• Sonuç bulunamadı

DPO lSI lSI

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "DPO lSI lSI"

Copied!
16
0
0

Yükleniyor.... (view fulltext now)

Tam metin

(1)

DPO Fen Bilimleri EnstitosO Dergisi 5. SaYI (Arallk 2003)

Elektron I¥in Kaynak Yiintemi M. Aydin

ELEKTRON I~IN KA YNAK YONTEMi

M. AYDIN*

Ozet

Elektron ism kaynak yonterni ergitme ve kau hal kaynak yonternleri ile elde edilemeyen mekanik ve mikroyapi ozelliklerin elde edilmesi icin kullarulan bir ileri kaynak teknolojisidir. Elektron ism kaynak teknolojisinde dusuk lSI girdisi ve elde edilen kaynak mukavemetleri dikkatleri bu kaynak yonterninin kullamrmna yoneltrnistir. Yontemin pahah olmasi endustrideki kullarnrn alanlanm krsitlamaktadrr, Bu yontemin daha iyi tamnlmasr, avantaj ve dezavantajlannm bilinmesi, mevcut kullarum alanlanmn artrnasma yardimci olacaknr,

I. Giri~

Elektron

ism kaynagi

diger geleneksel kaynak yontemleri ile elde edilemeyen teknik ozellikleri elde etmek icin kullarulan bir teknolojidir [I]. Bu kaynak yontemi, olusan dusuk lSI girdisi ile, kalmn gerilmeler ve distorsiyonlann ve de mikro yapisal degisimlerin minimize edilmesi bakirmndan bazi durumlarda vazgecilernez [2,3].

Elektron rsm kaynagi uygulamalan ilk olarak 1950'Ji yillarda niikleer alanda kullamlmaya baslanrrus, refrakter ve reaktif malzemeleri birlestirmek icin uygulamalar

yaprlrmsnr.

Daha sonralan otomotiv endiistrisinde 1967

yrlmda

ABD ve sonra da diger Avrupa iilkelerinde kullarulmaya baslanrmsnr. Otomotiv sektorunde ise ilk olarak volan Uzerine dislileri kaynaklamak icin Michigan'da kullarulrmsnr. Avrupa'da da iiylii

hiz

disli kutusunda frenleme bandmm iki

parcasim

kaynatmak icin Almanya,'da

uygulanrmstir.

Transmisyon, hrz dislilerinin ve senkronize dislilerinin

kaynagim

iceren uygulamalar bu yonternle

yapilrmstir

[4].

Elektron

ism

kaynak yontemi gelismekte ve bir cok endustrilerdeki uygulamalan artmaktadir. Farkh metallerin elektron ism kaynagi (EBW) kullarularak birlestirilmesi son yillarda ilgi cekici bir konu haline gelmistir. EBW'nm yUksek enerji yogunlugu, kontrol edilebilir ism boyutu ve kaynak bolgesi, benzer veya farkh metallerin kaynagmda bu kaynak yontemini onernli hale getirrnistir [5].

Anahtar Kelimeler: Elektron Ism Kaynagi, Ergitme Kaynak Yonterni

(2)

DPU Fen Bilimleri EnstitosO Dergisi 5. SaYI (Arallk 2003)

Elektron I§in Kaynak Yiinlemi M. Aydin

Elektron ism kaynagi bir ergitrne kaynak yontemi olmasina ragmen, geleneksel kaynak yonternleri ile karsilastmldigmda ustun ozelliklere sahiptir [6]. Kaynak islemi esnasmda az sayidaki kaynak pasosu buyuk bir avantaja olup, toplam maliyet acismdan ekonomiktir [7].

2. ELEKTRON IS IN KA YNAK YONTEMi

Elektron

ism

kaynagmda diger ergitme kaynak yontemlerinden farkh olarak derin bir nufuziyet elde edilir [8]. Elektron ism kaynaginda elde edilen derin nufuziyet, yuksek

hiza cikartilrms

olan elektronlann ana metale vurusuyla elde edilir (Sekil I).

Elektronlann carpngi noktalarda onemli sicakltk arnsi, ana metalde ergimeye ve buharlasmaya neden olur. Olusan metal buhan icerisinden elektron ismlan katr metalde oldugundan cok daha kolayca hareket ederler [9]. Bu da ana metalde daha derinlere nufuziyeti saglar CSekil 2) [10].

yu.ksek gerilim giri~i getilirn

t.ub u

.4 -kat o d

~ '!=.;---ano

d

prizma el ektro nl~1J:ll

-

-!Ire --- fElh

/"

\ ,..., -- odaklama bobini

sozetleme

CJ \

Io...ooJ --

.ele skob'u 0 \.; 0 -- s ap tirma bobini

~. _ol

\

.

'.-

b~i;;par'fasl

Vakum odasi

Sekil I. Elektron

ism

kaynak vonteminin sernatik olarak gosterilmesi,

Elektron

ism

kaynak yontemi ile diger ergitmeli kaynak yontemlerinin nufuziyet karsilastrrmasi ve kaynak islemi icin parca kahnligma bagh olarak kaynak yontemlerinin gerektirdigi kaynak pasosu

karsrlastrrmasi

Cizelge 1 de verilrnistir [11] .

(3)

DPO Fen Bilimleri EnstitOsO Dergisi 5. SaYI (Arallk 2003)

Elektron I~in Kaynak Yiinlemi M. Aydin

Elektron 1~U11

Ergiyik btrle srne

arayOzeyi

, ,

asrna deligi

Birlasrne eri

Parca ilerleme yonu

Sekil 2. Elektron ismkaynagmm ergime bolgesi.

Cizelge I. Parca Kahnhgma Bagh Olarak Kaynak Yontemlerinde Kaynak Pasosu Adetleri.

Kaynak Yontemlerine Gore Kaynak Pasosu Adetleri Par~a

EBW TIG Elektrik Ark MIG Tozaln

Kahnhklan

200mm I 280 180 80 60

100mm I 140 80 32 25

35mm I 50 30 25 --

Elektron ism kaynagi, yuksek performans istenen malzernelerin kaynagi

icin

ozellikle kullamlan bir kaynak yontemi olup avantajlan asagrda

verilrnistir,

1- Derin nilfuziyeti; bu kaynak yonteminde ergime bolgesi, kaynakh bolgenin sadece %5- 10 kadar bir bolgesini kapsar. Sekil 3.'de geleneksel Tungsten Inerts Gas (TIG) kaynak yontemi ile Elektron

ism kaynagi

yontemleri ile

yapilan

kaynagm ergirne bolgesi ve nufuziyeti karsilastmlrms.

2- Kaynak yapilacak plakalann kahnhklan suurh bile olsa yuksek gil9 yogunlugu ve dusuk gU9 yogunlugu saglanabilrnekte, ark kaynagma gore yuksek dayamrn ve dil~ilk ic gerilrneler elde edilmektedir. Sekil 3.'de TIG

kaynagi

ile 30rnm HYl30 celigini 48 pasoda kaynaklanabilirken, EBW ile bir pasoda kaynak yap rna imkaru vardir. Baska bir onernli avantaji da, ostenitik paslanrnaz celiklerin kaynaginda, dusuk lSI girdisi sayesinde kaynak bolgesinde olusan kaynak

catlagi

riski azalnlmaktadir. Aynca kaynak sonrasi gerilrne giderme tavlamasi islemine gerek kalmamaktadir. Cizelge 2'de cesitli kaynak yontemlerine gore lSI girisi ve enine

(4)

DPO Fen Bilimleri Enstitlis(i Dergisi 5. Sayl (Arallk 2003)

Elektron I§in Kaynak Yiintemi M. Aydin

buzulme degerleri verilmistir, Burada EBW ile yapilan kaynaklardaki lSI

girdisi ve enine meydana gel en buzulmedeki farkhhk acrkca gorulmektedir [ II].

Sekil 3. TIG kaynagi ile elektron ism kaynagmm kaynak bolgesi genislik ve nufuziyet karsrlasnrmasi [I 1].

3- EBW ile

yapilan

kaynaktaki enine ve boyuna bUzUlme

degerleri,

ark

kaynagi

ile yapilan kaynagin %IO'u kadardir.

4- Ark kaynagi ile karsilasnnldigmda, EBW kaynagi btitUn malzemelerin kaynakh birlestirmesine uygundur. Aynca benzer veya farkh malzemelerin kaynagma elverislidir,

Cizelge 2. Cesitli Kaynak Yonternleri iIe Yapilan Kaynaklardaki lSI Girdileri Ve Kaynaktaki Enine Buzulme Miktarlan

Kaynak metodu Parca kahnh21 (mm) lSIGiri~i (kj/mm) Enine Biiziilme (mm)

EBW 12 0.2-0.5 0.06-0.07

Elektrik Ark Kaynagi 12 3.0-3.2 0.8-0.9

Daldirrna ArkKaynagi 12 5.6-6.0 0.75-0.8

TIG 12 1.2-1.3 0.38-0.42

Bu kaynak yonterninin gorulen bu avantajlan yeni kullamrn alanlanmn artmasma neden olmustur. Altiminyum ve alasirnlannm da geleneksel kaynak yontemleri ile

kaynaklanmasi

zordur. Geleneksel kaynak yontemleri ile kaynanlamayan malzemelere 7075 altiminyum alasimlan ornek verilebilir. Bu alasimm geleneksel kaynak yontemleri ile kaynagmda, kaynakta asm cekme ve kaynak catlaklan meydana gelmektedir. Ozellikle 7075 alasnmrun EBW ile kaynagmda nufuziyet ana alasim elementi Cu olan 2XXX serisi aluminyum alasrrrundan cok daha iyidir. Bu da yuksek buharlasma basmcma sahip olan cinko ve magnezyumdan dolayi saglanmaktadir. Diger yandan mekanik ozelliklerine bir goz atildrgmda, ana metalin uzama gerilmesi ile elektron ism kaynakh 7075 alasnm arsrlastmldigmda, kucuk uzama ile oldukca sunek bir kmlma meydana gelrnistir.

Kaynagm kinlma toklugunun, ana malzemeden daha yuksek oldugu belirtilmektedir [12].

(5)

DPO Fen Bilimleri EnstitOsO Dergisi 5. Sayl (Araltk 2003)

Elektron I§in Kaynak Yontemi M. Aydin

Gunumuz teknolojisi hrzla gelismekte ve yeni malzemeler Uretilmektedir. Metal matrisli kompozitler de (MMC) bu yeni malzemelerdendir [13]. MMC yapi malzemeleri olarak popUlaritesini gittikce artirmaktadir ve kompozit malzemelerin birlestirilmelerinin onemi de gittikce artmaktadir [14,15,16]. Kompozit malzemelerin kullamm alanlan artng: icin optimum birlestirme tekniklerinin belirlenmesi gerekir [17]. Bu malzemelerin birlestirilmesi icin de; tungsten inerts gaz kaynagi, elektron ve lazer ism kaynagi, direnc kaynagi, plazma kaynagr, difilzyon kaynagi, sUrtUnme kaynagi, lehimleme, adhesive birlestirrne yontemleri vb uygulamalar vardtr [17]. MMC'lerin ve farkh malzemelerin birlestirilmesinde kullamlan kaynak yontemlerinin 1985-1994 yillan arasmdaki kullammlanndaki artrs Sekil 4 de gosterilmistir. Farkh metalleri birlestirmek icin sUrtilnme, basmc, direnc, difilzyon, lehimleme gibi kaynak yontemleri kullarulmakta olup birlestirme esnasmda ana metal kan halde oldugu icin ergime problemleri elimine edilebilir [16]. Bu bakimdan bu kaynak yontemleri ergitme kaynak yontemlerinden daha avantajhdir [18]. Son yillardaki elektron ism kaynaginm kullammmdaki artisa sebep olarak; EBW ekiprnanlanndaki hizh artis, EBW ile gerceklestirilebilen yuksek kalite, diger geleneksel kaynak yontemleri ile gerceklestirilerneyen ozel islernler, toplam ilrilnde bu yontem ile elde edilen ekonomik avantajlardir [18]. Genellikle, EBW yUksek vakum altmdaki (1 xl 0-4 torr) basmc kosullannda uygulanrnaktadrr.

Cunku elektron isuunm elde edilmesi icin vakum odasi gereklidir. Fakat bunun yamnda buyuk parcalann kaynagmda kaynak odasi vakum basincmm, kaynak tabancasi bolgesindeki kadar yuksek olmasma gerek yoktur.

ls

parcasmin bulundugu bolge bazi durumlarda vakumsuz ortam olabilir [19].

Sekil 4. 1985-1994 yillan arasmda farkh metallerin birlestirilmesinde kullamlan kaynak yontemlerinin yillara gore kullarumlanndaki arttsi gorulmektedir,

(6)

DPO Fen Bilimleri EnstitOsO Dergisi 5, Say' (Aralik 2003)

Elektron I§in Kaynak Yiinlemi M, Aydin

2.1. Elektron Ism Kaynak Yonteminin Cahsma Prensibi

Genel olarak elektron ism kaynagi (EBW), magnetik lensler vasitasiyla odaklanrms olan bir anot icerisinden elektronlarm pozitif voltaj egilimi ile olusan ismlar kullarularak yapilir veya manyetik lenslerle odaklanrms bir anot icerisinden pozitif voltaj kullamlarak elde edilen ismlar kullarnhr [17]. Kaynak isleminde kullamlan tabancalar, X-I~mlan ttiplerinde kullamlan tabancalara benzer olup, X-

isrm

tupu elektronlan tungsten veya molibden ile hedeflenip odaklarnr. Kaynakta hedef parca asm steak olup su sogutmalidir. Elektron ism kaynagi makinalanrnn li~ ana elernaru vardir. Bunlar; I-Elektron ism tabancasi, 2-Gli~ saglayici kontrolu, 3-i$ parcasi vakum odasi ve el takimlandrr [10]. Elektron ism kaynagmm lSI girisi ise dort sekilde kontrol edilebilir. Bunlar; 1- ism akrrm veya i$ parcasma ikinci elektron vurusunun yuzdesi, 2- dakikada vurus yapan elektronlann hizr, artmlmrs voltaj, 3- ism ile is parcasi arasmdaki mesafe, 4- kaynak hizi veya elektronlann ilerleme hizrdrr. Normalde elektron isuu akirm 250-1000 miliamper oranlannda olup, ismm akirrn 25 miliampere kadar dusurulebilir. Ismlann ilerleme hrz: ana metalin kalmligma bagh olarak ayarlanabilir. Malzemeye nufuziyet, isirnn akrrm ile ilgilidir.

Ism akrrm arttikca nlifuziyeti artar. Diger bir degisken ilerleme hrzi arttikca da nufuziyeti azalir. Guc yogunlugu 4-400 kw/mm ' ile ifade edilir ve bu islern bir vakum icerisinde yapihr. Olusan lSI sebebiyle elektronlann metal yuzeyine hlicum etmesiyle bir enerji olusur ve bu enerji kaynak islemi icin kullamhr. Bu elektronlar metal yuzeyine isinm etkisiyle nufuz ederler ve kaynak islerni icin enerji elde edilmis olur. Elektron ismlanrun gli~ yogunlugu yaklasik 106Wcm·2 dir ki bu TIG kaynaginda 102 W cm-2 dir [17]. Elde edilen bu guc yogunlugu ile tabancadan bir metre uzakliklara kadar cahsma imkarn saglarur. Elektron ism kaynagmda cok dusuk lSI girisi ile bu yuksek nufuziyet, isidan etkilenen bolgede ark kaynagmda oldugundan cok daha kucuktur. llaveten paralel aim kaynaklarda distorsiyon hemen hemen minimumdur. Soguma oram bir cok malzeme icin cok yuksektir ve yuksek karbonlu celikler icin bu bir dezavantaj olup, catlarnayla sonuclanabilir. Normal cahsrnalarda ilave dolgu malzemesi kullarulrnamasma ragmen, kullamlmasi gerektigi durumlarda, ilave metal kullarurmna mlisaittir. Elektron ismlarmm lSI konsantrasyonu, gaz alevi ve elektrik arkt ile olusan lSIyogunlugunun 10000 misli daha yuksektir, Elektrik ark kaynagmda yuzeye birakilan lSI yartrn daire seklinde bir yuzeye dagilirken, elektron ismmm yuksek lSI yogunlugu sebebiyle, parcarnn derinliklerine nufuz eden kanal seklinde bir lSIdagrhmi ortaya crkar [20]. Elektron ism kaynagmda, 1$111111 elektronlan yaklasrk ses hrzmm %70'i bir hizla hareket ederler [21], Elde edilen toplam enerjinin %65'i isiya donusur, Bu oran Lazer ism kaynagmda da (LBW) yaklasik aynidrr. Diger geleneksel kaynak yonternlerinde bu oran cok daha dusuktur ve de yuksek enerji yogunlugu digerlerinde oldugundan cok daha yuksektir [22]. Cizelge 3'de kaynak yonternlerine gore lSI kaynaklannm guc yogunluklan gorulrnektedir [17]. EBW de elde edilen yuksek lSI yogunlugunda elektronlar isrlanru birakmadan once, parcamn derinliklerine nufuz eden bir buhar tesekkul ettirirler. Bu ylizden kaynak profili derinliginin ortalama genisligine orarn, 2511 'e kadar cikar. Elektron 1$1111 ile mikron mertebesinden 100 mm kalmhklara kadar levhalann tek paso ile kaynagi murnkun olmaktadir. Diger kaynak yonternleri ile bu kadar kahn levhalann tek paso ile kaynaklanmasi mlimkUn degildir [20].

(7)

DPU Fen Bilimleri EnstitOsO Dergisi 5. Sayl (Arallk 2003)

Elektron I§in Kaynak Yonlemi M. Aydin

Elektron ism kaynagmm iki temel cesidi vardir. Birincisi dusuk voltajh sistemlerdir ki bunlar 30 kV (30.000 Volt) - 60 kV (60.000Volt) degerleri arasmdadir. lkincisi de yuksek voltajh sistemlerdir. Bunlar da 100 kV (100.000 Volt) - 200 kV (200.000 Volt) oranlan arasmda bir voltajla calrsirlar. Ism ise 100 kW gucundedir, Dusuk voltajh cihazlar daha cok yuksek ve orta vakum islernleri icin uygundur. Vakumsuz elektron tsm kaynagmda minimum 130-175 kV yuksek voltaj kullamhr [23].

Cizelge 3. Kaynak Yonternlerine Gore lSI Kaynaklarmm Guc Yogunluklan Kaynak islerninin lSI kaynagr Gii~ yogunlugu (W/mm )

10

30

Argon ark kaynagi (200A) 150

Elektron ism kaynagi (darbeli) (silrekli) Laser ism kaynagi (darbeli) (surekli)

105_1011

103_107

Bir elektron ism kaynagimn kontrolu icin temel elamanlar olarak; voltaj, ism akim ayan, kaynak hrzi, odaklama akrrm, tabanca kolu ve ayarlama kolu sayilabilir,

i~

parcasuun yerine konulduktan sonra ayan yapilan spot boyutu sunlarla belirlenebilir;

elektron kaynak tabancasimn karakteristikleri, mercegin odaklanma mesafesi ve isrmn odaga yerlestirilmesi ile kontrol edilebilen odaklama akrrm, tabanca ve is parcasi arasmdaki mesafe, hrzlandirma voltaji, ism akrrnrdrr. Bu sayilanlann her biri ismm son spot boyutunda etkilidir. Voltajm hrzlandmlmasi veya ism akrs hizmm artinlmast ile nilfuziyette artar. Ismin giicii girilen ismlama silresi ile metal ergiyik miktanm belirler. Kaynak hizmm artist, is parcast ile ism spotu arasindaki ilerleme hrzi iliskisi diger islern degiskenlerinin hicbirinde degisrnezken, nufuziyetin derinligi ve kaynak genisligi uygun sekilde azahr. Sekil 5'de EBW kaynak yonteminin cesitleri ve ana parcalan sernatik olarak gortilrnektedir [24].

2.2. Elektron Ism Kaynagi Yonteminln Cesitleri 2.2.1. Yiiksek vakumlu elektron I~Inkaynagi (HV-EBW)

Elektron tsm kaynagi, elektron ismlan havayla kolayhkla saptiklan icin ilk olarak vakumda yapilmtsnr. Yiiksek vakumlu sistemde is parcasindan 662 mm 'ye kadar elektron isinlan toplatilabilmektedir. Yuksek vakumla kaynatilabilecek malzeme kalmhgi 150mm 'ye u h~ilmaktadlr. Bu yontemde is parcasmm oldugu bolgede basmc 10-6_10-4 torr araligmdadrr. Burada hem ism hem de kaynakla birlestirilecek malzeme bu vakum icerisindedir, Basinc odasi, ideal bir birlesme icin cevrenin oksijen ve hidrojeninden korunrnakda kullarulrr. Bu tur kaynaklar genellikle nukleer sanayi, ucak sanayi, uzay sanayi, fuze yapirm, elektronik sanayi ve jet motoru parcalarmm kaynaginda kullaruhr. Zirkonyum ve titanyum gibi oksijen ve hidrojen ile reaksiyona girebilen metallerin, vakurnsuz veya orta vakum ilzerindeki basmc ortamlannda kaynaklanmasi gerekir. Basmc degeri sadece 10-3 torr altmda oldugunda cevrenin oksijen ve hidrojeni kaynaga olurnsuz etki eder [19,22J.

(8)

DPO Fen Bilimleri EnstitosO Dergisi 5. Sayl (Arallk 2003)

Elektron I§in Kaynak Yiintemi M. Aydin

YOksek vakum Orta vakum Vakumsuz

Sekil 5. Elektron ism kaynagi cesitleri ve ana parcalannm sematik gorunumu.

YUksek vakumlu elektron ism kaynagi ile yapilan bir kaynakta, kaynak

genisliginin

kaynak nufuziyetine oramrun 5011 'e

ulasngi

cihaz ureticisi firmalar tarafmdan belirtilmektedir. HV-EBW kaynak yontemi ile yapilrms bir kaynagin mikro yapisi Sekil S'da gorulmektedir.

A B

Sekil 6. HV-EBW kaynak yapilrms bir parcarun mikro yaprsi. A-DU~Ok distorsiyon ve minimum mikro yapidaki

degisirn-minimum

lSI girisi. B-EBW ismlannm yogun

lSIgirisi ile dar ergime ve kontrol edilrnis nufuziyet derinligi.

2.2.2. Orta- kismi vakumlu elektron I~mkaynagr (MV-EBW)

Orta vakumda EBW kaynak yonteminde 75xlO·3 torr kaynak cahsma basmci uygulamr veya diger bir deyisle 3x 10.3 - 3xlO-1 torr basmc arahgrnda top lam parcah vakum basmc ortarm secilir. Isuun uretildigi tabanca unitesi, yuksek vakumda oldugu gibi 10.5 - 10.4 torr basmc arahginda tutulur [25]. Buradaki basmc bir difilzyon pompasi ile saglamr. Orta vakumlu sistemde is parcasi-tabanca mesafesi 304 mm civanndadir. Bu yontem ile kaynaklanacak parca kahnhgi 50 mm'dir, Orta vakumda elektron tabancasi ile is parcasi

odast

kucuk bir delik ile birbirinden aynlmisnr [10]. YUksek vakumlu EBW ile karsrlastmldiginda, orta vakumda kaynagin en onemli avantaji, kaynak icin kisa sureli bir vakumlama yaprlmasrdir. Bu da genel amach bir Unite icin genellikle 40 sn 'yi gecmez. Ozellikle ozel tasarlanrms uniteler icin en kisa pompa vakum suresi 5 sn'den daha fazladtr. Buna gore MV-

(9)

DPU Fen Bilimleri EnstitOsO Dergisi 5. SaYI (Arahk 2003)

Eleklron I§in Kaynak Yiinlemi M. Aydin

EBW minimum hacimli bir Unite kullanarak kutle parca Uretimlerine uygundur [19].

Oretilen parca boyutuna bagh olarak elle kumanda edilen cihazlarda yaklasik olarak saatte 60 parca, otomatik kontrollu makinalarla 600-1500 civannda parca birlestirilebilrnektedir.

Orta vakumlu ile vakumsuz elektron ism kaynagi karsilastmldrgmda, orta vakumlu kaynak yonteminde kaynak odasi ve vakum pompasi ihtiyaci nedeni ile parca boyutu smtrhdrr. Aynca ism demeti sapmasi ve titresimi vakumsuzda olrnadigmdan, orta vakumluda bu bir dezavantajdir. Elektron 1~1Il kaynagmda kaynak islemi esnasmdaki kaynak odasi basmcrmn kaynak nufuziyetine etkisi Sekil 7 de verilmistir [19].

(':)

I ,~

,

y

0.1 mikronHg 50 100

10'" 10.3 5XIO·2 10"

200 300

2XIO" 3X10'

Sekil 7. Elektron ism kaynagmda kaynak islerni esnasmdaki kaynak odasi basmcimn kaynak nufuziyetine etkisi.

2.2.3. Vakumsuz elektron ism kaynagi (NV-EBW)

Elektron ism kaynagi hakkmda yapilan son calrsmalarda, vakumsuz elektron ism kaynak yonterni gelistirilrnistir. Yiiksek ve orta vakumlu kaynaklarda vakum ile koruma saglarnrken, bu yonternde kaynak korumasrzdrr. Vakumsuz elektron ism kaynagi ilnitesi yatay ve dusey olarak montaj edilip kullarulabilir, Unitenin 1~1Ilgucu seviyesi 35 kW'dan daha buyuktur. Bu sisternde is parcasi ile elektron ism tabancasi mesafesi 37mm olmak zorundadrr. Maksimum kaynaklanabilecek parca kahnhgi 50 mill kadardir. Ismm %90'1 verimli olarak kullarnhr. Vakurnsuz elektron 1~1Ilkaynagi (NV-EBW) ile iiretilen parca sayisr, orta vakumlu ve yuksek vakurnlu kaynak yontemleri ile ilretilenden daha fazladir. Bu avantaji, kaynak tabancasi ve kaynak odasmm her bir parca icin vakumlanmasi gereken sure ve iscilikten dolayidrr.

Parcalar tek basma atmosfer sartlarinda kaynak yapildrgmda, pratik olarak vakurnsuz islernde calisma uzaklrgi, 9-22mlll gibi bir oranla sirurlandmhr. Bu calrsma arahgi helyum gibi koruyucu gazlar ile korundugunda 25-50mm civanndadir [26J. BlI yuzden bir cok ticari NV-EBW Uniteleri helyum korumah olarak kullarnhrlar. BlI da elektron ismlannm havadaki yaymurum azaltir. Sekil 8. 'de farkl: guc seviyeleri ve parca-tabanca uzakliklan icin, hava ve helyum ortarmnda kaynak hizirun nufuziyete etkisi verilrnistir.

(10)

DPQ Fen Bilimleri EnstitOsO Dergisi 5, Sayl (Arallk 2003)

Elektron I~inKaynak Yiinlemi M, Aydin

Hava Helyum

50 Hareket hizi, ipm

75 50

Hareket hizr, ipm 7')

s Sekil 8. Farkh guc seviyeleri ve parca uzakliklan icin, hava ve helyum ortammda kaynak hizmm nufuziyete etkisi

Vakumsuz elektron ism kaynagi ile yapilan kaynagm, kaynak ozellikleri vakumda yapilan kaynaktan daha dusuktur. Genellikle NV-EBW 'de dolgu metali kullamlrnaz, Uygun dolgu metalinin kullarulrnasr, kaynak kalitesine yardrmci olacaktir. Bununla birlikte birlesme uyusmazhgi veya kaynak catlamasma karst ilave metal secirni cok onernlidir. Vakumsuz elektron ism kaynagmda, kuru filtrelenmis hava veya helyum, argon gibi inert gazlar, i~ parcasi ile elektron tabancasi arasmdaki bolumden gecirilir. NV-EBW'da nufuziyet yaklasik olarak 3/8 -I in.

arasmdadir. Maksimum nufuziyete ulasmak icin kaynak hizirun azalnlmasi gerekir.

Bu islern de maliyeti arnracaktir [27]. Sekil 9 da kaynak hizmm niifuziyete etkisini gosterrnektedir. Burada kaynak hrzrrun artrsma paralel olarak niifuziyette de azalma gorulmektedir. Aynca Sekil I O'da degisen is parcasi ile tabanca mesafesinin kaynaga etkisi gorulmektedir, Tabanca i~ parcasmdan uzaklastmldikca kaynagin niifuziyetinde azalma gorulmektedir.

Ism gucu, kW

7,62

\ \. ./

IAI

I

,

...<,

-,

;;eli

... ..;s

--

6,35 5,08

§:. 3 8

.~

~2.54 Z 1.2

00 200400 600 800 100 120 Kaynak hiz: (iprn)

Sekil 9. Elektron ismkaynak yonteminde kaynak hrzrnm nufuziyete etkisi.

(11)

DPU Fen Bilimleri EnstitOsO Dergisi 5. SaYI (Arallk 2003)

Elektron I~in Kaynak Yiintemi M. Aydin

Kaynak metali Kaynak metal i

... _- __

Aluminyum alasrrru:

2219, kahnhk: 6.35mm

Minimum i~parcasi arahgi Maksimum isparcasi arahgi

Sekil 10. EBW'de degisen i~ parcasi ile tabanca mesafesinin kaynaga etkisi Kaynakta olusan buzulme bakimmdan karsrlastirma yapildigmda, 2219 altiminyum alasimlan ytiksek vakumlu kaynakta 0.003 - 0.005 in, vakumsuz yuksek lSI girdili kaynakta 0.014 in. ve normal bir tungsten ark kaynagmda 0,030 in. olarak tespit

edilrnistir [19]. .

2.3. Elektron I~ID Kaynak Yonteminin Avantajlan

Elektron rsm kaynagimn en onernli avantajlarmdan birisi, elektrik ark kaynaginda gerekli olandan daha az bir toplam lSI girdisi ile kaynak yapilabilrnesidir. Isrdan etkilenen bolgede (HAZ- Heat effected zone) cok dusuk lSI girisi ve i~ parcasmda daha az bir termal etki fark edilmektedir [19,22]. Bu yontemin avantajlan olarak [4,21];

1- Kaynak esnasmda minimum distorsiyon ve cekrne, kaynak ile mekanik ozelliklerin degismernesi, kaynak bolgesindeki bilesenlerde isiya duyarhligm azaltmasi,

2- Ark kaynak islerni ile kaynaklanamayan farkh metallerin kaynaklanabilmesi, 3- Refrakter malzemelerin kaynagtrun yapilabilmesi,

4- Diger kaynak yonternlerine nazaran kaynak hizrrnn daha yuksek olusu, toplam uretimde zamandan ve maliyetten avantaj

saglamasr,

kaynak genisliginin ve nufuziyetinin ayarlanabilmesi,

5- Yuksek enerji yogunlugu ve kontrol edilebilir

ism

boyutu ve kaynak bolgesi sayesinde benzer veya farkh metallerin kaynagma en uygun kaynak yonterni olmasi,

6- Vakumsuz elektron

rsm

kaynaguun atmosferde yapilabiliyor

olmasi,

7- Aynca tel besleme sistemine de adapte edilebiliyor olmasi, delik ve bosluk problemlerinin uygun sekilde kaynakla birlestirilmesine olanak vermesi, 8- Elektron ism kaynagi ile kaynak islerninde diger kaynak yonternlerinde oldugu gibi kaynak bolgesinde bir rnikroyapi donusurnu meydana gelmemesi olarak sayilabilir,

2.4. Elektron I~ID Kaynagimn Dezavantajlan

Elektron ism ·kaynagl diger kaynak yonternleri ile karsrlasnnldigmda, ilk yatmm mali yeti oldukca pahalrdir [10]. Fakat yuksek enerji yogunlugu ile diger yonternlerin toplam urun adedine bakrldigmda 0kadar da pahali olmadigi gorulecektir.

(12)

OPU Fen Bilimleri EnstitOsO Oergisi 5. SaYI (Arallk 2003)

Elektron I§in Kaynak Yiintemi M. Aydin

Parca ve takim hazirhgi mali yeti ark kaynagindan daha fazladir. Cunku birlestirme boslugu ve pozisyonu elektron ismmm spot boyutu ile iliskilidir, bu da sureyi ve maliyeti artiracaknr.

Kullarulan vakum odasi, is parcasi boyutunu krsitlar. Ulasilabilecek maksimum nUfuziyet 25-35mm kalmhklar icin 60-165 kV'luk bir makine ile sunrlandmlrmstir,

Ergitme kaynak yonternleri ile farkh metallerin kaynagmdaki problemler, EBW yonterninde de ortaya cikabilir, vakum odasi, malzeme dizayni veya tasanmrrn ktsitlar, az sayidaki parcalann uretirninde sure daha da artacaknr,

i~

parcasi ve elektron

rsm

tabancasi arasidaki maksimum cahsma arahgi NV- EBW'de yaklasik olarak 9.5 mm ile smrrlandmlmisnr,

Kaynakta bir problem ise, sade karbonlu celiklerin kaynaginda vakum ortarmnda ergiyikte meydana gelen, metalin orijinal bunyesindeki gazlar, gozenek olusumuna neden olur. Eger dezokside metaller kullanrlmarmssa islern uygun degildir [10].

2.5. Elektron I~Jn Kaynak Yonteminin Kullarum Alanlan

Elektron ism kaynagmm potansiyel kullarnrn alanlanna genel olarak; uzay sanayi, ucak sanayi, otomotiv endustrisi, elektronik ve bilgisayar endustrisi, spor malzemeleri, gemi sanayi, roket ve fuze yapirm vb alanlan sayabiliriz [28]. Elektron ism kaynagi katalitik konvertorlerde, dokulmus alUminyum manifoltlarda, direksiyon kolunda, senkronize dislilerde, kiranklarda, vb yerlerde kullarulmaktadrr.

Yine bu kaynak yonterni ile dusuk, orta ve yuksek karbonlu celikler, takirn celikleri,

lSI direncli alasimlar, refrakter metaller, alUminyum ve alasrmlan, bakir ve alasirnlan, magnezyum ve alasimlan, titanyum ve alasrrnlan, zirkonyum ve alasimlan, farkh metallerin kaynagi, super alasimlar, reaktif malzerneler ve paslanrnaz celikler ve diger bir cok malzernenin kaynagi murnkun olmaktadir [29].

Hernen hemen butun metaller ve kompozit malzerneler elektron ism kaynak yontemi ile birlestirilebilrnektedir [10].

3. SONUGLAR

Elektron 1~1I1kaynak yonterni hakkmda yapilan bu derlernede, bu kaynak yonterninin bir ergitme kaynak yontemi olmasma ragmen diger yonternlerden daha ustun mekanik ve mikroyapi ozellikleri verdigi gorulrnustur. Olusan yuksek lSI girdisi ile otomatik kaynaklarda daha fazla sayrda parca uretilebildigi, dolayisiyla daha ekonomik oldugu gorulmustur. Geleneksel kaynak yonternleri ile bazi malzemelerin kaynagi yapilamamaktadrr. Elektron 1~1I1 kaynak yonterni ise hemen hemen her tur rnalzerneye uygulanabilmektedir, Bu ise endUstrideki bir cok alanda uygulanabilecegini gostermektedir. Bu ileri kaynak yonterninin gunumuzde ve gelecekte kullamrn alanlannm giderek artacagi gorulmektedir,

KAYNAKLAR

[1] Lim, S. c. Gupta, M., Ren, L. and Kwok, J. K. M., The Tribological Properties of Al-Cu/SiCp Metal Matrix Composites Fabricated Using the Rheocasting Technique, Journal of Materials Processing Technology, Journal of Materials Processing Technology, 89-90, 1999,

591-596.

(13)

DPU Fen Bilimleri EnstitusU Dergisi 5. SaYI (Arallk 2003)

Elektron I§in Kavnak Yiinlemi M. Aydin

[2] Ma, Z. Y. and Tjong, S.

C; In Situ Ceramic Particle Reinforced Al Matrix Composites Fabricated by Reaction Pressing in the Ti02 (Tit- Al-B (B203) Systems,

Metallurgical and Materrials Transactions A, 28A, 1997,1931-1942.

[3] Surappa, M. K. and Rohatgi, P. K.,

Preparation and Properties of Al- Ceramic Particle Composites,

Journal of Materials Science, 16, 1981,

983-993.

[4] Rizkalla, H. L. and Abdulwahed, A.,

Some Mechanical Properties of Metal-Nonmetal AI-Si02 Particulate Composites,

Journal of Materials Processing Technology, 5, 1996, 398-403.

[5] Aghajanian, M. K., Burke, J. T., White, D. R. and Nagelberg, A. S., A

New Infiltration Process for the Fabrication of Metal Matrix Composites,

'Sample Quarterly, July 1989,43-46.

[6] Sukumaran, K., Pillai, S. G. K., Pillai, R. M., Kelukutty, V. S., Pai, B.

C;

Satyanarayana K. G. and Ravikumar, K. K.,

The Effects of Mg Additions on the Structure and Properties of AI-7Si- I OSiCp Composites,

Journal of Materials Science, 30,1995, 1469-1472.

[7] Seo, Y. H. and Kang,

C.

G.,

The Effect of Applied Pressure on Particle- dispersion Characteristics and Mechanical Properties in Melt Stirring Squeeze-cast SiCp/AI composites,

Journal of Materials Processing

Technology, 55,1995, 370-379.

[8] Kuruvilla, A. K., Prasad, K. S., Bhanuprasad, V. V. and Mahajan, Y. R.,

Microstructure-property Correlation in AlITiB2 (XD) Composites,

Scripta Metallurgica et Materialia, 24, 1990. 873-878,

[9] GOI, F., Seramik Parcacik Takviyeli Kompozltlerin Uretim Yontemleri ve Orellikleri,

M. U. Fen Bilimleri Dergisi, 15, 1999, 101-114.

[to]

Arsenault, R. J. and Wu, S. B.,

A CoMParison of PM vs. Melted SiC/AI Composites,

Scripta Metallurgica, 22,1998, 767-772.

[11] Turker, M., Ozdemir, A. T., Ogel, B. ve Yavuz, A.,

AI-SiC Tozlartntn Mekanik Alasimlama Degirmeninde

Ogutme

Zamantntn Kompozit To;

Yaptstna Etkisinin Arasttrilmast, Uluslararasi

Katrhrnh 2. Ulusal

Toz Metalurjisi Konferansl,1999.425-432.

(14)

DPU Fen Bilimleri EnstitOsu Dergisi 5. SaYI (Arallk 2003)

Elektron I§in Kaynak Yiintemi M. Aydin

[12] BY D. Powers and G. Schubert, Electron beam welding: A useful tool for the Automotive Industry,February 2000,p 35-38.

[13] ASM Handbook, Welding, brazing and soldering, 7th edition,v 6, Mat.

Park,Ohio p 427, 1983,

[14] M B D. Ellis, Joining of aluminium based metal matrix composites, International Materials Reviews 1996, vol 41, no 2, p 41.

[15] S.Amk, Kaynak teknigi el kitabt yontemler ve donanimlar, Gedik holding 1991, istanbul, 47-54.

[16] By E.Gaydusek, Advences in non-vacuum electron beam technology, Welding journal,1980,17.

[17] BY D. E. Powers, Nonvacuum elektron beam welding enhances automotive manufacturing, Welding journal, Novamber 1997, p 59.

[18] G. M1adenov, K. Vutova and S. Wojcicki, Experimental invastigation of the weld depth and thermal efficiency during electron beam welding, Vacuum, v: 51, No:2, 1998,231.

[19] Z. Sun, R.Karppi, The application of electron beam welding for the joining of dissimilar meatals: an overview, Journal of materials

processing technology, no 59, 1996, P 257.

[20] S.Tosto and F. Nenci, Electron beam welding and post-weld treatments of2219-T6, Journal of physique IV,vol 3, November 1993,

p

1029.

[21] P S.Wel, C

Y.

Chang, C T. Chen, Surface ripple in electron beam welding solidification, Journal of heat transfer, vol 118, november

1996, p 960.

[22] By

A.

Munitz, C. Cotler, H. Shaham, and G.Kohn, Electron beam welding of magnesium AZ91D plates, Welding journal supplement, July 2000, p 202.

[23] P. Petrov, C. Georgiev and G. Petrov, Experimental investgation of

pool formation in electron beam welding, Vacuum 1998, V 51, P 339.

(15)

DPU Fen Bilimleri EnstitusU Dergisi 5, SaYI (Aralik 2003)

Elektron I~in Kavnak Yiintemi M, Aydin

[24] W A. Baeslack and F H. Froes, Joining similar and dissimilar advanced engineered materials, Journal of materials science, 1995, March, p 13.

[25] M

C.

Chaturvedi, N L. Richards, Q.

XU,

Electron beam welding of a Ti-4SAl-2Nb-2Mn+O.8 vol. %TiB

2

XD alloy, Materials science and engineering A239-240, 1997,p 605.

[26] E.Koleva, G. Mladenov, K. Vutova, Calculation of weld parameters and thermal efficiency in electron beam welding, Vacuum 53, 1999,67.

[27] Welding Handbook, Resistance and solid-state welding and joining processes, v ; 6,1980,128-136

ELECTRON BEAM WELDING

*M.AYDIN

Abstract. Electron beam welding is an advanced welding technique used to achieve technical features which can not be achieved by using solid state and fusion welding methods.This advanced welding methot is used due to its lower heat entry and welding streght features. The use of method is limited due to the high cost. An extensive overview of this method including pros and cons, and higher features of current use of this method will increase the use of this method.

Keywords: Electron Beam Welding, Fusion Welding Method.

* Dumlupmar Universitesi, Simav Teknik Egitirn Fakiiltesi, Metal Egitirni Bolumu, Merkez Karnpusu/ KUT AHY A

maydi n43 @hotmail.com

(16)

Referanslar

Benzer Belgeler

Yeterlilik belgesi muayeneyi yapan kişi ya da kuruluş tarafından 2 yıllık periyotlar halinde uzatılabilir. Sertifikadaki yeterliliğin geçerlilik süresi, TS EN ISO 9606-2

Ve işte tam da bu sebeplerden ve daha pek çoklarından ötürü bu sistem altında insanlığın yüksek çıkarlarına uygun önlemler almak ve üretimi rasyonel bir şekilde,

(İlk maç sayısında, Federer Djokovic’in return’ünden sonra daha az sert bir vuruş yapıp topun içerde olduğundan emin olarak Djokovic’in backhand’ine biraz daha

Ortopedik muayenede aynı hastada bir ya da daha fazla bulgu olmak üzere 5 hastada tenar atrofi, 10 hastada Tinel, 5 hastada Phalen Testi..

yapılandırmalarına dayanan biliş temelli öğrenme yaklaşımı olarak ifade edilebilir (Erdem ve Demirel, 2002, s.82).. • Aynen

A., Textbook of Medical Physıology, WB Saunders Company, Tıbbi Fizyoloji, Nobel Tıp Kitabevi, cilt.I-II, İstanbul,

Tekli kovalent bağ ile her bir hidrojen atomundan bir elektron ortaklaşarak hidrojen gazını oluşturur.H2 veya H-H olarak gösterilir bağlar (b) Oksijen gazında iki oksijen

Thevenin teoremi, dirençlerden ve kaynaklardan oluşan herhangi bir doğrusal iki bağlantı noktalı devre, ya bir gerilim kaynağı ve seri dirençten ya da bir akım kaynağı