Grafenin Özellikleri

Şekil 1.12. sp² orbital hibriteşmesinin üç farklı tipi olan fulleren, karbon nanotüp ve grafen.

Journal of Science’da yayınladığı basit bir çalışmada, zaman içinde çok önemli yöntemlerden biri haline gelen silikon tabakası (Silikon üzerine silisyum dioksit) üzerine birkaç tabakalı grafen kristalleri gözlendi ve üretildi [1]. Bu çalışmada ve sonraki çalışmaların da Novoselov ve arkadaşları birkaç katmanlı grafenin taşıması gereken özeliklerinin belirlenmesinde büyük katkı sağlamıştır. Daha sonra, iki boyutlu transferin gerçekleşmesine için izin veren bu teknik, büyük alanlı tek tabakalı grafen numuneler üretmek için dünyanın pek çok yerinde tekrarlanmıştır [43].

2010 yılında Andre Geim ve Konstain Novoselov, grafen üzerine yaptıkları ‘üretim, izolasyonu ve karakterizasyon’ konulu çalışmaları ile Nobel Fizik ödülü almaya hak kazandılar. Geim ve Novoselov çok basit bir yöntem olan yapışkan bir selobantı ile grafit üzerine tekrar tekrar yapıştırıp kaldırarak birkaç ya da tek tabaklı grafen tabakasını ayırmayı başarmışlar ve izole etikleri bu grafen tabakasını optik bir mikroskop ile gözlemlemişlerdir [44-47].

1.3.3. Grafenin Özellikleri

Grafen, karbon atomlarının bal peteği (hekzagonal) örgüsünü oluşturacak şekilde dizildiği ve bir atom kalınlığında (~1Å) iki olan boyutlu bir atomik kristaldir. 2004 yılından izole edilmesinden bu yana grafen, termal iletkenlik ve yüksek elektrikte, Kuantum Hall etkisine sahip, yarı metal veya sıfır band enerjili yarı iletken, saydam,

Fulleren (0D)

14

esnek, hafif ve çok kuvvetli gibi özelliklerinden dolayı, oldukça fazla kullanım alanına sahip olması onu bilimsel ve teknolojik alanda değerli hale getirmiştir [48]. Muazzam bir mekanik yapıya sahip olan grafenin yeryüzünde bilinen en dayanıklı malzemelerden biri olmasının sebebi, karbon atomları arasındaki sigma bandı ile bağlı olmasıdır.

Ayrıca grafen 1.1 TPa young modülüne ve 125 GPa çekme mukavemetine [49] sahip olan, beraberinde en sert ve en güçlü malzeme olarak adlandırılır.

Grafen oldukça ince olduğu için, nerdeyse bütün yönleriyle geçirgendir. Grafen veya birkaç grafenin optik geçirgenliği, görünür bölge aralığında (250-1200 nm) Xenon ışık kaynağı kullanılarak %97,7 olarak ölçüldü. n katmanlı grafen için tabaka sayısı artıkça geçirgenliğin azaldığı belirlendi [50]. 2 nm kalınlıkta grafen için geçirgenli % 95 daha yüksek iken, 10 nm kalınlıkta grafen için geçirgenlik % 70 daha yüksek olmaktadır [37].

Bir malzemenin elektriksek iletim özellikleri, enerji bant yapısındaki farklılıklara göre değişir. Grafende hekzagonal yapıdan dolayı, enerji-momentum ilişkisi birçok malzemeden farklıdır. Grafende iletim ve değerlik bantları tek bir noktada çakışır.

Daha önemlisi bu bandlar birbirine yaklaştıkça enerji davranışları doğrusal olur ve enerji bantları bir koni (Dirac konisi) oluşturur. Bu koniler arasında herhangi bir boşluk olmadığı için tek tabaka grafen sıfır-boşluk yarıiletken olarak isimlendirilmektedir.

Şekil 1.13. Tek tabakalı grafenin elektronik band yapısı.

15

Göreli olmayan elektronların boşluktaki hareketi için enerji momentimi ilişkisi E=p²/2m şeklinde verilmektedir. Grafen tabakasındaki elektronların davranışı, Dirac denklemi (E hk v _f) ile ifade edilen enerji momentum arasındaki doğrusal bağıntıyı desteklemektedir ve artı ve eksi işaret grafenin iki konisi veya band yapısı olarak bilinmektedir. Bu bağlantı, nötrino gibi kütlesiz rölativistik parçacıkların dağılım bağıntısı ile aynıdır ve yalnızca düşük enerjilerde geçerli olan bu özel durum, Dirac fermiyonlarının grafen içinde ışık hızından yaklaşık 300 kat daha yavaş 10⁶ m/s² hızla hareket etmesi hariç, kütlesiz fotonlar için Kuantum Elektrodinamigini (KED) gözler önüne serer. Bu sebeple KED’nin bütün beklenmedik özellikleri daha düşük hızlarla grafen tabakası içinde görülmektedir [51-53]. Bu enerji-momentum ilişkisindeki farklılık grafen elektronlarının farklı fiziğinden kaynaklanmaktadır.

Günümüz elektronik teknolojisinde grafenin yarı iletken amaçlı kullanılabilmesi için yasak enerji aralığın sahip olması kritik bir önem taşımaktadır. Bu yüzden grafen band aralığı kazandırmak için grafen iki tabakalı hale getirebilir. Kimyasal olarak katkılama, grafene mekanik gerilme uygulamayla da yasak enerji aralığı değiştirilebilir. Grafenin, sıfır-boşlukta yarı iletken olmasıdan düşük enerjili elektronik uyarımlar, Dirac fermiyonları aracığıyla tanımlanır [54]. Ayrıca grafenin band yapısı, Brillouin bölgesindeki simetri noktaları incelenerek anlaşılabilmektedir [55, 56]. Grafen sıradan yarı iletkenlerden de farklıdır. Grafenin band yapısını hesaplamak için sıkı bağlanma metodu kullanıldı. Grafenin band yapısı ilk olarak 1947 yılında Wallace tarafından hesaplandı [2]. Grafenden oluşturulan malzemelerin elektronik özellikleri, grafenin tabakasına bağlı olduğu ve ayrıca tabaka sayısı kontrol edilerek özelliklerin de değişebileceği vurgulanmıştır. Bu yüzden çok tabakalı grafenin metalik iletken olmasına karşın tek tabakalı grafen bir yarı iletken olduğu belirtilmiştir [57].

Grafenin yapısında yer alan elektronların kütlesiz rölativistik parçacıklar gibi davranması sonucu bir takım olağandışı kuantum etkilerinin gözlenmesinin [58, 59] yanı sıra oda sıcaklığında 25.000 cm²/Vs elektron mobilitesi [60] ve yaklaşık 2675 m² /g’lik geniş yüzey alana sahiptir [35, 61]. Grafenin termal iletkenliği, elmastan üç kat daha yüksek olup yaklaşık 5x10³ W/mK değerindedir [4]. Ayrıca grafen mükemmel iletken bakırdan bile daha yüksek termal iletkenliğe sahiptir. Yüksek termal iletimi ve yüksek

16

yüzey alana sahip olan grafen, verimli ısı dağılım malzemesi için de aday olur. Tek katmanlı grafenin termal iletkenliği Mikro-Raman Spektroskopisi ile test edilmektedir.

Grafenin umut verici ve en ilgi çekici özelliğinden biri tartışmasız yüksek elektron taşıma kabiliyetinin elektronik araçlarda kullanımıdır. Grafen de her karbon atomu 3 tane komşu karbon atomuyla б (sigma) bağı yaparken, 2pz orbitaliyle de π bağı yapar.

pz orbitalinden kaynaklanan dekolize π elektronları sayesinde 15 000 cm²/Vs (ilginçtir ki saf askılı grafen için 20000 cm²/Vs teorideki tahmin ile karşılaştırılabilir) gibi yüksek bir elektron taşıma kabiliyetine sahip olurlar [60]. Günümüzün elektronik cihazlarının çoğunun temelini oluşturan yüksek elektron taşıma kabiliyeti, silikondan (~1400 cm²/Vs) [4] çok daha yüksektir.

Şekil 1.14. Grafenin dalgalı yapısı.

Son yıllarda yapılan bilimsel çalışmalarda grafenin kendi içinde dalgalı bir yapıya sahip olduğu anlaşılmıştır. Şekil 1.14’de grafenin dalgalı yapısı gösterilmektedir.

Karbon allotropları yapay yolla sentezlenirken elmas ve grafit doğada serbest olarak bulunabilmektedir. Termodinamiksel hesaplamalara göre grafit, elmastan daha karalı olmaktadır. Grafenin kararlı yapısının altında yatan sebep yüzeye dik termal dalgalanmalar olduğu düşünülmektedir. Bu yapı grafene esneklik kazandırırken bir taraftan da mekanik özelliklerine katkı sağlamaktadır. Grafenin hem dalgalı olması hem de iki boyutlu olmasının sonucu olarak yüzey alanı oldukça fazladır [35, 61].

Yüzey alanın fazla olması hem elektrokimyasal uygulamalarda hem de adsorpsiyon

17

yoluyla ayırma yöntemlerinde uygulanabilirliği artırarak popüler araştırma konusu olmuştur.

Çizelge 1.2. Grafenin bazı özellikleri

GFAFENİN ÖZELLİKLERİ