Sonuç ve Tartışma

Bu çalışmada, fotolüminesans, elektrolüminesans, akım-voltaj ve x-ışını kırınımı teknikleri kullanılarak görünür/mor ötesi bölgelerde ışık yayan InGaN/GaN çoklu kuantum kuyulu diyotlar incelenmiştir. Diğer büyütme şartları mümkün olduğu kadar sabit tutularak LED’lerin aktif bölgelerinin büyütme sıcalıkları 650- 730 0C aralığında olan altı adet numune tasarlandı. Daha sonra bu numunelerin sıcaklığa bağlı fotolüminesans ölçümleri alındı. Numulerin FL spektrumlarında gözlenen InGaN/GaN çoklu kuantum kuyusuna ait ana geçişin pik enerjisinin, şiddetinin örgü sıcaklığına bağlı değişimleri temel modellerle desteklenerek incelendi. Dolayısla, InGaN/GaN aktif tabakanın büyütme sıcaklığının ve dolayısıyla indiyum alaşım oranının bu parametreler üzerindeki etkisi araştırılmış oldu. Elde edilen sonuçlar literatür ile karşılaştırmalı olarak değerlendirildi. Çalışmanın ikinci kısmında fabrikasyonu yapılan iki LED örneğimizin oda sıcaklığında sürekli sürücü akımına bağlı elektroluminesans spektrumları ile birlikte bunlardan birinden tel bağlantıları alınarak örgü sıcaklığına bağlı akım-voltaj ve elektroluminesans özellikleri detaylı olarak incelendi.

Tasarlanan numunelerin sıcaklığa bağlı FL ölçümleri alındığında yayınım pik enerjisinin literatürdeki ölçüm sonuçlarına uygun olarak S-tipi davranış gösterdiği görülmüştür. S-tipi olarak adlandırılan bu davranış genel olarak In- yerelleşmesinin bir sonucu olarak ortaya çıkar. Dolayısıyla büyütme sıcaklığının In yerelleşmesi üzerindeki etkisi açık bir şekilde gösterilmiştir. Gözlenen S-tipi davranışın yanında InGaN kuantum kuyudan kaynaklanan FL piklerinin şiddeti ve FWHM değişimlerinin incelenmesi sonucunda farklı sıcaklık aralıklarında etkin olan iki farklı ışınsal olmayan geçiş merkezi olduğu gözlenmiştir. Bu merkezler, etkisini Fotolüminesans şiddetinde sıcaklığa bağlı azalma olarak gösterir. Bu davranışın derecesi ve görüldüğü sıcaklık değerleri numuneden numuneye farklılık göstermektedir. Farklı büyütme sıcaklıklarına sahip numunelere ait sıcaklığa bağlı spektral değişimler detaylı olarak incelenerek FL spektrumunda gözlenen piklerin

orijinleri belirlenmiştir. Bir sonraki adım olarak büyütme sıcaklığının deneysel sonuçlarımıza fit yaparken kullandığımız E(0), σ ve α parametreleri üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Bu parametreler In atomlarının InGaN alaşımına katılma oranı ile yakından ilişkilidir. Dolayısıyla büyütme sıcaklığı arttıkça bu parametrelerin artması beklenir. Ölçüm sonuçlarımızın bu beklentiye uyduğu ve literatürdeki çalışmalar ile uyumlu olduğu görülmüştür.

Elektrolüminesans ölçümleri yapmak için tasarladığımız B-493 ve B-292 kodlu numunelerden kontak alabildik. EL pik enerjisinin ve şiddetinin sıcaklığa ve akım yoğunluğuna bağlı değişimi incelenmiştir. Sıcaklığa bağlı ölçümlerde oda sıcaklığı ile orta sıcaklık değerlerinde EL şiddetinin arttığı orta sıcaklık ile düşük sıcaklık bölgesinde ise azaldığı gözlenmiştir. EL şiddetinde görülen bu beklenmedik davranışın literatürdeki çalışmalar ile uyumlu olduğu görülmüştür. EL şiddetinin ilk sıcaklık aralığında sıcaklık azalırken artmasının sebebi, ışınsal olmayan yeniden birleşim merkezlerin etkinliğinin azalmasıdır. İkinci aralıkta sıcaklık azalırken EL şiddetinin azalma sebebi ise düşük sıcaklıklarda p tipi taşıyıcı konsantrasyonunun yüksek aktivasyon enerjisinden dolayı azalmış olmasıdır. B-493 kodlu numune için pik enerjisinin sıcaklığa bağlı değişimi incelendiğinde kırmızı- mavi-kırmızı şeklinde bir davranış görülmüştür. Bu da yerelleşme etkisinin bir göstergesidir. Akım yoğunluğuna bağlı ölçümlerde ise akım yoğunluğunun artması ile yeniden birleşecek taşıyıcı sayısı arttığından EL şiddetinin arttığı görülmüştür. Pik enerji konumunun akım yoğunluğuna bağlı değişiminde ise belirgin bir değişiklik görülmemiştir.

Sonuç olarak yaptığımız bu çalışma ile Fotolüminesans ve Elektrolüminesans tekniklerini kullanarak büyütme sıcaklığının optiksel özellikler üzerindeki etkisini detaylı olarak araştırdık. Yaptığımız bu çalışma ile bu alanda yapılacak çalışmalara ışık tutmayı amaçladık.

KAYNAKÇA

[1] Morkoç, H. ―Handbook of Nitride Semiconductors and Devices‖, Wiley- VCH, Berlin, Vols. I–III (2008).

[2] Wurgaftman, I., Meyer, J.R., Ram-Mohan L.R., ―Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys ―, J.Appl. Phys. 89, (2001), 5815.

[3] Morkoç, H., Carlo, A. Di, Cingolani, R., ―GaN-based modulation doped FETs and UV detectors”, Solid State Electron., 46, (2002) 157

[4] Martinez, E., J., ―Gallium Nitride & Related Wide Bandgap Materials and Devices‖, DARPATech, (2000).

[5] ―Building Energy Databook 2006‖ (Energy Efficiency and Renewable Energy,

U.S Department of Energy, Washington, DC, 2006;

http://buildingsdatabook.eren.doe.gov) (accessed January 2008)

[6] ―Navigant Consulting, U.S Lighting Market Characterization Volume:1 National Lighting Inventory and Energy Consumption Estimate‖ (U.S Department of Energy, Washington, DC, September, 2002;

www.eere.energy.gov/buildings/info/documents/pdfs/lmc_vol1_final.pdf ) (accessed January 2008)

[7] ―Light Labour’s Lost: Policies for Energy-efficient Lighting‖ (International Energy Agency, Paris, France) (2006)

[8] Tsao, J., Y., ―Sandia National Labs‖

[9] ―Mercury Emissions from Coal-Fired Power Plants: The Case for Regulatory Action‖ (Northeast States for Coordinated Air Use Management, Boston, MA, 2003; http://www.nescaum.org/documents/rpt031104mercury.pdf) (accessed January 2008)

[10] Pope M., Kallmann H.P., Magnante P., ―Electroluminescence in Organic Crystals‖ J.Chem.Phys. 38, (1963), 2042.

[11] ―Organic Light Emitting Diodes (OLEDs) for General Illumination Update‖ 2002, An OIDA Technology Roadmap (OIDA, Washington, DC, 2002)

[12] Holonyak, N., Bevacqua, S., F., ―Coherent (vısıble) lıght emıssıon from Ga(As1−xPx) junctions‖ Appl. Phys. Lett. 1 (1962) 82.

[13] Tsao, J., Coltrin, M. E., Crawford, M. H., Simmons, J. A., ―An Integrated Human Factors, Technology, and Economic Perspective‖, Solid-State Lighting Proc.

IEEE, 98 (2010) 1162.

[15] Chen, G. et al., ―Performance of high-power III-nitride light emitting diodes‖,

phys. stat. sol. (a) 205, (2008) 1086.

[16] Pankove, J.I., Miller, E.I., and Berkeyheiser, J.E., RCA Rev. 32 (1971) 383.

[17] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, ―Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer‖ Appl. Phys.

Lett. 48 (1986) 353.

[18] Nakamura, S., Mukai, T., Senoh, M., ―High-Power GaN P-N Junction Blue- Light-Emitting Diodes ― Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) L1998.

[19] Akasaki, I., Amano, H., ―Widegap Column-III Nitride Semiconductors for UV/Blue Light Emitting Devices‖ J. Electrochem. Soc., 141 (1994) 2266.

[20] Amano, H., Hiramatsu, K., Akasaki, I., ―Heteroepitaxial Growth and the Effect of Strain on the Luminescent Properties of GaN Films on (11 20) and (0001) Sapphire Substrates‖, Jpn. J. Appl. Phys., 27 (1988) L1384.

[21] Nakamura, S., Senoh, M., Isawa, N., Nagahama, S., ―High-Brightness InGaN Blue, Green and Yellow Light-Emitting Diodes with Quantum Well Structures‖ Jpn.