GENEL SONUÇLAR

•

TiO

2

,SiO

2

veTiO

2

-SiO

2

lmleritek-katmanolaraksol-jeldöndürerekkaplama yöntemi ile hazrlanm³lardr. Bu lmlerin optik indisleri ve kalnlklar bulunmu³tur. stenilen dalgaboyu aral§nda ltreleri olu³turabilmek için, lmlerin hazrlanmako³ullarde§i³tirilmi³veltre içerisinde lmlerinkalnlk ve optik indislerinsabit kala a§ varsaylp, uygun parametreler bulunduktan sonra ltreler olu³turulmu³tur. Ta³y larn her iki yüzü de simetrik olarak kaplanarakyakn-infraredbölgesiiçinikiçe³itüç-katmanlveyakn-UVbölgesi için de dokuz-katmanlyanst ltre üretilmi³tir.

4 lm says olmak üzere, yanst  sistemde ta³y nn herbir tarafndaki lmler (içeriden d³ar do§ru):

(HL)

4_H

biçimindedir, burada

L

, SiO

2

ve

H

, TiO

2

lmlerinigöstermektedir.

Yanst  ltre ile 350370 nm dalgaboyu aral§nda %90'nn üzerinde bir yanstma de§eri elde edilmi³tir. Yanstmann maksimium de§eri

≈ 365

nm'dedir ve de§eri %91.4 olarak meydana gelmi³tir. bundan dolay ltre yakn-UV yanstmaltresi olarakdavranmaktadr.

ki adet yanstmay  SiO

2

/TiO

2

/TiO

2

-SiO

2

/ta³y /TiO

2

-SiO

2

/TiO

2

/SiO

2

tasarm ile olu³turulmu³tur. Aralarndaki fark ikin i ltrenin birin iye göre daha yüksek sl i³lem görmü³ olmas ve TiO

2

alt katman saysnn birin idekinden daha fazlaolmasdr.

Yanstmay ltrelerdenbirin isininminimumde§eri

λ= 805

nm'demeydana gelmektedir. Yanstma 770845nm dalgaboylar arasnda%1'den ve 745885 nm bölgesinde%2'denazdr. Eldeedilenikin iyanstmay ltresrasyla545 nm ve 845 nm'deiki yerel AR minimayasahiptir. 545nm'de yanstma sade e %1.3'dür, 535560nmaras %2'ninaltndadr. Di§erminimumun785910nm dalgaboyuarasnda%2'ninve815865nmaral§nda%1'inaltndayanstmas

AR ltreleri olaraki³lev görebilmeyetene§ine sahiptir.

Ayr a tek-katmanl olarak hazrlanan lm ile ayn lm kullanlarak çok-katmanl ltre hazrland§nda lmlerin optik sabitlerinde ve kalnlklarnda farkllklar oldu§u gözlemlenmi³tir. Isl i³lem süresi ltredeki lmler için daha uzun oldu§undan kalnlklar daha az çkm³tr. Bu yüzden de beklenen merkezi dalgaboyundan daha küçük dalgaboyuna kayma gözlemlenmi³tir. Bundan dolay ltredeki lmler için yo§u³ma faktörü belirlenmi³tir. Bu çal³maya benzer ko³ullarda ama farkl merkezi dalgaboyunda ltre üretmek isteyen ara³trma lar için, çal³mada bulunan yo§u³ma faktörleri kolaylk sa§laya aktr. Çünkü hedeenen ltre için ba³langçta kullanmalargereken tek-katmanlarbilebile eklerdir.

•

Sol-jel döndürerek kaplama yöntemiyle hazrlanm³ TiO

2

, ZnO, ve ZnO-TiO

2

in e lmlerini kullanarak, ama simetrik olarak kaplanm³ iki kat yaplar olu³turup yanstmay ltreler elde edilmi³tir.

Birin i ve ikin i ltre ZnO/TiO

2

/ta³y /TiO

2

/ZnO tasarmna sahipken üçün ü ltre ZnOTiO

2

/TiO

2

/ta³y /TiO

2

/ZnOTiO

2

³eklinde olu³turulmu³tur. Birin i ve ikin i ltre arasndaki fark ZnO lminin birin i ltrede daha yava³ dönmehzylakaplanm³olmasdr.

Filtrelerinyanstmay karakteristi§i³öyleözetlenebilir: Filtrelerdenbirin isi,

λ

= 674

nm'de %0.437 orannda minimum yanstmaya sahiptir. Yanstma,

645-700 nm için %1'den ve 600-755 nm için %4'den azdr. Elde edilen ikin i ltrenin, yanstmasnn minimumu %0.808'le

λ

= 650

nm'de meydana gelmektedir. Yanstma, 635-665 nm için %1'den, ve 585-720 nm için %4'den azdr. kin i lterede ZnO lminin birin i ltreye göre daha hzlkaplanmas bu ltreninmerkeziminimumunundaha ksadalgaboylarnakaymasnasebep olmu³tur. Sonun u ltre için, yanstmann minimumu %0.324'le

λ

= 495

nm'de meydana gelmektedir. Yanstma, 475-515 nm için %1'den ve 445-550 nm için%4'den azdr.

Böyle e gözenekli ZnO ve ZnO-TiO

2

lmlerininoptik ltrelerde dü³ük krma indisli malzeme olarak kullanlabile ekleri gösterilmi³tir. Bu lmler ltre

içerisinde TiO

2

'in üstüne kapland§nda, ZnO-TiO

2

kompoziti, daha yüksek krmaindisinesahipolmu³turvedahapürüzsüzbirltreyüzeyineyolaçm³tr. Ayr a, sol-jelle hazrlanan ZnO ve ZnO-TiO

2

lmleri, gözenekli olmalar nedeniyle gaz alglay solarakda kullanlmayaadaydrlar.

•

Sol-jel döndürerek kaplama yöntemiyle kaplanm³ ve 550

◦

C'de sl i³lem görmü³ Ta

2

O

5

-CeO

2

in e lmlerinin optik ve yapsal özelliklerinin CeO

2

konsantrasyonu ile nasl geli³ti§ini in elemi³tir. Bunun için ta³y /lm sistemi olu³turulmu³tur. Optik özelliklerdeki en belirgin de§i³iklik %5 CeO

2

katk ile olu³mu³tur: krma indisinde kayda de§er bir art³ ve optik band aral§nda bir dü³ü³ gözlemlenmi³tir. Filmlerinyaplar her katk seviyesinde amorfken, kimyasalözelliklerininveyüzey yaplarnnde§i³ti§inigöstermi³tir. Yüzeyanaliziölçümeri,katkart³ilebirle³mi³ada klarnçaplarnnartt§n ve tüm yüzeyde pürüzlülü§ünün ayn kald§n sergilemektedir. %5 CeO

2

katkile olu³mu³ lm,yüksek krma indisinden dolay optikltrelerde yüksek krmaindislimalzemeolarakveyamikroelektroniktedielektrikmalzemeolarak kullanlmayaadaydr.

•

Sol-jeldöndürerekkaplamayöntemiilekaplananWO

3

veWO

3

SiO

2

kompozit in e lmleri ta³y /lm sistemleri olu³turularak in elenmi³tir. 250

◦

C ve 400

◦

C'de sl i³lem görmü³ olan bu lmlerin amorf yapya sahip oldu§u bulunmu³tur. Srasyla

%4.0 − 4.5

ve

%2.0 − 2.5

SiO

2

katklarda 250

◦

C ve 400

◦

C'de sl i³lem görmü³ lmlerde ilginç geçi³ler ortaya çkarlm³ ve lmin optik parametrelerinin katk ile de§i³ti§i gösterilmi³tir. 250

◦

C'de sl i³lem görmü³lmlerdekrmaindisi

%4.0

katksndansonrabirdendü³mü³, 400

◦

C'de sli³lemgörmü³lmlerdeise

%2.0

katksndansonrabudü³ü³gerçekle³mi³tir. Bu geçi³lerle lmlerin yüzey yaplarndaki de§i³iklikler rastla³maktadrlar. 250

◦

C'desli³lemgörmü³lmlerdepürüzlülük

%4.0

katksndansonraaniden artm³, 400

◦

C'de sli³lemgörmü³lmlerdeise

%2.0

katksndansonra birden azalm³tr.

•

Sol-jel döndürerek kaplama yöntemiyle kaplanm³ ve 500

◦

C'de sl i³lem görmü³ silika ve alümina katkl CeO

2

in e lmlerinin optik ve yapsal

amaçla ta³y /lm sistemleri olu³turulmu³tur. Sonuçta CeO

2

'e katk arttkça krma indisinin dü³tü§ü, baz de§erler için sabit kald§ en büyük dü³ü³ü ise 100Ce-2.5Al-2.5 ve Si100Ce-30Al-30Sinumunesinde yapt§ gözlemlenmi³tir, ayr a yutmann artt§ gösterilmi³tir. Her katk için band aralklarnda CeO

2

'in hakimiyeti görülmü³ ve saf lme göre katkl lmlerin daha kaln oldu§u bulunmu³tur. Filmlerin karakterizasyonu yaplarnn her katk seviyesinde silika ve alümina amorfken CeO

2

'in kristalle³meye ba³lad§n ve yüzey yaplarnn de§i³ti§ini göstermi³tir. Yüzey yapsnn in elenmesi sonu unda, katk arttkça tüm yüzeyde saf CeO

2

lmlerine göre pürüzlülü§ünün artt§, bunun 100Ce-30Al-30Si ve 100Ce-35Al-35Si numunlere için en yükse§e çkt§, katk ile olu³an adalarn daha yüksek katk miktar ile kayboldu§u sergilenmi³tir. Katkl lmlerin, gaz alglay  özelli§i oldu§u bilinen saf CeO

2

lmlerine göre daha fazla yüzey alanna sahipolmasbunlardangazalglay solarakfaydanmannmümkünoldu§unu dü³ündürmektedir.

KAYNAKLAR

[1℄ Http://www.thephotoni s enter. om/about/index.html.

[2℄ Almeida, R.M. and Rodrigues, A.S., 2003. Photoni bandgap materials and stru tures by sol-gelpro essing, J. Non-Cryst. Solids.,326-327, 405409.

[3℄ Zhang, Q., Wang, J., Wu, G., Shen, J. and Buddhudu, S., 2001. Interferen e oating by hydrophobi aerogel-like SiO

2

thin lms, Mater. Chem.Phys., 72, 5659.

[4℄ Juan, P.C., Jiang, J.D., Shih, W.C. and Lee, J.Y.M., 2007. The ee t of annealing temperature on the ele tri al properties of metal-ferroele tri (PbZr0.53Ti0.47O3)-insulator (ZrO

2

)-semi ondu tor (MFIS) thin-lm apa itors, Mi roele tron. Eng., 84, 20142017.

[5℄ Tamaki, J., 2005. Highsensitivity semi ondu tor gas sensors, Sens.Lett., 3, 8998.

[6℄ Granqvist, C.G., 1995. Handbook of Inorgani Ele tro hromi Materials, Elsevier S ien e, B.V., Amsterdam, The Netherlands.

[7℄ Ozer, N. and Lampert, C.M., 1997. Stru tural and opti al properties of sol-gel deposited proton ondu ting Ta

2

O

5

lms, J. Sol-Gel S i. Te hn., 8,703709.

[8℄ Stangar, U.L., Opara, U. and Orel, B., 1997. Stru tural and ele tro hemi al properties of sol-gel derived Mo:CeO

2

, Si:Mo:CeO

2

and Si:CeO

2

nano rystalline lms for ele tro hromi devi es, J. Sol-Gel S i. Te hn.,8, 751758.

[9℄ He, T. and Yao, H.N., 2004. Photo hromism in transition-metal oxides, Res. Chem.Intermediat., 30, 459488.

[10℄ Wittwer, V., Datz, M., Ell, J., Georg, A., Graf, W. and Walze, G., 2004. Gaso hromi windows, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 84, 305314.

[11℄ Albre ht, W.W., 1989. Produ tion, Properties, and Appli ation of Tantalum, Niobium and Compoundsin: Lanthanides, Tantalum and Niobium, Springer.

[12℄ Pal, B. and Sharon, M., 2002. Enhan ed photo atalyti a tivity of highly porous ZnO thin lms prepared by sol-gel pro ess, Mater. Chem. Phys., 76, 8287.

and Ramsey,M.G., 2008.Opti alproperties ofsexithiophenelms grown on ordered and disordered TiO

2

(110) surfa es, Thin Solid Films, 516, 42474251.

[14℄ Jaseentha, O.P. and Menon, C.S., 2008. Chara terization of opti al, ele tri alandstru tural propertiesof silverphthalo yaninethin lms, J. Mater. S i.,19, 602606.

[15℄ Krbal, M., Wagner, T., Kohoutek, T., Neme , P., Orava, J. and Frumara, M., 2007. The omparison of Ag-As33S67 lms prepared by thermal evaporation (TE), spin- oating (SC) and a pulsed laser deposition (PLD),J. Phys. Chem. Solids,68, 953957.

[16℄ Fu, G.,Polity,A.,Volbers, N.andMeyer, B.K.,2006.Annealingee ts onVO

2

thinlms depositedbyrea tivesputtering,Thin SolidFilms, 515, 25192522.

[17℄ Caval ante, L.S., Ani ete-Santos, M., Pontes, F.M., Souza, I.A., Santos, L.P.S., I. L. V. Rosa, M.R.M.C.S., Santos-Júnior, L.S., Leite, E.R. and Longo, E., 2007. Ee t of annealing time on morphologi al hara teristi s of Ba(Zr,Ti)O3thin lms, J. Alloy. Compd., 437, 269273.

[18℄ Chrysi opoulou, P., Davazoglou, D., Trapalis, C. and Kordas, G., 2004. Opti al properties of SiO

2

-TiO

2

sol-gel thin lms, J. Mater. S i., 39,28352839.

[19℄ Almeida, R.M.andWang,Z.,2002.Sol-gelpreparationofone-dimensional photoni bandgap stru tures, Pro . SPIE, 4655, 2333.

[20℄ Kozhukharov, V., Trapalis, C., Samuneva, B. and Kirilova, E., 1992. Sol-gelpro essingofmultilayerthin oatings,J.Mater. S i.Lett.,11, 12061208.

[21℄ Biswas, P.K., Kundu, D. and Ganguli, D., 1987. Sol-gel pro essing of multilayerthin oatings,J. Mater. S i. Lett., 6,14811482.

[22℄ Trapalis, C.C., Karakassides, M.A., Kordas, G. and Aslanoglou, X., 1995.Study ofamultilayerwavelength-sele tiveree tor preparedby the sol-gel pro ess, Mater. Lett., 25, 265269.

[23℄ Mennig, M.,Oliveira,P.W.andS hmidt,H.,1999.Interferen e oatings on glass based on photopolymerizable nanomer material, Thin Solid Films, 351, 99102.

[24℄ Hin zewski, D.S., Hin zewski, M., Tepehan, F.Z. and Tepehan, G.G., 2005. Opti al lters from SiO

2

and TiO

2

multi-layers using sol-gel spin oating method, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 87, 181196.

gelporousZnOthinlmsforgassensingappli ations,J.Optoele tron. Adv. M., 9, 13951398.

[26℄ Vi ente, G.S.,Morales, A.and Gutierrez, M.T.,2001.Preparationand hara terizationofsol-gelTiO

2

antiree tive oatingsforsili on,Thin Solid Films, 391, 133137.

[27℄ Ye, C., Pan, S.S., Teng, X.M., Fan, H.T. and Li, G.H., 2008. Preperation and opti al properties of nano rystalline thin lms of ZnO-TiO

2

system, Appl. Phys. A., 90, 375378.

[28℄ Fujibayashi, T., Matsui, T. and Kondo, M., 2006. Improvement in quantum e ien y of thin lm Si solar ells due to the suppression of opti al ree tan eat transparent ondu ting oxide/Si interfa e by TiO

2

/ZnOantiree tion oating,Appl.Phys. Lett.,88,183508(13). [29℄ Chaneliere, C., Autran, J.L., Devine, R.A.B. and Balland, B., 1998. Tantalum pentoxide (Ta

2

O

5

) thin lms for advan ed diele tri appli ations, Mat. S i. Eng. R, 22, 269322.

[30℄ Saygin-Hin zewski,D.,Ko , K.,Sorar, I.,Hin zewski, M.,Tepehan, F.Z.andTepehan,G.G.,2007.Opti alandstru turalpropertiesof Ta

2

O

5

CeO

2

thinlms,Sol.EnergyMater. Sol.Cells,91,17261732. [31℄ Sivakumar, R., Shanthakumari, K., Thayumanavan, A., Jaya handran, M. and Sanjeeviraja, C., 2007. Coloration and blea hing me hanism of tungsten oxide thin lms in dierent ele trolytes, Surf. Eng., 23, 373379.

[32℄ Aliev, A.E. and Shin, H.W., 2002. Nanostru tured materials for ele tro hromi devi es, Solid State Ion.,154-155, 425431.

[33℄ Saygin-Hin zewski,D.,Hin zewski, M.,Sorar, I.,Tepehan,F.Z.and Tepehan, G.G., 2008. Modeling the opti al properties of WO

3

and WO

3

SiO

2

thin lms, Sol. Energy Mater. Sol. Cells,92, 821829. [34℄ Bene, R., Per zel, I.V., Réti, F., Meyer, F.A., Fleisher, M. and

Meixner, H., 2000. Chemi al rea tions in the dete tion of a etone and NO by a CeO

2

thin lm, Sensor. A tuat. B-Chem., 71, 3641. [35℄ Tepehan, F.Z., Ghodsi, F.E., Ozer, N. and Tepehan, G.G., 1999.

Opti alpropertiesofsol-geldip- oatedTa

2

O

5

lmsforele tro hromi appli ations, Sol.Energy Mater. Sol. Cells, 59, 265275.

[36℄ Pehlivan, E., Tepehan, F.Z. and Tepehan, G.G., 2003. Comparison of opti al, stru tural and ele tro hromi properties of undoped and WO

3

-doped Nb

2

O

5

thin lms, Solid State Ioni s, 165, 105110. [37℄ Ozkan, E., Lee, S.H., Liu, P., Tra y, C.E., Tepehan, F.Z., Pitts,

J.R. and Deb, S.K., 2002. Ele tro hromi and opti al properties of mesoporoustungsten oxidelms, SolidStateIoni s, 149,139146.

sol-gel deposited eria lms, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 68, 391400.

[39℄ Pehlivan, E., Tepehan, F.Z. and Tepehan, G.G., 2005. Ee t of TiO

2

mixtures on the opti al, stru tural and ele tro hromi properties of Nb

2

O

5

thin lms, Sol. Energy Mater. Sol. Cells,87, 317322.

[40℄ Ghodsi, F.E., Tepehan, F.Z. and Tepehan, G.G., 2001. Study of time ee t on the opti al properties of spin- oated CeO

2

-TiO

2

thin lms, Sol. Energy Mater. Sol. Cells,68, 355364.

[41℄ Ghodsi, F.E., Tepehan, F.Z. and Tepehan, G.G., 2008.Ele tro hromi properties ofheat-treated thin lms of CeO

2

-TiO

2

-ZrO

2

prepared by sol-gel route, Sol.Energy Mater. Sol. Cells, 92, 234239.

[42℄ Turhan, I., Tepehan, F.Z. and Tepehan, G.G., 2005. Ee t of V

2

O

5

ontent on the opti al, stru tural and ele tro hromi properties of TiO

2

and ZrO

2

thin lms, J. Mater. S i.,40, 13591362.

[43℄ Ko , K.,Tepehan, F.Z.and Tepehan, G.G.,2005.Antiree ting oating fromTa

2

O

5

andSiO

2

multilayerlms,J.Mater. S i.,40, 13631366. [44℄ Thomas, I.M., 1994. Opti al Coating Fabri ation in: Sol-gel Opti s Pro essing and Appli ations, L. C. Klein, Kluwer A ademi Publishers, London.

[45℄ Pedrotti, F.L. and Pedrotti, L.S., 1993. Introdu tion to opti s, Prenti e-Hall, London.

[46℄ Jellison, G.E., Jr. and Modine, F.A., 1996. Parameterization of the opti al fun tions of amorphous materials in the interband region, Appl. Phys. Lett., 69, 371373.

[47℄ Chen, K.M., Sparks, A.W., Luan, H.C., Lim, D.R., Wada, K. and Kimerling, C., 1999. SiO

2

/TiO

2

omnidire tional ree tor and mi ro avity resonator via the sol-gel method, Appl. Phys. Lett., 75, 38053807.

[48℄ von Blan kenhagen, B.,Tonova, D.andUllmann,J.,2002.Appli ation oftheTau -Lorentzformulationtotheinterbandabsorptionofopti al oatingmaterials,Appl. Opt.,41, 31373141.

[49℄ Ferlauto, A.S.,Ferreira, G.M.,Pear e, J.M.,Wronski, C.R.,Collins, R.W., Deng, X. and Ganguly, G., 2002. Analyti almodelforthe opti alfun tionsofamorphoussemi ondu torsfromthenear-infrared toultraviolet: Appli ationsinthin lmphotovoltai s,J.Appl. Phys., 92, 24242436.

[50℄ Cho, Y.J., Nguyen, N.V., Ri hter, C.A., Ehrstein, J.R., Lee, B.H. and Lee, J.C., 2002. Spe tros opi ellipsometry hara terization of high-k diele tri HfO

2

thin lms and the high-temperatureannealing ee ts on their opti alproperties, Appl. Phys. Lett., 80, 12491251.

J.H., 2003. Diele tri fun tions of ferroele tri Bi

3.25

La

0.75

Ti

3

O

12

thin lms on Si(100)substrates, Appl. Phys. Lett., 83, 36863688. [52℄ Wemple, S.H. and Jr., M.D., 1971. Behavior of the ele troni diele tri

onstantin ovalentand ioni materials,Phys. Rev. B,3, 13381351. [53℄ Ko , K., 2004. Sol-gel yöntemiyle hazrlanan SiO

2

Ta

2

O

5

katmanl

yanstmay  kaplamalar,.T.Ü.Fen BilimleriEnstitüsü, stanbul. [54℄ Almeida, R.M. and Portal, S., 2003. Photoni band gap stru tures

by sol-gel pro essing, Curr. Opin. Solid State and Mater. S i., 7, 151157.

[55℄ Kundu, D., Biswas, P.K. and Ganguli, D., 1989. Sol-gel preparation of wavelength-sele tive ree ting oatings in the system ZrO

2

SiO

2

, J. Non-Cryst. Solids., 110, 1316.

[56℄ Rabaste, S., Bellessa, J., Brioude, A., Bovier, C., Plenet, J.C., Brenier, R., Marty, O., Mugnier, J. and Dumas, J., 2002. Sol-gelfabri ationofthi kmultilayersappliedtoBraggree torsand mi ro avities,Thin Solid Films,416, 242247.

[57℄ Zhang, Q., Li, X., Shen, J., Wu, G., Wang, J. and Chen, L., 2000. ZrO

2

thin lms and ZrO

2

/SiO

2

opti al ree tion lters deposited by sol-gel method, Mater. Lett., 45, 311314.

[58℄ Mennig, M., Oliveira, P.W., Frantzen, A. and S hmidt, H., 1999. Multilayer NIR ree tive oatings on transparent plasti substrates fromphotopolymerizablenanoparti ulatesols, ThinSolidFilms,351, 225229.

[59℄ Hammarberg, E. and Roos, A., 2003. Antiree tion treatment of low-emitting glazings for energy e ient windows with high visible transmittan e, Thin Solid Films, 442, 222226.

[60℄ Bautista, M.C. and Morales, A., 2003. Sili a antiree tivelms onglass produ ed by the sol-gel method, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 80, 217225.

[61℄ Vong, M.S.W. and Sermon, P.A.,1997. Observingthe breathing ofsili a sol-gel-derived anti-ree tionopti al oatings,ThinSolid Films,293, 185195.

[62℄ Nostell, P., Roos, A. and Karlsson, B., 1999. Opti al and me hani al properties of sol-gel antiree tive lms for solar energy appli ations, Thin Solid Films, 351, 170175.

[63℄ Vi ente, G.S., Morales, A. and Gutierrez, M.T., 2002. Sol-gel TiO

2

antiree tive lms for textured mono rystalline sili on solar ells, Thin Solid Films, 403-404,335338.

dispersion in spun nano rystalline titania thin lms, Semi ond. S i. Te hnol.,19, 198202.

[65℄ Tau , J., 1974. Amorphous and liquidsemi ondu tors, Plenum, New York. [66℄ Se o, A.M., Gon alves, M.C. and Almeida, R.M., 2000. Densi ation

ofhybridsili a-titaniasol-gellmsstudiedby ellipsometryandFTIR, Mater. S i. Eng. B, 76, 193199.

[67℄ Born,M.andWolf,E.,1987.Prin iplesofopti s,PergamonPress,Oxford. [68℄ ASTM D3359-02.

[69℄ Diaz-Parralejo, A.,Caruso, R.,Ortiz,A.L.andGuiberteau, F., 2004. Densi ation and porosity evaluation of ZrO

2

-3 mol.% Y

2

O

3

sol-gel thin lms, Thin Solid Films, 458, 9297.

[70℄ Chen, D.G., 2001. Anti-ree tion (AR) oatings made by sol-gel pro esses: A review, Sol. Energy Mater. Sol. Cells,68, 313336.

[71℄ Ghamsari, M.S. and Bahramian, A.R., 2008. High transparent sol-gel derived nanostru tured TiO

2

thin lm, Mater. Lett., 62,361364. [72℄ Karunagaran, B., Uthirakumar, P., Chung, S.J., Velumani, S. and

Suh, E.K., 2007.TiO

2

thin lmgas sensorformonitoring ammonia, Mater. Chara t., 58, 680684.

[73℄ Mahalingam, S. and Edirisinghe, M.J., 2007. Chara teristi s of ele trohydrodynami allypreparedtitaniumdioxidelms,Appl.Phys. A, 89, 987993.

[74℄ Verma, A., Kar, M. and Agnihotry, S.A., 2007. Aging ee t of diethanolamine stabilized sol on dierent properties of TiO

2

lms: Ele tro hromi appli ations, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 91, 13051312.

[75℄ G. E. Jellison, J. and Boatner, L.A., 1998. Opti al fun tionsof uniaxial ZnO determined by generalized ellipsometry, Phys. Rev. B, 58, 35863589.

[76℄ Bandyopadhyay, S., Paul, G.K. and Sen, S.K., 2002. Study of opti al properties of some sol-gel derived lms of ZnO, Sol. Energy Mater. Sol. Cells,71, 103113.

[77℄ Gumus, C., Ozkendir, O.M., Kavak, H. and Ufuktepe, Y., 2006. Stru tural and opti al properties of zin oxide thin lms prepeared by spray pyrolyismethod,J. Optoele tron. Adv. M.,8, 299303. [78℄ Dimova-Malinovska, D., Angelov, O., Ni hev, H., Kamenova, M.

and Pivin, J.C., 2007. Inuen e of the substrate temperature on theopti alandstru turalpropertiesofmagnetronsputteredZnOthin lms doped with Al and Er, J. Optoele tron. Adv.M., 9, 25122515.

2001.Li ondu tioninsputteredamorphousTa

2

O

5

,J.ofEle tro hem. So ., 148, A418A421.

[80℄ Chu, A.K. and Chuang, M.J., 2000. Polyimide/Ta

2

O

5

/polyimide antiresonant ree ting opti alwaveguides, IEEE Photoni s Te h.L., 12, 11921194.

[81℄ Kawakami, S., Sato, T., Miura, K., Ohtera, Y., Kawashima, T. and Ohkubo, H., 2003. 3-D photoni - rystal hetero stru tures: Fabri ation and in-line resonator, IEEE Photoni s Te h. L., 15, 816818.

[82℄ Atanassova, E. and Paskeleva, A., 2003. Leakage urrent in thin-lms Ta

2

O

5

onSi-isit alimitingfa tor fornanos ale dynami memories?, J. Mater S i.: Materials in Ele troni s, 14, 671675.

[83℄ Lo,G.Q.,Kwong, D.L.,Fazan, P.C.,Mathews, V.K.andSandler,N., 1993.Highlyreliable,high- dramstorage apa itorswithCVDTa

2

O

5

lms on ruggedpolysili on, IEEE Ele tr. Devi e L., 14, 216218. [84℄ Cava, R.F., Pe k, W.F., Jr. and Krajewski, J.J., 1995. Enhan ement

of the diele tri - onstant of Ta

2

O

5

through substitition with TiO

2

, Nature, 377, 215217.

[85℄ Cava, R.J., Pe k, W.F., Jr, Krajewski, J.J., Roberts, G.L., Barber, B.P., O'Bryan, H.M., and Gammel, P.L., 1997. Improvement of the diele tri properties of Ta

2

O

5

through substitution with Al

2

O

3

, Appl. Phys. Lett., 70, 13961398.

[86℄ Cava,R.J.andKrajewski,J.J.,1998.Diele tri propertiesofTa

2

O

5

ZrO

2

poly rystalline erami s, J. Appl. Phys.,83, 16131616.

[87℄ Gan, J.Y., Chang, Y.C. and Wu, T.B., 1998. Diele tri property of (TiO)

2

(x)(Ta

2

O

5

)(1-x) thin lms, Appl. Phys. Lett., 72, 332334.

[88℄ Cevro, M., 1995. Ion-beam sputtring of (Ta

2

O

5

)(x)-(SiO

2

)(1-x) omposite thin-lms, Thin Solid Films, 258, 91103.

[89℄ Cappellani, A., Keddie, J.L., Barradas, N.P. and Ja kson, S.M., 1999. Pro essing and hara terisation of sol-gel deposited Ta

2

O

5

and TiO

2

-Ta

2

O

5

diele tri thinlms,SolidStateEle tron.,43,10951099. [90℄ Kaliwoh, N., Zhang, J.Y.and Boyd, I.W., 2002. (Ta

2

O

5

)(1-x)(TiO

2

)(x) depositedby photo-indu ed CVDusing 222nm ex imerlamps, Appl. Surf. S i.,186, 246250.

[91℄ Kaliwoh, N., Zhang, J.Y. and Boyd, I.W., 2000. Photo-indu ed preparation of (Ta

2

O

5

)1x(TiO

2

)x diele tri thin lms using sol-gel pro essing with xenon ex imer lamps,Appl. Surf. S i., 168, 1316. [92℄ Zhu, Z.F., Yu, F., Man, Y., Tian, Q., He, Y. and Wu, N.,

2005. Preparation and performan es of nanosized Ta

2

O

5

powder photo atalyst,J. of Solid StateChem., 178,224229.

ele tro hromi oatingsprodu edusingsol-gelte hniques,Sol.Energy Mater. Sol. Cells,31, 921.

[94℄ Granqvist, C.G., 2000. Ele tro hromi tungsten oxide lms: Review of progress 1993-1998,Sol. EnergyMater. Sol. Cells, 60,201262. [95℄ Livage, J. and Ganguli, D., 2001. Sol-gel ele tro hromi oatings and

devi es: A review, Sol. Energy Mater. Sol. Cells,68, 365381. [96℄ Niklasson, G.A. and Granqvist, C.G., 2007. Ele tro hromi s for smart

windows: thin lms of tungsten oxide and ni kel oxide, and devi es based onthese, J. Mater. Chem., 17, 127156.

[97℄ Klis h, M., 1998. 12-tungstosili i a id (12-TSA) as a tungsten pre ursor inal oholi solutionfor depositionof xWO(3)(1-x)SiO2 thinlms (x <= 0.7) exhibiting ele tro hromi oloration ability, J. Sol-Gel S i. Te hn.,12, 2133.

[98℄ Wang, X., Sakai, G., Shimanoe, K., Miura, N. and Yamazoe, N.,

Belgede Optik Filtre Uygulamaları İçin Katmanlı Ve Katkılı Metal Oksit Filmlerin Oluşturulması (sayfa 85-99)