SAÜ Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9.Cilt, !.Sayı 2005 Cdzns ve Zno Yarıiletken Filnılerinin Ya,3 Enerji Aralıkları- S. ILlCA\
CdZnS
veZn O YARIİLETKEN FiLMLERİNİN
YASAK ENERJİ ARALIKLARI
Sali ha ILI CAN*, Yasenıiıı ÇAGLAR, * Müjdat ÇAGLAR *
Özet- Il-VI bileşik yarı iletkenleri çeşitli elektro-optik aygıtlardaki uygulamalarından dolayı oldukça önemlidir. Bu filmler çeşitli opto-elektronik aygıtlarda etkin olarak kullanılmaktadırlar. Bu çalışmada, CdZnS ve ZnO filmleri püskürtnıe (spray pyrolysis) yöntemi ile farklı koşullarda elde edilmiştir. Filmierin optik özellikleri incelenmiştir. Bu filmterin yasak enerji aralıkları, 200-900nm dalgaboyu bölgesindeki soğurma spektrumları ile belirlenmiştir. Bu filmler doğrudan bant araliğına sahip olup, yasak enerji aralıkları CdZnS'1 tilıni için 2.90eV, CdZnSb filmi için 2.97e\1 ve Zn O filmi için de 3. lle V olarak
bulunnıuştur.
Anahtar Kelinıe/er - CdZnS, ZnO, Soğurma Spektrumu , Yasak Enerji Aralığı
Ahstract - II-VI compound semiconductors are of great importance due to their applications in various electro-optic devices. These films have been utilized effectively in various opto-electronic devices. In this study, CdZnS and ZnO films have been prepared in different deposition conditions by the spray pyrolysis method. The optical properties of these films have been investigated. The band gap of these films is studied by absorption spectra in the wavelength range of 200-900 nın. These films have a direct band gap, \-Vhich are 2.90eV for CdZnSa film, 2.97eV for CdZnSb film and, 3.1 le V for Zn O film.
Key Words - CdZnS, ZnO, Absorption Spectrum, Energy Band Gap
* Anadolu Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Eskişehir Tel: O ?11 .3350580, S.llıcan: [email protected]: Y. Cağlar:
yascııı i ııcaglar(a an ad o 1 u .edu. tr : M. Çağlar: [email protected]
48
ı. GİRİŞ
Periyodik cetvelin II. grup elenıentlerinden olan Zn, CC: Hg VI. grup clcınentlcri olan O, S, Se ve Te ile 12 tan
ikili bileşik oluştururlar. Ayrıca bu bileşikler ile üçlL dörtlLL hatta beşli bileşikler de oluşhırulmaktadır. Yasa enerji aralıklarının geniş bir bölgeyi kapsanıasında dolayı bunlar tcknolojide ve biliınsel çalışınalard oldukça fazla kullanılnıaktadırlar. Bunlar, Infrare dedektörlerin görüntü sisteınleri, yüksek enerji1 radyasyon dedcktörleri, televizyon kamera tüplerindek fotoiletken görüntti detektörleri, güneş pilleri, lazerler elektrolünıinesans diyotlar gibidir [ 1, 2]. İyi kalitede te'
kristaller çeşitli suni kristal büyütıne tekniklerinit
geliştirilnıesindcn sonra üretilnıiştir. fl-VI bileşiklerinit
eneıj i bant aral ı ğı 1. 8-4e V arasında değişn1ektedir [3]. Yarıiletkenlerin band yapılarını belirleınek için en yaygıı ve belki de en basit nıetot, tenıel soğurına yön�enıidir Soğurnıa, yarıiletkene gelen elektronıanyetik dalga ih
nıaddedeki elektrik yüklerinin etkileşmesi sonucu ortay çıkan eneıj i kaybı olayıdır. Sağurma işleminde eneıj i�
belli bir foton bir elektronu düşük enerji seviyesinde'
daha yüksek bir enerji seviyesine uyarır. Bu yüzden bı spektruında nıünıkün olan tüm geçişler, yarıiletkeniı yasak enerji aralığı ve bant tipi hakkında bilgi verebilir.
Ka1ınlığı w olan nunıuneye 10 şiddetli ışın gönderilirse. bı
ışın I şiddeti ile nunıuneyi geçecektir. Böylece I0 ile arasında üste) olarak,
I = I o c-a. w ( 1 )
şek I inde bir bağıntı olacaktır. Burada; 10 nunıuneye geleı ışının şiddeti, I nuınuneyi geçen ışının şiddeti, a linecı
soğurnıa katsayısı, w nunıunenin kalınlığı olarah
tanınılanır. Soğurnıanın nıaksinıum olduğu durunıdr nuınuneyi geçen ışının şiddeti sıfır (I = O) olacaktır.
S.\C Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9.Cilt, !.Sayı 2005
•
Yarı i !etken n unıunenin bant yapısını öğrenmenin en kcstirıııe ve belki de en basit yolu soğurnıa spektruınlarını
�eknıektir. Yarı iletken nıaddelerin bant yapısı gereği �elen ışının soğurulnıası farklı şekillerde
�erçcklcşnıektedir. Bunlar; tenıel sağurma olayı,
=ksitonların soğurması, serbest taşıyıcıların soğurması, :\atkı atanılarının (inıpurity) soğurnıası, sıcak elektron
:hot electron) yardımıyla soğurnıa, eşelektronik tuzaklara
�isoelcctronic trap) bağlı soğurnıa, alıcı-verici arası 2eçi�kr. bant içi (intraband) geçişler ve örgü 3oQ:urnıas ı d 1 r.
...
Bu soğurına olaylarından bazılan aynı anda birlikte
serçeklcşebilir. Soğurnıa spektrumlarını incelemek ıunıunenin bant yapısı hakkında bilgi vereceğinden, de Szellikler1 incelenıede de ipucu olacaktır. Çünkü soğurnıa ;pektnınıları ışın ile, de ölçünıler ise akını ile uyarınayla �crçck lc�nıe kted ir. B urada sadece te nı cl soğurnıa ıakk ı nda b i lgi verilecektir.
3anttan banda geçişi tenısil eden tenıel soğurnıa olayı,
ieğcrl ik bandındaki bir elektronun nurnuneye gelen ş ın dan bir foto n sağurarak i letinı bandına geçmesi olarak
ıdlandırılabilir (Şekil l .a). Bunun için fotonun enerjisinin asak enerji aralığına en az eşit veya ondan büyük olması �erekir. Gelen fotonun frekansı v ise,
, > E� - 1 h
�aLılabilir. Gelen fotonun dalga boyu Ag ise, '�l! <hc/Eıı
� �
>lmalıdır.
(2)
(3)
3urada� h Planck sabitini, c ışık hızını göstermektedir.
E İletinı bandı - · - · - · - · - · - · -- . - . -:...:..· ;:...;:....a---ı-�· · ::...:.::._ · . - . - . -Değerlik bandı k
Cdzns ve Zno Yarıiletken f<ilmlerinin Yasak
Enerj i Aralıkları- S. ILICAN
Gelen ışının sağurma sınırı ise fotonun v0 frekansında gerçekleşir ve v0>Eg/h frekansı sağurma sınırı olarak
adlandırılır.
Soğurnıa spektrumunda tenıel sağurma hızi ı bir artış olarak kendini gösterdiğinden, yarıiletkenin eneıj i aralığının belirlennıesinde kullanılır [4].
Şekil 1 .b' de yarıiletken için temel sağurma spektrumu görülnıektedir. Şekil l .b' den görüldüğü gibi Ag dalga boyuna yakın dalga boylarından itibaren soğurmada sürekli bir artış gözlenir ve Ag'den sonra bir denge değerine ulaşır. Yarıiletken numune Ag dalga boyundan küçük dalga boylannda kuvvetli bir soğurucu, Ag dalga boyundan büyük dalga boylarında ise hemen hemen geçirgen özellik gösterir. Bu iki bölgeyi ayıran sınır, temel soğurnıa sınırı olarak adiandı rı lır.
Tenıel sağurma sınırında yan iletken lerde, a) doğrudan bant geçişi
b) dalaylı bant geçişi
olmak üzere iki tür geçiş olayı vardır. Ayrıca bant kuyrukları (tail) arasında da geçişler olabilir.
i) Doğrudan bant geçişi
İletinı bandının minimumu ile değerlik bandının maksimumu enerji-moınentum uzayında aynı k değerinde ise (�k = O) bu tür geçişlere doğrudan bant geçişi d eni 1 nı ektedir.
Ag Dalga boyu, A
'
(a) (b)
�ckil l.a) Bir yarıilctkende temel sağurma olayı, b) Bir yarıiletkendc temel sağurma spektrunıu
SAÜ Fen Bilinıleri Enstitüsü Dergisi 9.Cilt, l .Sayı 2005
Doğrudan bant geçişi gelen fotonun enerjisinin, yaniletkenin enerji aralığına eşit olduğu durumda Şekil
2 ' de 1 geçişi olarak; gelen fotonun enerjisinin,
yaniletkenin enerji aralığından büyük olduğu duruında ise Şekil 2'de 2 geçişi olarak görülmektedir.
E ... Er Eg ... .. --- -+ 2 hv ı
Şekil 2. Bir yarıiletkende doğrudan bant geçişi
Ei ilk dunını, Er son durum eneıji seviyesi ise, bu duruın
ile ifade edilir. Parabclik bantlarda ise
ve E Değeri ik bandı (a) (4) (5) (6) İletim bandı k k
Cdzns ve Zno Yaniletken Filnılerinin 'ı'as Enerji Aralıkları- S. ILlCA
yazılabilir. Burada; nı
:
elektronun etkin kütlesi ni, mholün etkin kütlesini göstermektedir.
(5) ve (6) denklemleri ( 4) denkleminde yerine yazıhrsa, (7)
elde edi 1 ir.
Doğrudan geçişlerde eksiton oluşunıu veya elektron-IH etkileşinıi dikkate alınnıazsa soğurnıa katsayısı a, gele
fotonun en c rj is ine,
*
ifadesiyle bağlıdır. Buradaki A değeri, * *
Yı
q2 ?-nı ---h me -* * * nı h +nı e A � ---' * nch -nı e (8) (9)ile verilir. n değeri ise izinli doğrudan geçişler için 1: izinsiz doğrudan geçişler için ise 3/2 değerlerini alabil�
bir sabittir [ 5].
ii) Dotaylı bant geçişi
Yarıiletkende ilctim bandının minimumu ile değerlı bandının nıaksiınumu enerji-monıentum uzayında ayııı değerine karşılık gelmiyorlarsa (�k =1= O) bu tür geçişlcı
delaylı bant geçişi denilmektedir (Şekil 3).
E İl eti n bandı E ---g o - - --=::-===---t---Değerlik bandı hv E o ...__ ____ ---::� (b) k
Şekil 3.a) Bir yarıiletkende dolayi ı vadiler arası dolaylı bant geçişi, b) Doğrudan vadiler arası dolayh bant geçişi
•
S-\L !'en Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9.Cilt, !.Sayı 2005
Oolaylı geçişlerde enerji korunur, fakat nıomentunı korununıu için bir fononun salınıını veya sağurulması gereklidir. Bu iki geçiş
h'':ı=Eı-E,-EP
ilc verilir.
(fonon salınımı için)
(fonon soğurulnıası için)
( 1 O)
( 1 ı )
Fon on soğurnıa I ı geçiş ıçın sağurma katsayısı,
h\') E g - E P d ur u nı u i çi n A(hv-E g - E ) 11 a. ,ı (hv)= P E ile verilir. cxp P - ı kT (1 2)
ronoıı salınınılı geçiş ll\')Eg +E 11 durunıu için,
. . ıçın soğurına katsayısı, A(hv-E +E )11 ı � Jl o.l(n·)= � EP I- cxp(- ) kT ( 1 3)
ile Yerilir. Burada. dotaylı vadiler arası dalaylı geçişler (Şekil 3.a) için n=2� doğrudan vadiler arası dalaylı geçişler (Şekil 3.b) için n=3 alınır. Henı fonon salınınıı
hem de tonon soğurulnıasının olnıası durunıunda ... '
a.( h v) = aa (h\') + a e (h v) ( 1 4)
ile verilir.
Çok düşük sıcaklıklarda fonon yoğunluğu küçük
olacağından, aa da küçük olacaktır. aa ve ac soğurnıa
ktıtsayılan sıcaklığa bağlıdır. Soğurma katsayısı a'nın
k.ırc�ökünün, hv"yc lineer olarak bağlılığı Şekil 4'te
'crilıııcktedir. Böyle bir grafikte a=O için elde edilen
lkgcrkr Eg-Ep ve Eg +Ep değerleridir.
Il. GEREÇ VE YÖNTEM
'ı'a�ak enerji aralığının belirlenmesinde en çok kullanılan
�öntcnı tenıci soğurnıa spektrunıudur. Sağurma katsayısı
ıle yasak enerji aralığı arasındaki bağıntı (8) denklenıi ile
\'erilmiştir.
Bu yöntcnıcte ( rJ.lıV)11'nin hv'ye göre değişinıi çizilir
(Şekil 4). Grafiğin lineer olduğu kısına karşı gelen
doğrunun lıv eksenini kestiği noktanın ((ahv)n=O'da)
cnc.ıji değeri o nurnunenin yasak enerji aralığı değerini \'Crır. Nunıune n=2� 3 ise doğrudan bant aralığına n= 1 /2·
312 ise dolayi ı bant aralığına sahip olacaktır.
' '
CciZnS ve ZnO fılnılcri püskürtıne yöntenıi ile canı
tabanlar üzerine elde edilnıişlerdir.
51
Cdzns ve Zno Yarıiletken Filn1lerinin Yasak Enerji Aralıkları- S. ILICAN
• • • • 1 1 1 1 1 Eg
Şekil 4. (a.hvt'nin hv' ye göre değişinıi
hv
CdZnS filnılerinin içerisinde bulunnıası istenilen Cd Zn '
ve S eleınentlerini içeren bileşiklerin kinıyasal tuzları,
saf su içerisinde ayrı ayrı çözülerek 0,0 ı M ve 0,05M nıolaritelerde çözeltiler hazırlannııştır. Kadmiyum (Cd) kaynağı olarak CdC12.H20 tuzu, Çinko (Zn) kaynağı olarak ZnCI2 tuzu ve Sülfür (S) kaynağı olarak H2NCSNH2 tuzu kullanılnııştır. CdZnS fılnılerini elde
etnıek için hazırlanan sulu çözeltilerden Cd/Zn: 1 \'C CdZn/S: 1 oranlarında karıştırılnııştır. İki farklı molaritc ve farklı elde edilnıe pareınetreleri değiştirilerek elde
edilnıiştir. ZnO fılnıini elde etmek için
Zn(CH3COO)ı.2H2 tuzu kullanılarak, O, 1 M
konsantrasyonunda sulu çözelti hazırlann1ıştır. Filınlerin elde edilmesi ile ilgili detaylar daha önceki çalışmalarda veriln1iştir [6-9]. Filmierin elde edi1ıne şartları Tablo 1 ' de veri lnı iştir.
Tablo 1. Filmierin elde edilme sartları 'l
(.�özelti Taban Çözelti Püskürtme
Madde Molaritesi sıcak lı ğı akış hızı süresı .
(M) (oC) (ml/dk) (dk)
Ctlo,:;Zno.sSa 0,05 275 + 5 3.57 45
C do.:-Zno.:ı;S h 0.0 ı 275 + 5 2,60 80
Zn O o .ı 300 + 5 4,00 60
Elde edilen fıln1lerin oda sıcaklığındaki soğurma spektruınl.arı 200nm ile 900nm arasında tarama bölgesi olan Shın1adzu UV-210 1 PC UV-VIS Scanning Spectrophotonıeter cihazından elde edilnıiştir.
SAÜ Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 9.Cilt, !.Sayı 2005
lll. BULGULAR
Elde edilen filmlerden oda sıcaklığında alınan soğurnıa spektrumlarından yararlanılarak ve eşitlik (8) kullanılarak; n=l/2, 3/2, 2, 3 alınmak üzere (ahv)0'nin
(h\')'ye karşı grafikleri çizilnıiştir. n=2 için en uygun grafikler elde edildiğinden, geçişler doğrudan geçişlerdir. Doğnıdant geçişlerin gözlendiği bölgelerde bir doğru elde edileceğinden bu doğrunun (ahv)2=0 eksenini kestiği nokta (hv-Eg=O ve hv=Eg) yaniletkenin yasak enerji aralığını verir.
Şekil 5' te 275 + 5°C taban sıcaklığında elde edilen
CdZnSu filminin oda sıcaklığındaki temel soğurma 5
ı
-4,5 4 3,5 3 2,5 (a) 2 ı ,5 ı N � E u -... 4,5 4 3,5 3 � 2,5 "--" 2 ı ,5 ı 0,5 o 2,65 4 20 430 440
Cdzns ve Zno Yarıiletken Filnılerinin Yasa·
Eneıji Aralıkları- S. ILICA�
spektrumu (a) ve sağ üst köşede de ( ahv)2'nin fo ton
eneıj i sine göre değişin1i (b) görülmektedir. Soğum1a 460nn1 dalga boyundan başlayarak 424nnı dalga boyun2
doğru hızlı bir artış göstermiştir. Şekil 5 .b' deki grafiği ı
lineer kısn1ının hv eksenini kestiği nokta yasak eneıj·
aralığını verecektir. Bu yasak en e rj i aralığı Eg=2,90e \
olarak bulunn1uştur.
Şekil 6' da 275+5°C taban sıcaklığında elde edilen
CdZnSb fıln1iııin oda sıcaklığındaki tenıel soğurnıa
spektrunıu ve ( ahv)2'nin fo ton eneıjisine göre değişinıi görül ınekted ir. 2,75 450 hv (eV) (b) 460 2,85 4 70 o o ı-o o o j, o .. o " o ı: o �� o o ı !'
l
ı: g •• ı !� :i �� ,, " ii ı: 1; �: �; g i ı· [ .· ı : 1 ' t i i ı ı • ı ' ı ı ' ! 480 Dalgaboyu (nm)Şekil 5. 275+5°C taban sıcaklığında elde edilen CdZnSa filminin oda sıcaklığında (a) temel soğunna spektrunıu (b) (ahv)2 � hv değişinıi
s.-\C Fen Bilinıleri Enstitüsü Dergisi 9.Cilt, !.Sayı 2005 Cdzns ve Zno Yarıiletken Filnılerinin Yasak
Enerji Aralıkları- S. ILICAN
ro
§
;=j >bl) o C/) 3,500...---r---17 ---,ı---, ı • 6- • �.,, r;h. 3,000- '\ � \� > 5!
• -' ı \.. \'- ... � 4 -ı """1.. \\ � 3-1
'\... "' X ı 1 • '\ > ? i • '"\ � - -ı Ep • '·, '-" ., . • • • • • 2 000"" 1 '· ı . ' � � • \ ' . • ı ' •• . -\ \ o \ 1 ••••••• .... _. -,---�- --.-ı·-·-· (-· .,. ,--.,--, __ ... ' :� -· \ \,, 2,6 2, 7 2,8 2,9 ' \ \ ' ' \. \ \ \\ \ •, \,· ... ' -.. ,. 3 3, ı 3,2 3,3 3,4 3,� hv (eV) (b) -(a) ·· ... ___ _ -- - ---- ---...__,___....J 0,000'---..1..-ı _______ ...__ı ______ -..J 350,0 400,0 Dalgaboyu (nnı) 450.0 500,0�e� il o. '75+5°C taban sıcaklığında elde edilen CdZnSb filminin oda sıcakllğında (a) temel soğurma spektrumu (b) (a.hv)2 � hv değişimi
(a) 400 6·�---�---� 5 1\
\-�
4SO Dalgaboyu (nm) • 500)c� ıl 7. J()0+5��C taban sıcaklığında elde edilen ZnO filminin oda sıcaklığında (a) tenıel soğurnıa spektrumu (b) (a.hv)2 � hv değişimi
SAÜ Fen Bilimleri Enstillisü Dergisi 9.Cilt, !.Sayı 2005
Soğurma 450nnı dalga boyundan başlayarak 350nnı dalga boyuna doğru keskin bir artış gösternıiştir. Bu soğurnıa sınırının dışında 450nnı dalga boyundan daha büyük dalga boylarında numune henıen henıen geçirgen, 350nın dalga boyundan küçük dalga boylarında ise kuvvetli bir so ğurucu olarak davranış gösternı iştir (Ş eki 1 6 .a ). Ş eki I 6.b. 'deki grafiğin lineer kısnıının hv eksenini kestiği nokta yasak enerji aralığını verecektir. Bu yasak enerji araltğ1 Eg=2,97eV olarak bulunnıuştur.
Görüldüğü gibi hazırlanıa parametrelerindeki küçük bir
değişik 1 ik elde edi le n fı lın leri n yapısına büyük ölçüde
etki etnıektedir. X-ışınları kırınını desenleri
incelendiğinde CdZnSa [ 6] fı lınin in, CdZnSb [8] filmine
göre daha iyi kristallendiği görülınüştür. Bu nedenle,
Şekil 5 ve Şekil 6' dan hesaplanan yasak eneıji aralıklarının birbirinden farklı alnıası beklenen bir sonuçtur.
Şekil 7' de 300+5°C taban sıcaklığında elde edilen ZnO fılnıinin oda sıcaklığındaki tenıel soğunna spektrumu ve (ahv)2'nin foton enerjisine göre değişinıi görülmektedir. Soğurnıa 450nnı dalga boyundan başlayarak 393nnı dalga boyuna doğru keskin bir artış gösterıniştir. Bu soğurnıa sınırının dışında 450nnı dalga boyundan daha büyük dalga boylarında nunıuııc henıen henıen geçirgen, 393nnı dalga boyundan küçük dalga boylarında ise kuvvetli bir soğurucu olarak davranış gösternıiştir (Şekil 7.a). Şekil 7.h.'deki grafiğin lineer kısmının hv eksenini kestiği
n o k ta yasak enerji aralığın ı verecektir. Bu yasak en e rj i ,ı r:llı ğı Eg-3, 1 1 e V o larak bulunnıuşhır.
LJL.nS Ilinıleri [10, I 1] ve ZnO filnıi [12, 13] için l)lılunan yasak cneıji aralıkları yapılan çeşitli çalışmalarla d � 1 u yu nı i ç i n d c d i r.
IV. SONUÇ
CdZnS ve ZnO fılnıleri püskürtme yöntenıi ile fark 1 ı koşul larda elde ed i 1 nıişti r. Elde edilnıe şartlarına bağlı olarak CdZnS fılnılerinin yasak enerji aralıklarında çok az bir farklılık gözlenıniştir. Elde edilen filmler
doğrudan bant aralığına sahiptir.
KAYNAKLAR
f 1] Jain, M., Il- Vi Semiconductor Compounds, World
Scientific Publishing, Singapare ( 1993 ).
54
Cdzns ve Zno Yarıiletken Filmlerinin Ya,
Eneıj i Ara lı k ları- S. ILI CA
[2] Al-Ani, S.K. J., M akadsi, M.N., Al-Shakarchi, 1.1
and Hogarth, C. A., Preparation, Structural, Optic
and Electrical Properties o.f the Cd Te 1 ·.\'Sr Systenı,
Mater. Sci., 28, 251-258 (1993).
[3] Nag, B.R.,. Electron Transport in C'onıpoıo
Se1niconductors, Springer Verlag, New Yoı
(1980).
[ 4] Bu be, R.H., Photoconductivity o.f Sol i ds, John W ilc
and Sons Ine., London (1970).
[5] Pankove, J.I., Optical Processes in Senıiconductor
Princeton Press., New Jersey ( 1971 ).
[6] llican, S. and Zor, M., Structural and Opticl
Properties oj' Cd0.22Zn0.18S Filnıs Produced by Sprc
Pyro�vsis Method, Anad. Uni. J. Sci. and Tech .. ·
4 7-52 (2003 ).
[7] Ilican, S., Caglar, Y. and Caglar, M., X-Ru
D{ff/·action Studies oj' Undoped and In-Dop(
Cdo.J:Znrc'sS Filnıs Deposi/ed by Spray Pyrolysi.
J.Art and Sci., Çankaya Üniversitesi, 3, 85-9 (2005).
[8] Caglar, Y. and Zor, M., Deposition, Structural an
Optical F)rOJJerties of CdZnSSe Fihns, Anad. C ni ..
Sci. and Tcch., 4, 53-58 (2003).
[9] Çağlar, M., Püskürtme Yönte1ni ile Elde Edilen 1
Katkdt ZnO Fibnlerinin DC ve Optik Özellikler ..
Anadolu Universitesi Fen Bilinıleri Enstitüst
Doktora Tezi, Eskişehir (2002).
[1 O] Agnihotri, O.P. and Gupta, B.K., Cd1_xZnxS Film
.for Loıv Cost Salar Ce/ls, Jpn. J. Appl. Phys., 18, :
317-320 (ı 979).
[l l] Yanıaguchi, T., Yaınaınoto, Y., Tanaka, T. an Yoshida, A., PreJJaration and Characterization (
(Cd.Zn)S Thin Filnıs by Che1nical Bath DepositicJ .for J)hotoı·oltaic Devices, Thin Solid Films, 34.1
344, 516-519 ( 1999).
[12] Messaoudi, C., Sayah, D. and Lefdil, M .. A
Transparent Conducting Undoped and !ndiun. Doped Zinc Oxide Filnıs ?repared by Spr�t
Pyrolysis, Phys. S tat. Sol. ( a), ı 5 ı, 93-97 ( 1995).
[13] Nunes, P., Fernandes, B., Fortunato, E., Vilarinhcı
P. and Martins, R., PeJfornıances Presented by Zi1.l
O.xide Thin Fibns Deposited by Spra; Pyrolysi
