922,47,5458℄ ve yanstmay [3,23,26,5963℄özelli§iolan sol-jelyöntemi ilehazrlanm³ çoksaydaltrerapor edilmi³tir. Sözkonusu sistemler, seçilen ta³y ya, sole, merkezi dalgaboyuna, lm saysna, optik kalnl§a, kaplama tekni§ine, ve sl i³lem ayrntlarna göre birbirinden farkllk göstermektedirler. De§i³ik dalgaboyu aralklar için yanstmay veya geçirgenli§i kontrol edebilen çok-katmanloptik sistemlersol-jel veyavakumtekniklerikullanlarakyaplabilir. Vakumtekniklerininavantajdaha skvekararlltrelerolu³turabilmeleridir. Amabultrelerin,maliyetleriyüksek, büyüklükleri snrldrve seri üretime uygun de§ildirler. Bundan dolay sanayiye kolay a uygulanamazlar. Oysa sol-jel yönteminde bu tür dezavantajlar yoktur, yaniüretimiu uzdur, büyükboyutlarda ve seri olaraküretilebilirler. Buyüzden bu çal³madasol-jel yöntemi ter ihedilmi³tir.
Tezde sunulan ilk çal³mada, TiO
2
ve SiO2
esasl 9-katmanl yakn-UV yanst ve iki çe³it 3-katmanl yakn-infrared yanstmay ltre iki tara olarak sol-jel döndürerek kaplama yöntemi ile elde edilmi³tir [24℄. Yanst ltre dönü³ümlü olarak yüksek-indis TiO2
ve dü³ük-indis SiO2
lmlerinden olu³turulmu³tur. Yanstmay ltre içinse orta-indisli TiO2
SiO2
kar³m lmi de kullanlm³tr. TiO2
ve SiO2
krmaindislerifarklar büyükoldu§undan seçilmi³lerdir.Çal³mada, frnlama srasnda lmlerdeki kalnlk azalmas ve yo§unla³ma da gözönüne alnm³ ve sistem en az sayda de§i³ken ile tanmlanm³tr. Kalnlk,
tek-katmanlariçinhem de ltre içindekilmleri içinhesaplanm³tr.
3.2 Deneysel Yöntem
3.2.1 Yansıtıcı filtre için sol hazırlanması
SiO
2
solü hazrlamak için ba³langç malzemesi olarak Tetraetilortosilikat (Si(OC2
H5
)4
,TEOS)kullanlm³tr. TEOSçözü üolarakizopropanolle(C3
H8
O), hidroliziçinsafsu(H2
O)vekatalizörolarakdahidroklorikasitle(HCl)70
◦
C'de80 dakikakar³trlm³tr. Bile³enlerinmolaroranlar³öyledirTEOS:C
3
H8
O:H2
O :HCl=1: 32: 32: 0.24. TiO2
solüTitanyum(IV)butoksit(Ti[O(CH2
)3
CH3
℄4
, TIVBT) kullanlarak iki basamakta hazrlanm³tr. Birin i basamakta, TIVBT, etanol(EtOH)veasetikasit(CH3
COOH)odas akl§nda30dkTIVBT:EtOH : CH3
COOH =1 : 113.45 : 1.4molar oranlarnda kar³trlm³lardr. Sonra sole molaroranlarTIVBT:EtOH:CH3
COOH=1: 189.1: 1.4ola ak³ekildeetanol eklenmi³tir. Bundan sonra,solodas akl§nda1saatdaha kar³trlm³tr. Elde edilen her iki solde homojenve geçirgen olmu³tur.3.2.2 Yansıtmayıcı filtreler (ARF) için sol hazırlanması
SiO
2
solü Bölüm3.2.1'de yanst ltre içintarif edilen³ekilde hazrlanm³olup bu defa kullanlan kimyasallarn molar oranlar TEOS : C3
H8
O : H2
O : HCl = 1: 16 : 16 : 0.12 ³eklinde seçilmi³tir. Sistemde kullanlan TiO2
solü de yanst kaplamalarda kullanlanntamamen aynsdr. Ayr a bu iki solkullanlarak, sol ha im oranlarndaki %80 TiO2
- %20 SiO2
kar³m solü oda s akl§nda 30 dk kar³trlarak elde edilmi³tir.3.2.3 Yansıtıcı filtre için kaplama süreci
Tüm sistemlerde ta³y olarak
2.5 ×2.5 ×0.1
m boyutlarndaki mikroskop amlar(Corning2947)kullanlm³tr. Ta³y lar am arndr sileykandktan veön ykama basama§olaraksuyla durulandktansonra, 15dakikal§na etanol içinde ultrasonik banyoda (Bandelin, Sonorex RK100, 35 kHz) temizlenmi³, daha sonra s ak-hava akmnda kurutulmu³lardr. Tezdeki di§er çal³malardaher TiO
2
alt katman amn iki tarafna da 2000 devir/dk hznda döndürerek kaplanm³tr. Heraltkatman100
◦
C'de frnda(Carbolite,CWF 1100)sli³leme tabi tutulmu³tur. Tezin kapsad§ tüm çal³malarda ayn frn kullanlm³tr. TiO
2
lmini elde edebilmek için bu kaplama ve sl i³lem süre i arka arkaya üç kez tekrar edilmi³tir. SiO2
lmleri ise 3500 devir/dk hzda çift tara olarakbir kez kaplanarak ve100
◦
C'de 5 dk kurutma ile elde edilmi³tir. Sonuçta sistemde ta³y nn herbirtarafndaki lmler(içeriden d³ar do§ru):
(HL)
4H
³eklindedir, burada
H
, TiO2
veL
, SiO2
lmlerini,4ise lmsaysn temsiletmektedir.3.2.4 Yansıtmayıcı filtreler için kaplama süreci
3.2.4.1 ARF-1
Camlarnboyutlarvetemizlemei³lemiBölüm3.2.3'deanlatld§gibidir. ARF-1 olarak adlandrlan 3-katmanl ltrede ilk lm sol ha min e %80 TiO
2
- %20 SiO2
'den olu³mu³ olup bu lm 2000 devir/dk hzda ve üç alt katmandan hazrlanm³tr. kin i lm olarak TiO2
lm kullanlm³tr ve yanst ltredeki TiO2
lmi için olan kaplama i³lemi üç kez yerine be³ kez tekrar edilerek elde edilmi³tir. Üçün ü lm, SiO2
ise 4000 devir/dk hzda kaplanm³tr. Filmleriolu³turanbütünaltkatmanlarkaplamadansonra5dakikal§na100
◦
C'de stlm³tr. Sonuçta ta³y nn herbir tarafndaki elde edilen ard³k lmler (içeriden d³ar do§ru) TiO
2
-SiO2
kar³m, TiO2
ve SiO2
³eklindedir.3.2.4.2 ARF-2
kin i çe³it ARF için ARF-1'deki, ayn sol hazrlan³, ayn kaplama yöntemi ve lmard³kl§kullanlm³amaaltkatmanTiO
2
be³yerineonkeztekrarlanm³tr. Ksa as daha kaln bir lm olu³turulmu³tur. Her alt katman 5 dakikal§na 100◦
C'de stlm³tr, ek olarak da y§n-stma yöntemi [23℄ kullanlm³tr: tamamlanm³ sistem 450
◦
C'de 15dakikal§na sli³lem görmü³ ve örne§e sonra 230
◦
3.2.5 Tek-katman hazırlanması
Yanst veARltreleriçinbahsedilenherbirlmtekba³nabirta³y üzerine ayr akaplanm³,ta³y /TiO
2
,ta³y /SiO2
veta³y /TiO2
-SiO2
olu³turulmu³ vebunlaratek-katmandenilmi³tir. Hazrlamayöntemiçok-katmanlsistemdekine kar³lk gelen lmle tamamen ayndr. Yanst ltre ve ARF-1'de kullanlan tek-katmanlarn alt katmanlar kaplamadan sonra 100◦
C'de 5 dk sl i³lem görmü³lerdir. ARF-2'de kullanlanlar, bu sl i³lemin ardndan yukarda tarif edilen y§n-stmayönteminetabi tutulmu³lardr.
3.2.6 Karakterizasyon yöntemleri
Hem tek hem de çok-katmanl hazrlanm³ lmlerin geçirgenlik ve yanstma ³iddetlerinin tayin edilmesinde
30
◦
geli³ açs altnda 300-1000 nm dalgaboyu aral§ altnda geçirgenlik ve yanstma de§erlerini gösteren NKD System spektrofotometresi (NKD 7000, Aquila, UK) kullanlm³tr. Tezdeki di§er çal³malarda da yine ayn marka spektrofotometre kullanlm³tr. Filtre üzerindeki lmlerin yap³kanl§ çapraz kesim ve bant testleriyle tayin edilmi³lerdir. Bu testte lm üzerinde çapraz kesimler yaplr ve sonra kesilen yüzeye bant yap³trlp çkartlr. Kesimlerin birle³ti§i noktalarn düzgün kalp kalmad§na baklr. Yüzey pürüzlülü§ü, bundan sonraki çal³malarda da ayn markann kullanld§ bir atomik kuvvet mikroskobu (AFM, SPM-9500J3, Shimadzu) ilebelirlenmi³tir.
3.3 Teorik Karakterizasyon
Teorik karakterizasyonun ama , ltre sistemleri içindeki herbir lmin kalnlk, krma indisi
n(ω)
, ve söndürme katsaysnnk(ω)
bulunma ³eklini anlatmaktr. Bunun için ilk ön e sistemlerin geçirgenlik ve yanstmasnn geçirgenlik ve yanstma katsaylarna nasl ba§l ola a§ belirlenmelidir. Bu durumda optik sabitler Bölüm2.2.2.1'de tarifedilen simetrik kaplsistemlerinT
veR
tanmyla uyumlu ola aktrve ta³y nnyutma özelli§ide aynbölümde tarifedildi§igibi elealna aktr: hemyanst hemdeyanstmay ltresistemleriherikitarafdaihtiva etmektedir.
T
veR
'ye ba§l geçirgenlik ve yanstma katsaylarnn krma indisinevesöndürmekatsaysnaba§loldu§uunutulmamaldr. E§erkrmaindisi ve söndürme katsays için bir model seçilir, buradan verilen sonuçlar kalnlkla beraber tanmlanm³t
ver
içinde yerine konulur ve deneyselT
veR
yeniden yaratlabilirse, bulunan krma indisi ve söndürme katsaylarnn do§ru oldu§u söylenebilir. Bunun için, çok-katman kaplamalarndaki lmlerin krma indisleri vesöndürme katsaylariçinözel formlarseçilmelidir.Tek-katman ve ltredeki lmlerin krma indisi için Bölüm 2.2.2.3'de verilen, Wemple-DiDomeni omodelikullanlm³tr[52℄. Tek-katmanlarn krmaindisleri ayr a NKD sistemi içindeki PRO-Optix Versiyon 4.3paket programile de elde edilmi³tir.
Söndürme katsays
k(ω)
'nn bulunabilmesi için, bu çal³mada kullanlan malzemelerin yutmasnnverinin topland§300− 1000
nm dalgaboyu aral§nn çok büyük bir ksmnda neredeyse sfr oldu§una dikkat edilmelidir. Sade e yakn-UVbölgesindebelirginbiryutma beklenmektedir bu daesasen 3.2eV[64℄ ivarnda optik band aral§ olan TiO2
'i içeren lmlerden kaynaklanmaktadr.k(ω)
'nbulabilmekiçin, her lminoptikyutmannba³lang nn³utipikili³kiile tarif edildi§ivarsaylm³trα(ω)¯hω
= B(¯hω− Eg)η
(3.1)
Burada yutma katsays
α(ω) = 4πk(ω)/λ
'dr,Eg
optik band aral§ enerjisi,B
birsabittirveη
optikgeçi³ türüneba§l[65℄birsaydr. Bu çal³madakullanlan malzemeler içinindirekt geçi³ beklenmektedir veη= 2
[64℄ alnm³tr. O zaman E³itlik (3.1),k(ω)
içink(ω) =
cB
2¯hω2(¯hω− Eg)
2θ(¯hω
− Eg)
(3.2)
Eg
veB
ile iki paramatreli basit bir model vere ektir. Buradaθ
,¯hω
< Eg
oldu§undak
'y sfr yapan birim basamak fonksiyonudur.n(ω)
parametreleridurumunda, her lmiçinEg
veB
de§erleritek-katmansonuçlarna dayandrla aktr.Burada, dikkat edilmesigereken birkonu daha vardr: Çok-katmanlkaplamalar gözönüne alnd§nda, fabrikasyon tekni§inin do§as nedeniyle ön e kaplanan
göre eklerdir. Daha uzun süreli sl i³leme maruz kalmak sol-jel in e lmin kalnl§n dramatik olarak azaltabilmektedir, bunun nedeni sol-jel sentezinden gelen rezidülerin lmden uzakla³rken jel a§nn yo§unla³mas ve gözeneklerin azalmas[66℄olarakaçklanmaktadr. Böyle ey§nnaltnayaknbirlmgenelde üste do§ru olan ayn tip lmden daha in e olmaktadr [21℄. Bu yo§unla³madan dolay bu çal³madaki çok-katmanl sistemlerdeki krma indisi ve söndürme katsaylarnn tek-katman örneklerinden (bunlar sade e birkez sl i³leme maruz kalm³lardr)hesaplananlaragöre birazdahafazlaolmasbeklenmektedir. Krma indisinin
ρ
yo§unlu§uileölçeklenmesiyakla³kolarakLorentz-Lorenzkanunu[67℄ ileaçklanabilmektedir,˜
n2(ω) − 1
˜
n2(ω) + 2
= ˜Q(ω)ρ
(3.3)
burada kompleks indis
n˜(ω) = n(ω) + ik(ω)
, veQ˜(ω)
malzemenin kompozisyonuna ba§l herhangi bir fonksiyondur. Herhangi birρ0
yo§unlu§un
vek
için biliniyorsa (mesela, tek-katman sonuçlarndan) herhangi ba³ka birρ
yo§unlu§u içinn
vek
'y belirlemek üzere E³itlik (3.3) kullanlabilir.n
vek
'nn tek-katman sonuçlarndan, çok-katman kaplama i³lemi srasnda lminyo§unla³mas nedeniyle olan sapmay tarif edebilmek için, her lmle ili³kili olarakbir
D=ρ/ρ0≥ 1
parametresitantla aktr.Özet olarak, bu çal³madaki çok-katmanl sistemlerin