73
74
bükülme hareketi yapmaktadır. 500ºC’de tavlanan N4 numunesinde bu tepenin küçüldüğü görülmüĢtür. Yine tüm desenlerde 1000 cm-1 ile 1200 cm-1 arasında ise, etilalkol ve asetik asitte bulunan ve TiO2 ya bağlanan C-O nun gerilme, eğilme ve bükülme kipinden kaynaklanmaktadır. Aynı Ģekilde tüm desenlerde 1700 cm-1’de C-O titreĢim kipinden kaynaklanan bir tepe vardır. C-O nun iki farklı dalga sayısında ayrı tepe vermesinin sebebi uygulanan kızılötesi bölgedeki dalga boyuna karĢılık gelen molekülün farklı yönde hareket etmesinden kaynaklanmaktadır. 1700 cm-1 civarında gelen ikinci tepe ise karbonil C=O grubundan gelmektedir, bu ise kullanılan asetik asitteki karbonil grubundan kaynaklanmaktadır. Bu karbonil grubu sadece titreĢim hareketi yapabilir, çünkü arada çift bağ vardır ve esnekliği ortadan kaldırmaktadır. Tüm desenlerde 800 cm-1 - 400 cm-1 aralığında oluĢan Ģiddetli ve geniĢ tepelere O ve Ti-O-Ti bağlarının güçlü gerilme titreĢim hareketi sebep olmaktadır (Pietrzyk ve Klimek, 2004). Ancak tavlama sıcaklığı arttıkça tepe daralmakta ve daha keskin bir pike dönüĢmektedir. Yayınlarda, TiO2 ile yapılan benzer çalıĢmalarla bu çalıĢmada bulunan veriler uyum içerisindedir (Music vd. 1997).
UV-Vis-NIR spektrumlarından cam alt tabaka üzerindeki filmlerin kalınlıkları, enerji bant aralıkları ve sadece TiO2 filmler için dielektrik sabitleri hesaplanmıĢtır. Film kalınlıklarının ATO filmler için 1440 nm civarında, TiO2 filmler için 58 ile 427 nm arasında ve CuO filmler için de 250 nm civarında oldukları tespit edilmiĢtir. TiO2
filmler için tavlama sıcaklığı arttıkça ve tabaka sayısı azaldıkça film kalınlıklarının azaldığı belirlenmiĢtir. TiO2 filmlerin enerji bant aralıkları 3,12 - 3,45 eV aralığında bulunmuĢ ve tavlama sıcaklığı arttıkça ve filmdeki tabaka sayısı azaldıkça yasak enerji değerinin azaldığı tespit edilmiĢtir. Bulunan bu veriler TiO2 ile ilgili belirtilen yayınlardaki veriler ile karĢılaĢtırıldığında yakın değerler olduğu görülmüĢtür (Gonzalez ve Santiago 2007). ATO filmlerin enerji bant aralığının 3,97 eV civarında olduğu tespit edilmiĢtir ve diğer çalıĢmalarla karĢılaĢtırıldığında yakın değerlere sahip olduğu görülmektedir (Terrier vd. 1997, Benrabah vd. 2009). CuO filmler için ise enerji bant aralığı 2,35 eV civarındadır. Elde edilen değerler Wang vd. (2002) tarafından yayınlanan 2,43 eV ve Vijaya Kumar vd. (2000) tarafından yayınlanan 2,18 eV değerleriyle kıyaslanabilir ölçüde yakındır.
75
Farklı sıcaklıklarda tavlanarak hazırlanan TiO2 filmlerin UV-Vis-NIR spektrumlarından bant aralıkları ve kalınlıkları yanında dielektrik sabitleri de belirlenmiĢtir. Tavlama sıcaklığının artmasıyla dielektrik sabitinin arttığı görülmüĢtür. Tavlama sıcaklığının artmasıyla filmlerin amorf yapıdan kristal yapıya geçiĢ yapmasıyla kutuplanmanın artması ve dolayısıyla dielektrik sabitinin artması beklenen bir sonuçtur. Elde edilen sonuçlar 4,8 - 6,25 arasında olup literatürle uyum içindedir (Abdel-Aziz vd. 2006, Hemissi vd. 2009).
Cam alt tabaka üzerindeki TiO2 ve CuO filmlerin iletkenlik ve aktivasyon enerjilerini tespit etmek üzere değiĢik sıcaklıklarda akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapılmıĢtır. Elde edilen I-V belirtkenleri ve UV-Vis-NIR spektrumundan tespit ettiğimiz film kalınlıkları kullanılarak örneklerin özdirençleri ve iletkenlikleri tespit edilmiĢtir. TiO2 filmler için tavlama sıcaklığı arttıkça iletkenliğin arttığı belirlenmiĢtir. Aktivasyon enerjilerinin tavlama sıcaklığı arttıkça 0,885 eV’tan 0,691 eV’a azaldığı ve elde edilen bu değerler daha önceki çalıĢmalarla karĢılaĢtırıldığında yakın değerlere sahip oldukları görülmüĢtür (Pomoni vd. 2008). CuO film için aktivasyon enerjisinin 0,294 eV olduğu ve literatürdeki diğer çalıĢmalarla uyumlu olduğu görülmüĢtür (Lanke ve Vedawyas 1999).
ÇalıĢmanın ikinci aĢamasında n-TiO2/p-CuO ince film heteroeklem yapılarının oda sıcaklığındaki I-V ve C-V belirtkenleri incelenmiĢtir. Yapılar hazırlanırken TiO2 filmler değiĢik sıcaklıklarda tavlanarak 4 farklı tip numune elde edilmiĢtir. Bu 4 farklı Ģekilde ve çok sayıda hazırlanmıĢ numunelerin I-V belirtkenleri genel olarak iyi birer diyot davranıĢına sahiptir. Doğrultma oranlarının oldukça yüksek olduğu ve TiO2 tabakasının tavlama sıcaklığının artmasıyla arttığı görülmüĢtür. I-V belirtkenlerinden tüm numunelerin ideallik faktörleri hesaplanmıĢ ve yine tavlama sıcaklığının artmasıyla ideallik faktörlerinin azaldığı tespit edilmiĢtir. C-V belirtkenlerinden engel potansiyelleri ve taĢıyıcı yoğunlukları hesaplanmıĢtır. TiO2 tabakası 300ºC tavlanarak hazırlanan S2 numunesinin yalıtkan tabakasının kalın olmasından dolayı kapasitesinin voltajla değiĢmediği görülmüĢ ve dolayısıyla Vd ve Neff değerleri hesaplanamamıĢtır.
Aynı zamanda bu numunenin lnI-V grafiği diğer numunelerinkiyle kıyaslandığında en fazla seri direnç etkisini S2’nin gösterdiği görülmüĢtür. Yapıların ideallik faktörlerinin 2’den çok büyük olmaları ve ileri beslemdeki turn-on voltajlarının C-V
76
belirtkenlerinden belirlenen engel potansiyeline oranla çok daha küçük olmaları heteroeklemlerin akım iletim mekanizmalarında tünelleme-yeniden birleĢme mekanizmasının etkin olabileceği ihtimalini ortaya koymaktadır. Sonuç olarak çalıĢmanın buraya kadar olan kısmında TiO2 ve CuO ile mümkün olan en iyi diyotun yapılabilmesi için TiO2 tabakasının 500ºC sıcaklıkta tavlanması gerektiği belirlenmiĢtir.
Bu sıcaklıkta, TiO2 için gerekli oksijen stokiyometrisi sağlandığından, oluĢan yalıtkan tabakanın diğerlerine oranla daha ince olmasından ve yine diğerlerine oranla seri direnç etkisi daha az olduğundan doğrultma oranı en yüksek olan yapı TiO2 tabakası 500ºC’de tavlanmıĢ olanıdır.
Son aĢamada ise en iyi diyot olduğu tespit edilmiĢ olan S4 numunesi ile aynı Ģartlarda hazırlanmıĢ S5 numunesinin düĢük sıcaklıkta ölçümlerinin yapılabilmesi için CuO film üzerinde platin ile omik kontak alınmıĢtır. S5 numunesinin 150K - 300K sıcaklık aralığında I-V ve C-V belirtkenleri incelenmiĢtir. Akımın gerilimle değiĢiminin üç bölgeye ayrıldığı gözlenmiĢtir. Üçüncü bölgede seri direncin etkisiyle değiĢim doğrusallıktan sapmaktadır. Ġlk iki bölgede eğimler, ideallik faktörleri ve I0 doyma akımları hesaplanmıĢtır. Sıcaklığın azalmasıyla ideallik faktörleri artmaktadır. Buna karĢın eğimler hemen hemen değiĢmemektedir. Ayrıca n’ler 2’den büyük değerlere sahiptir. Dolayısıyla akım ideal diyot bağıntısına uygun Ģekilde değiĢmemektedir.
Eğimlerin sabit olması bu sıcaklık aralığında akım iletim mekanizmasında tünellemenin etkili olabileceğini göstermektedir. Sabit gerilimlerde akımın sıcaklıkla değiĢiminin lnI=aT+bV denklemine uyması ve aynı zamanda lnI0’ın sıcaklıkla değiĢiminin doğrusal olması da bu Ģekilde hazırlanmıĢ yapıların akım-iletim mekanizmasının çok basamaklı tünelleme/yeniden birleĢme olduğunu desteklemektedir.
Yapıların C-V-T belirtkenlerinden bulunan engel yüksekliğinin ölçüm sıcaklığı azalırken arttığı, taĢıyıcı yoğunluğunun ise azaldığı bulunmuĢtur. 300 K’de yapılan ölçümler engel yüksekliğinin 1,01 eV olduğunu göstermiĢtir. I-V-T ölçümlerinden termoiyonik emisyon modeli yardımıyla bulunan engel yüksekliğinin değeri ise 0,045eV ve C-V ölçümlerinden bulunan değerden çok küçüktür. Bulunan bu sonuç yapının akım iletim mekanizmasının çok basamaklı tünelleme/yeniden birleĢme
77
olduğunun diğer bir kanıtıdır. Yapının tünelleme basamak sayıları da hesaplanmıĢ olup düĢük gerilim bölgesinde 795 yüksek gerilim bölgesinde 3688 olarak bulunmuĢtur.
78 KAYNAKLAR
Abdel-Aziz, M.M., Yahia, I.S., Wahap, L.A., Fadel, M. and Afifi, M.A. 2006.
Determination and analysis of dispersive optical constant of TiO2 and Ti2O3 thin films. Applied Surface Science. 252 (23); 8163-8170.
Abdel Rafea, M. and Roushdy, N. 2009. Determination of the optical band gap for amorphous and nanocrystalline copper oxide thin films prepared by SILAR technique. Journal of Physics D: Applied Physics. 42 (1); 15413,6p.
Afifi, M.A., Abdel-Aziz, M.M., Yahia, I.S., Fadel, M. and Wahap, L.A. 2008. Transport properties of polycrystalline TiO2 and Ti2O3 as semiconducting oxides. Journal of Alloys and Compounds. 455; 92-97.
Ajimsha, R.S., Vanaja, K.A., Jayaraj, M.K., Misra, P., Dixit, V.K. and Kukreja, L.M.
2007. Transparent p-AgCoO2/n-ZnO diode heterojunction fabricated by pulsed laser deposition. Thin Solid Films. 515; 7352-7356.
Anderson, R.L. 1971. Proc. Int. Conf. on the Phys. Chem. of Semicond.
Heterofunctions, vol. II, p. 55, Akadémiai Kiadó, Budapest.
Bach, H. and Krause, D. 1997. Thin Films on Glass, Springer, Heidelberg.
Badawy, W.A. and El-Taher, E.A. 1988. Preparation and electrochemical behaviour of some metal oxide films. Thin Solid Films, 158 (2); 277-284.
Balkanski, M. and Wallis, R.F. 2000. Semiconductor Physics and Applications, Oxford, New York.
Balberg, I. and Gal, E. 1985. Determination of distribution of states in hydrogenated amorphous silicon from capacitance-voltage characteristics. Journal of Applied Physics, 58 (7); 2617-2627.
Benrabah, B., Bouaza, A., Hamzaoui, S. and Dehbi, A. 2009. Sol-gel preparation and characterization of antimony doped tinoxide (ATO) powders and thin films. Eur.
Phys. J. Appl. Phys. 48, 30301
Bessekhouad, Y., Robert, D. and Weber, J.-V. 2005. Photocatalytic activity of Cu2O/TiO2, Bi2O3/TiO2 and ZnMn2O4/TiO2 heterojunctions. Catalysis Today.
101 (3-4); 315-321.
Beyer, W., Hüpkes, J. and Stiebig, H. 2007. Transparent conducting oxide films for thin film silicon photovoltaics. Thin Solid Films, 516 (2-4); 147-154.
Caglar, M. and Yakuphanoglu, F. 2009. Fabrication and electrical characterization of flower-like CdO/p-Si heterojunction diode. Journal of Physics D: Applied Physics. 42; 1-5.
Carotta, M.C., Guidi, V., Martinelli, G., Nagliati, M., Puzzovio, D. and Vecchi, D.
2008. Sensors and Actuators B: Chemical, 130 (1); 497-501.
Chatelon,J.P., Terrier, C., Bernstein, E., Berjoan, R. and Roger, J.A. 1994. Morphology of SnO2 thin films obtaibed by the sol-gel technique. Thin Solid Films 247 (2);
162-168.
Chatelon,J.P., Terrier, C., and Roger, J.A. 1997. Influence of elaboration parameters on the properties of Tin oxide films obtained by the sol-gel process. Journal of Sol-Gel Science and Technology. 10; 55-66.
Cullity, B.D. 1978. Elements of X-ray diffraction 2nd ed., Addison -Wesley, 555 p., California, USA.
Czapla, A., Kusior, E. and Bucko, M. 1989. Optical properties of non-stoichiometric tin oxide films obtained by reactive sputtering. Thin Solid Films 182 (1-2); 15-22.
79
Dandeneau, C.S., Jeon, Y-H., Shelton, C.T., Plant, T.K., Cann, D.P. and Gibbons, B.J.
2009. Thin film chemical sensors based on p-CuO/n-ZnO heterocontacts. 517;
4448-4454.
Deshmukh, H.P., Shinde, P.S. and Patil, P.S. 2006. Structural, optical and electrical characterization of spray-deposited TiO2 thin films. Materials Science and Engineering: B. 130 (1-3); 220-227.
Dolega, U. 1963. Z. Naturf. 18a, 653.
Donnelly, J.P. and Milnes, A.G. 1966. Current/voltage characteristics of p-n Ge-Si and Ge-GaAs heterojunctions. PROC. IEE. 113 (9); 1468-1476.
Donnelly, J.P. and Milnes, A.G. 1967. The capacitance of p-n heterojunctions including the effects of interface states. IEEE Transactions on Electron Devices. 14 (2);
63-68.
Fan, Q., McQuillin, B., Bradley, D.D.C., Whitelegg, S. and Seddon, A.B. 2001 A solid state solar cell using sol-gel processed material and a polymer. Chemical Physics Letters 347 (4); 325-330.
Fuyuki, T. and Matsunami, H. 1986. Electronic Properties of the Interface between Si and TiO2 Deposited at Very Low Temperatures. Japanese Journal of Applied Physics, 25, 1288.
Goldsmith, S. 2006. Filtered vacuum arc deposition of undoped and doped ZnO thin films : Electrical, optical, and structural properties. Surface and Coatings Technology. 201 (7); 3993-3999.
Gonzalez, A.E.J. and Santiago, S.G. 2007. Structural and optoelectronic characterization of TiO2 films prepared using the sol-gel technique. Semic. Sci.
Tech. 22, 709-716.
Ha, H.K., Yoshimoto, M., Koinuma, H., Moon, B.K. and Ishiwara, H. 1996. Open air plasma chemical vapor deposition of highly dielectric amorphous TiO films.
Applied Physics Letters, 66, 2965.
Hemissi, M., Amardjia-Adnani, H. and Plenet, J.C. 2009. Titanium oxide thin layers deposed by dip-coating method: Their optical and structural properties. Current Applied Physics. 9; 717-721.
Karunagaran, B., Chung, S.J., Suh, E.-K. and Mangalaraj, D. 2005. Dielectric and transport properties of magnetron sputtered titanium dioxide thin films. Physica B. 369; 129-134.
Kim, Y.S., Park, J.H., Choi, D.H., Jang, H.S., Lee, J.H., Park, H.J., Choi, J.I., Ju, D.H., Lee, J.Y. and Kim, D. 2007. ITO/Au/ITO multilayer thin films for transparent conducting electrode applications. Applied Surface Science. 254 (5); 1524-1527.
Lanke, U.D. and Vedawyas, M. 1999. Ion beam processing of oriented CuO films deposited on (100) YSZ by laser ablation. Nuclear Instr. and Methods in Phys.
Research B. 155 (1-2); 97-101.
Liu, Z., Guo, W., Fu, D. and Chen, W. 2006. p–n Heterojunction diodes made by assembly of ITO/nano-crystalline TiO2/polyaniline/ITO. Synthetic Metals, 156 (5-6); 414-416.
Maddalena, A., Dal Maschio, R., Dire, S. and Raccanelli, A. 1990. Electrical conductivity of tin oxide films prepared by the sol-gel method. Journal of Non-Crystalline Solids. 121 (1-3); 365-369.
Mahanty, S., Roy, S. and Suchitra Sen, 2004. Effect of Sn doping on the structural and optical properties of sol–gel TiO2 thin films. Journal of Crystal Growth 261 (1);
77-81.
80
Mangamma, G., Jayaraman, V., Gnanasekaran, T. and Periaswami, G. 1998. Effects of silica additions on H2S sensing properties of CuO–SnO2 sensors. Sensors and Actuators B. 53; 133-139.
Maruyama, T. 1998. Copper oxide thin films prepared by chemical vapor deposition from copper dipivaloylmethanate. Solar Energy Materials and Solar Cells. 56 (1); 85-92.
Miyaki, S., Kobayashi, T., Satou, M. and Fijimoto, F. 1991. Titanium oxide formation by dynamic ion beam mixing. Journal of Vacuum Science&Technology A:
Vacuum, Surfaces, and Films 9 (6); 3036-3040.
Mridha, S. and Basak, D. 2006. Investigation of a p-CuO/n-ZnO thin film heterojunction for H2 gas-sensor applications. Semiconductor Science and Technology. 21; 928-932.
Music, S., Gotic, M., Ivanda, M., Popovic, S., Turkovic, A., Trojko, R., Sekulic, A. and Furic, K. 1997. Chemical and micro structural properties of TiO2 synthesized by sol-gel procedure. Material Science and Engineering B, 47; 33-40.
Newman, P.C. 1965. Forward characteristics of heterojunctions. Electronics Letters. 1 (9) ;265.
Ni, J., Zhao, X., Zheng, X., Zhao, J. and Liu, B. 2009. Electrical, structural, photoluminescence and optical properties of p-type conducting, antimony-doped SnO2 thin films. Acta Materialia. 57; 278-285.
Oral, A.Y., MenĢur, E., Aslan, M.H. and BaĢaran, E. 2004. The preparation of copper(II) oxide thin films and the study of their microstructures and optical properties. Materials Chemistry and Physics. 83;140-144.
Ou, S.S., Stafsudd, O.M. and Basol, B.M. 1984. Current transport mechanisms of electrochemically deposited CdS/CdTe heterojunction. Solid State Electron. 27 (1); 21-25.
Pakma, O. 2008. Metal/TiO2/c-Si/Metal yapılarında yüzey Ģartlarının elektriksel belirtkenler üzerindeki etkisi. Doktora Tezi. Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.
Pankov, J.I. 1971. Optical Processes in Semiconductors. Dover Pub., 422 p., New York.
Parhizkar, M., Sukhvinder Singh, Nayak, P.K., Nigvendra Kumar, Muthe, K.P., Gupta, S.K., Srinivasa, R.S., Talwar, S.S. and Major, S.S. 2005. Nanocrystalline CuO films prepared by pyrolysis of Cu-arachidate LB multilayers. Colloids and Surfaces A. 257-258; 277-282.
Pietrzyk, B. and Klimek, L. 2004. The influence of heat treatment temperature on bioactivity of TiO2 sol-gel coatings. Annals of Transplantation, 9 (sup 1A); 54–
57.
Pomoni, K., Vomvas, A. and Trapalis, Chr. 2008. Dark conductivity and transient hotoconductivity of nanocrystalline undoped and N-doped TiO2 sol–gel thin films. Thin Solid Films. 516; 1271-1278.
Rahman, M.M., Krishna, K.M., Miki, T., Soga, T., Igarashi, K., Tanemura, S. and Umeno, M. 1997. Investigation of solid state Pb doped TiO2 solar cell. Solar Energy Materials and Solar Cells. 48 (1-4); 123-130.
Rediker, R.H., Stopek, S. and Ward, J.H.R. 1964. Interface-alloy epitaxial heterojunctions. Solid State Electronics. 7 (8); 621-622.
Riben, A.R. and Feucht, D.L. 1966. International Journal of Electronics and Communications, 20, 583.
Sah, C.T., Noyce, R.N. and Shockley, W. 1957. Proc. IRE 45, 1228.
81
Sanon, G., Rup, R. and Mansingh, A. 1990. Growth and characterization of tin oxide films prepared by chemical vapour deposition.Thin Solid Films 190 (2); 287-301.
Schroeder, D.K. 1990. Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley&Sons, 599 p.,Canada.
Senthilarasu, S., Sathyamoorthy, R., Lalitha, S. and Subbarayan, A. 2006. Electrical conduction properties of ZnPc/TiO2 thin films. Solar Energy Materials & Solar Cells. 90; 783-797.
Serin, N. 1988. Entegre Devreler. Ankara Üniversitesi Fen Fakültesi Yayınları, 289 s., Ankara.
Sharma, B.L. and Purohit, R.K. 1974. Semiconductor Heterojunctions. Pergamon, 216 p., Oxford, New York.
Sharma, G.D., Choudhary, V.S. and Roy, M.S. 2007. Electrical and photovoltaic properties of devices based on PbPc–TiO2 thin films. Solar Energy Materials and Solar Cells. 91 (12); 1087-1096.
Sharma, S.K., Baveja, J. and Mehra, R.M. 2002. The Dependence of Optical Constants on Selenium and Sulphur-Doping in a-Si :H, Physica Status Solidi (a). 194 (1);
216-225.
Shockley, W. 1949. Bell Syst. Tech. J. 28; 435.
Shur, M. 1990. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, New York.
Siripala, W., Ivanovskaya, A., Jaramillo, T.F., Baeck, S. and McFarland, E.W. 2003. A Cu2O/TiO2 heterojunction thin film cathode for photoelectrocatalysis. Solar Energy Materials and Solar Cells. 77 (3); 229-237.
Streetman, B.G. 1990. Solid State Electronic Devices. Prentice-Hall, 462 p., New Jersey.
Swanepoel, R. 1983. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon. Journal of Physics E: Scientific Instruments. 16; 1214-1222.
Sze, S.M. 1981. Physics of Semiconductor Devices. John Wiley and Sons, 868 p., New York.
ġener, D. 2006. Sol-Jel Yöntemiyle Hazırlanan Metal Oksit Ġnce Filmlerin Elektriksel, Yapısal ve Optiksel Özelliklerinin Ġncelenmesi. Yüksek Lisans Tezi. Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.
Tai, W.-P. and Oh, J.-H. 2002. Fabrication and humidity sensing properties of nanostructured TiO2–SnO2 thin films. Sensors and Actuators B. 85(1-2); 154-157.
Tarımcı, Ç. 2002. Spektral Analiz Yöntemleri Ders Notları. Ankara Üniverisitesi, Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı, Ankara
Tauc, J.C., 1966. The Optical Properties of Solids. Amsterdam: Nort-Holland, 434 p., New York.
Tauc, J.C. and Menth, A. 1972. States in the gap. Journal Non-Crystalline Solids. 8-10;
569-585.
Tavakolian, H. and Sites, J.R. 1988. Proc. 20th IEEE Photovoltaic Speacialists Conference, Las Vegas, NV. New York, 1608.
Terrier, C., Chatelon, J.P., Roger, J.A., Berjoan, R. and Dubois, C. 1997. Analysis of antimony doping in tin oxide thin films obtained by the sol-gel method. Journal of Sol-Gel Science and Technology. 10; 75-81.
Van Opdorp, C.J.M. 1969. Thesis, Technische Hogeschool, Eindhoven, Netherlands.
82
Vijaya Kumar, R., Diamant, Y. and Gedanken, A. 2000. Sonochemical synthesis and characterization of nanometer-size transition metal oxides from metal acetates.
Chemistry of Materials, 12; 2301-2305.
Vydianathan, K., Nuesca, G., Peterson, G., Eisenbraun, E. T., Kaloyeros, A. E., Sullivan, J. J. and Han, B. 2001. Metalorganic chemical vapor deposition of titanium oxide for microelectronics applications. Journal Material Research, 16, 1838.
Wang, H., Xu, J.-Z., Zhu., J.-J. and Chen, H.-Y. 2002. Preparation of CuO nanoparticals by microwave irradiation. Journal of Crystal Growth, 244; 88-94.
Wang, M.C., Lin, H.J. and Yang, T.S. 2009. Characteristics and optical properties of iron ion (Fe3+)-doped titanium oxide thin films prepared by a sol–gel spin coating. Journal of Alloys and Compounds. 473 (1-2); 394-400.
Yalçın, H. 2005. Malzeme Analiz Teknikleri Ders Notları. Cumhuriyet Üniversitesi Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı, Sivas.
Yıldırım, N., Serin, T. and Serin, N. 2009. Investigation of a p-CuO/n-TiO2 thin film heterojunction fabricated by the sol-gel process. N. Serin, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials-Symposia, 1 (3); 254-258.
Yıldırım,N., Serin, T. and Serin, N. 2009. The effect of post-annealing temperature on TiO2 thin film grown by the sol-gel process in the fabrication of TiO2/CuO heterojunction. ACSIN-10, 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures Abstracts, p. 84.
Zhang, J.Y., Boyd, I.W., Sullivan, B.J., Kelly, P.K. and Seneteur, J.P. 2002.
Nanocrystalline TiO2 films studied by optical, XRD and FTIR spectroscopy.
Journal of Non-Crystalline Solids. 303 (1); 134-138.
Zhang, X., Cao, Y., Kan, S., Chen, Y., Tang, J., Jin, H., Bai, Y., Xiao, L., Li, T. and Li, B. 1998. Study on the photo-induced interfacial charge transfer in TiO2/Fe2O3
heterostructured composite film. Thin Solid Films 327-329; 568-570.
Zhang, Y., Xu, J., Lin, B., Fu, Z., Zhong, S., Liu, C. and Zhang, Z. 2006. Fabrication and electrical characterization of nanocrystalline ZnO/Si heterojunctions.
Applied Surface Science. 252; 3449-3453.