Bu tez kapsamında, yarıiletken özellik gösteren ve optoelektronik, termoelektronik, nanoelektronik ve fotovoltaik aletlerde çok yaygın olarak kullanıma sahip β-FeSi2 filmler
üretildi, bu üretilen filmlerin detaylı analizleri yapıldı. Silisyum temelli β-FeSi2 yarıiletken
silisitler:
• düşük band aralığına ve direk bant geçiş özelliğinde olmaları, • yüksek optik soğurma katsayısına sahip olmaları,
• termo elektrik gücü ve yüksek taşıyıcı mobilitesine sahip olmaları, • silisyumla uyumlu olmaları,
• yapılarına bağlı olarak metalikten –yarıiletken’e kadar değişebilen özellikleri, • göreceli olarak basit üretilebilmeleri,
• toksik etkilerinin olmaması
gibi özellikleri ile elektronik devre teknolojisinde önemli uygulamalara sahip olabileceği günümüze kadar yapılan birçok bilimsel ve teknolojik çalışma ile ortaya konulmuştur. β-FeSi2
yarı iletkeni ışığı güçlü emiciliği ile yeni bir güneş pili malzemesi için kullanılabileceği bir çok çalışmada rapor edilmesine rağmen hali hazırda istenilen verimde ve özelliklerde bir pil yapılamadığından günümüzde bu konuyla ilgili çalışmalarda yoğun bir şekilde devam etmektedir. Bu malzemenin yarıiletken özelliklerinden dolayı literatürde β-FeSi2 filmlerin ve
β-FeSi2 /Si heteroeklemlerin üretimi için çok çeşitli kaplama teknikleri kullanılmıştır. IBS
yöntemi, atımlı lazer kaplama metodu (PLD), radyoaktif epitaksiyel büyütme (RDE), moleküler epitaksiyel büyütme (MBE), termal buharlaştırma, elektron beam buharlaştırma metodu ve sıçratma metotları başlıca kullanılan büyütme tekniklerindendir. Silisyum üzerinde β-FeSi2 film oluşturmak için kaplamadan sonra yaygın olarak ısıl işlem uygulanmaktadır. Bu
işlem difüzyon mekanizmasını hızlandırarak yapı oluşumunu sağlar. Burada söz edilen bütün tekniklerde demir silisid oluşumu için bir ısıl işlem adımı gerekmektedir.
Ancak demir silistlerin yapı-özellik-üretim prosesleri ilişkileri henüz tam olarak açıklığa kavuşturulamamıştır ve bu konuda çalışmalar halen devam etmektedir. 2007 yılında şimdiye kadar sadece demir silisitlerle ilgili SCI’de taranan dergilerde yapılan yayın sayısı 80 civarındadır.
Bu çalışmada β-FeSi2 filmler hiçbir ısıl işlem uygulanmadan n-Si(100) ve p-Si(111) altlıklar
üzerine oda sıcaklığında dengelenmemiş manyetik alanda sıçratma tekniği kullanılarak üretildi. Bu kaplama yöntemi ile β-FeSi2 filmlerin üretilebileceği yapılan yapı analizleri ile
gösterildi ve ilk defa literatürde bu filmlerin herhangi bir ısıl işlem uygulanmadan bu kaplama yöntemi ile elde edilebileceği rapor edildi. Bu tez kapsamında yapı-özellik-üretim proseslerinin ilişkileri anlaşılmaya çalışıldı. Bu ilişkilerin anlaşılmasına yönelik yapılan çalışmalar için şöyle bir diyagram takip edildi:
Yapılan XRD incelemeleri sonucunda; elde edilen FeSi2 filmlerin çeşitli yönelimlerde ve β-
Fazda olduğu, β-FeSi2 filmlerin polikristal yapıda olduğu, β-FeSi2 filmlerin yapısal
özelliklerinin altlık yönelimine ve tipine direkt bağlı olduğu ve hazırlanan β-FeSi2 filmlerin
yapısal özelliklerinin kaplama kalınlıklarına bağlı olmadığı yani film kalınlığından bağımsız olduğu belirlendi. Raman spektrumu incelemeleri sonucunda, β-FeSi2 yarıiletkeninin kristal
yapısına ait literatürde rapor edilen en karakteristik pikler Ag kipine ait olan ~200 cm-1 ve
~250 cm-1 de yer alan piklerdir ve bizim ölçümlerimizde de bu iki şiddetli piki gözlemledik. Bu piklerin orijinal konumlarından kaymalar gösterdikleri tespit edildi. β-FeSi2 filmlerin
kaplama tekniğinden dolayı yapısında oluşabilecek safsızlıklar yüzey periyodikliğini bozacaktır. Aynı zamanda bu safsızlıklar ve yapıdaki oluşacak diğer Fe-Si faz oluşumları β-
β-FeSi2 ince filmlerin
sentezi β-FeSi2 filmlerin Yapı özellikleri β-FeSi2 filmlerin Yüzey özellikleri β-FeSi2 filmlerin Elektriksel ve Optik özellikleri
•
XRD Analizi•
Raman Analizi•
FT-IR Analizi•
GDOES Analizi•
EDS Analizi•
SEM İncelemeleri•
FE-SEM incelemeleri•
AFM İncelemeleri•
Özdirenç Ölçümü•
I-V Ölçümleri•
İletkenlik tipi Ölçümleri•
Fotovoltaik Ölçümleri•
Geçirgenlik ÖlçümleriFeSi2 kristal yapısına belirli bir basınç uygular ve bu basınç nedeniyle örgü periyodikliğinde
de bozulmalar oluşur. β-FeSi2 yapısının haricindeki diğer oluşumların kristal örgü üzerindeki
oluşturduğu bu basınç nedeniyle molekülün titreşim hareketinde değişmeler meydana gelir. Raman spektrumundaki görülen bu piklerinin orijinal yerlerindeki kaymaların nedenini bu şekilde açıklayabiliriz. Yapılan GDOES ölçümlerinde kaplama süresinin değişimi ile kaplanan Fe film ile Si altlığın ara yüzey bölgesinin kalınlığının değişmesi ve bu sayede o bölgede oluşan β-FeSi2 filmin kalınlığının artığı gözlendi. Dolayısıyla elementel analiz
sonuçlarına göre bizim ince film yapımız sandviç şeklindedir ve sırasıyla yüzeyde Fe film, ara yüzeyde β-FeSi2 film ve tabanda Si altlık yapıyı oluşturuyor.15 keV enerjili elektronlarla
alınan EDS verileri incelendiğinde atomik olarak Si %48 civarında ölçülürken Fe %52 civarında ölçülmüştür. Bu sonuçlara bakıldığında ölçümün yapıldığı bölgenin hem demirce zengin hem de silisyumca zengin olduğundan dolayı Fe film ile Si altlığın ara yüzey bölgesi ve aynı zamanda β-FeSi2 filmlerin oluşum bölgesi olduğunu söyleyebiliriz. Şekil 2.20 de
verilen Fe-Si faz diyagramı incelendiğinde β-FeSi2 fazının oluşumu için gerekli olan yüzde
demir ve silisyum oranının çizelge 4.3 deki oranlarla uyuştuğu görülüyor. Bu bölgeden alınan β-FeSi2 filmlerin EDS analizindeki Fe ve Si oranları göz önünde bulundurulduğunda bu
bölgede stokiyometrik oranda β fazda bir oluşumdan söz edebiliriz.
β-FeSi2 filmlerin yüzey özelliklerini araştırmak için SEM, FE-SEM ve AFM görüntüleri
incelendi. SEM analizi sonucunda n-Si(100) ve p-Si(111) altlıklar üzerine büyütülen β-FeSi2
filmlerin yüzeylerinin benzer şekilde olduğu ve çok pürüzsüz ve düzgün bir yapıda olduğu görüldü. Fakat zamanla filmlerin yüzeylerinde safsızlıklar ve farklı faz oluşumlarından dolayı tane sınırlarının belirginleştiği ve yüzeyde çeşitli çatlaklar oluştuğu gözlendi. FESEM görüntülerinde aslında bu filmlerin yüzey morfolojilerinin yaklaşık 100 nm büyüklüğündeki elips şeklindeki nano-adacıklardan oluştuğu tespit edilmiştir. FESEM ara kesit görüntüsünden β-FeSi2 filmlerin büyüme morfolojilerinin çok iyi kolansal özellik göstermediği tespit edildi
ve film kalınlıkları yaklaşık olarak bu görüntülerden belirlendi. Bütün örneklerin AFM görüntüleri incelendiğinde (111) yönelimli altlıklar üzerine büyütülen filmlerin yüzeylerinin (100) yönelimli altlıklar üzerinde elde edilen filmlere göre daha düzgün bir yüzeye sahip olduğu ve oluşan tane boyutları ve yönelimlerinin altlığa bağlı değişim gösterdiği görülmüştür. Aynı zamanda kaplama koşullarının da üretilen β-FeSi2 filmlerin yüzey
özelliklerine direk bağlı olduğu yapılan mikroskobik çalışmalarda anlaşılmıştır. Bu sonuçlar ışığında kaplama prosesi ile β-FeSi2 filmlerin yüzey özelliklerinin istenildiği şekilde
yüzey şartlarına bağlı olduğu belirlendi. Kaplama parametreleri ve altlığın yüzey özelliklerinin optimizasyonu ile çok daha düzgün yüzey ve yapı özelliklerine sahip β-FeSi2
filmler elde edilebilir.
FT-IR spektrumu yardımı ile yapılan geçirgenlik ve soğurma spektrumlarından β-FeSi2
filmlerin optik özellikleri incelendi. β-FeSi2 filmler için alınan bütün optiksel geçirgenlik ve
soğurma grafikleri benzer çıkmıştır. β-FeSi2 filmin optiksel geçirgenlik spektrumu
incelendiğinde uzak kızılötesi (Far-Infrared) bölgeye doğru geçirgenliğin yüksek olduğu ve yakın kızılötesi (Near –Infrared) bölgede ise geçirgenliğin gittikçe azaldığı gözlendi. Aynı şekilde optiksel soğurma spektrumunda ise yine yakın kızılötesi bölgede soğurmanın maksimum olduğu görülmektedir. β-FeSi2 filmlerin bant kıyılarındaki optiksel soğurmalardan,
β-FeSi2 filmlerin direkt geçiş karakteristiğine sahip bir yarıiletken olduğu ve yasak enerji
aralığı 0,85 eV olarak belirlenmiştir.
Elektriksel özelliklerini incelemek amacıyla p-β-FeSi2/n-Si(100) ve p-β-FeSi2/p-Si(111)
olmak üzere iki çeşit p-n ve p-p heteroeklemler hazırlandı. β-FeSi2 filmlerin iletkenlik tipleri p
tipi olarak belirlendi ve özdirençlerinin filmlerin kalınlığına bağımlı olarak arttığı görüldü. Yapılan karanlık I-V ölçümlerinde p-β-FeSi2/n-Si(100) heteroeklemlerin doğrultma
özelliklerinin p-β-FeSi2/p-Si(111) heteroeklemlere göre daha iyi olduğu, ideal diyot
karakteristiğine yakın davranış sergilediği ve bu eklemlerin diyot parametrelerinden ideallik faktörleri ve bariyer yükseklikleri belirlendi. İdeallik faktörlerinin kalınlıkla birlikte azaldığı 1 değerine yaklaştığı görüldü. p-β-FeSi2/p-Si(111) heteroeklemlerin bariyer yüksekliği ~0,59
eV civarında hesaplanmıştır. p-β-FeSi2/n-Si(100) heteroeklemlerin bariyer yüksekliği ise
~0,63 eV civarında hesaplandı. Aydınlıkta yapılan akım-gerilim ölçümlerinde bu eklemlerin hepsinin ışığa duyarlı olduğu ve hem silisyum tarafından hem de silisit tarafından yapılan aydınlatma neticesinde her iki tarafında ışığa duyarlılığı belirlendi. Bu eklemlerin fotovoltaik parametreleri incelendiğinde en yüksek parametrelerin 6 dk kaplama süresinde üretilen p-β- FeSi2/n-Si(100) heteroeklemlere ait olduğu ve Voc=354mV, Isc=120µA ve ff=0,18 olarak
hesaplanmıştır. Bu heteroeklemlerin başka bir dikkat çeken özelliği ve doğrultma katsayısının (Idoğru/Iters =120) ve ters yöndeki aydınlıkdaki akımın, karanlıkdaki akıma oranının (yani fotoduyarlılığın) yüksek olmasıdır (Iaydınlık/Ikaranlık =250). Bu özellik p-β-FeSi2/n-Si(100)
heteroeklemleri fotodiyod gibi kullanılmasına imkân sağlar. Bu çalışmada kullanılan Si altlıkların ve üretimini gerçekleştirdiğimiz β-FeSi2 filmlere ait enerji seviyeleri şematik olarak
olup bu yarıiletkenlerin yasak bant genişlikleri ise Eg1=0,85 eV ve Eg2=1,12 eV olarak verildi.
Altlık olarak kullanılan silisyum yarıiletkenlerinin özdirençleri ρn-Si=4,5-10 ohm-cm ve ρp-Si=
10,5-19 ohm-cm civarındadır. β-FeSi2 yarıiletkenin termodinamik çıkış işi Φβ-FeSi2= 4,97 eV
ve n-Si yarıiletkeninin çıkış işi ise Φn-Si=4,15 eV değerindedir.
Dengelenmemiş manyetik alanda sıçratma tekniği kullanılarak oda sıcaklığında hızlandırılmış Fe atomlarının, daha önce (glow discharge) Ar iyonları ile temizlenmiş ve NMK ile bombardıman edilerek (dağlanarak) aktif hale getirilmiş Si altlıkların yüzeylerine çarpması ve bu çarpışma neticesindeki momentum transferi ile kaplama işlemi gerçekleştirilmiştir. Üretilen filmlerin yapı, yüzey, elektrik ve optik özellik incelemeleri ile β-FeSi2 filmler detaylı
olarak incelendi. Bu filmlerin oda sıcaklığında ve hiçbir ısıl işlem uygulamadan üretiminin başarılması önemlidir. Kaplamadan önce yapılan temizlik işlemi ve nötral molekül kaynağı ile hızlandırılmış Ar+ iyonları ile bombardıman edilerek altlıkların yüzeyleri dağlanmıştır. Bu işlem Fe atomları ile kaplanacak Si altlıkların yüzeylerinde nano-oyuklar gibi çeşitli hatalar ve kusurlar oluşturur. Silisyum altlıklar içindeki bu nano-oyuklar tuzakların merkezinde olup Fe atomlarının Si içerisine çok daha hızlı ilerlemesini sağlayarak difüzyonu hızlandırır ve β- FeSi2 oluşumuna neden olur. Ayrıca dengelenmemiş manyetik alanda sıçratma tekniği çok
güçlü bir manyetik alan sağladığı için bu manyetik alanda Fe atomları çok daha hızlı ve enerjili bir şekilde Si altlığa ulaşır ve yüzeye çok güçlü bir şekilde çarpar. Bu olayda yine Si altlık yüzeyinde iyon bombardıman etkisi yaparak Fe atomlarının silisyum içerisine daha iyi yayınmasını sağlar ve bu şekilde β-FeSi2 oluşum mekanizmasına katkıda bulunur. FeSi2
filmlerin β- fazda ısıl işlem uygulamadan direkt üretilmesini açıklayan hipotezimiz bu şekildedir.
β-FeSi2 filmlerin yapı özelliklerini iyileştirmek için farklı şekillerde bombardıman işlemi
uygulandı ve etkileri incelendi. İki çeşit bombardıman işlemi yapıldı bu işlemlerden ilkinde kaplamadan sonra üretilen β-FeSi2 filmler iyon bombardımanına tabi tutuldu, diğer işlemde
ise β-FeSi2 filmlerin üretimi sırasında yardımcı olarak iyon bombardımanı kaplama sırasında
kullanıldı.
Kaplamadan sonra filmlere hızlandırılmış Ar+ iyonları uygulanan iyon bombardımanı neticesinde β-FeSi2 filmlerin yapı özellikleri XRD, Raman ve EDS analizleri ile incelendi ve
bu bombardıman işlemi neticesinde β-FeSi2 filmlerin kristalliğin azaldığı ve yapının amorf
yapıya döndüğü belirlendi. Bu işlemin β-FeSi2 filmlerin yapısal özelliklerini kötüleştirdiği
küçüldüğü ve spektrum piklerindeki kaymalardan yapı üzerinde stresin arttığını da söyleyebiliriz. Bombardıman edilmiş örneğin FE-SEM resimlerine bakıldığında yüzey morfolojisi β-FeSi2 filmlerin yüzey morfolojisine göre farklılıklar gösterdiği görülüyor.
Öncelikle β-FeSi2 filmlerin yüzeyindeki adacıklı yapının iyon bombardımanın neticesinde
kaybolduğunu ve daha pürüzsüz bir yüzeye sahip olduğunu söyleyebiliriz. Bombardıman edilmiş β-FeSi2 filmin kolansal yapısı ise bombardıman edilmemiş örneğe göre daha kötüdür.
Sonuç olarak iyon bombardımanı β-FeSi2 filmlerin yüzeylerini daha düzleştirdiği ve
yüzeydeki tanelerin daha küçüldüğü ve daha homojen boyutta olmasına neden olduğu saptanmıştır.
Kaplama sırasında iyon bombardımanı ile üretilen β-FeSi2 filmlerin yapı ve yüzey özellikleri
yine kaplamadan sonra bombardıman edilmiş β-FeSi2 filmler gibi incelenmiştir. Kaplamadan
sonra bombardıman edilmiş filmlerin tersine kaplama sırasında iyon bombardımanı yardımı ile üretilen β-FeSi2 filmlerin yapısal özellikleri çok daha iyileşmiştir. Bu filmlerin
kristalliğinde artma olduğu ve daha iri tane yapılarına sahip olduğunu piklerin şiddet ve spektral genişliklerine bakarak söyleyebiliriz. Fakat bu piklerin Raman spektrumuna bakıldığında yine piklerin konumlarında belirli kaymalar gözlendi ve bu kaymaların iyon bombardımanının yapı üzerinde stresi arttırdığından kaynaklandığını söyleriz. Ayrıca yapılan EDS elementsel analizi sonuçları da Fe ve Si atom oranlarının β-FeSi2 yapının stokiyometrik
oranına yakın olduğu görülmüştür. Bu örneklerin yüzeyi üzerinde hiçbir işlem yapılmamış β- FeSi2 örneğe göre poruslu (gözenekli) ve pürüzlü bir yüzey görünümüne sahiptir. Ara kesit
görüntüsünde ise kaplama süresince iyon bombardımanı yardımı ile üretilen β-FeSi2 filmlerin
çok daha iyi bir kolonsal yapıya sahip olduğu ve bu kolonların diğer örneklere göre daha kalın olduğu açıkça görülmektedir. Bu da filmlerin büyüme morfolojisinin kaplama süresince yapılan iyon bombardımanının etkisi ile iyileştiği anlamına gelir. Bu örneğin AFM görüntülerinden yüzey topografyasını incelediğimizde yüzeyin diğer büyüttüğümüz örneklere göre çok daha pürüzlü ve iri tanelere sahip olduğunu açıkça söyleyebiliriz. Filmin RMS ile ölçülen yüzey pürüzlülüğü değeri 5,12 nm olarak belirlendi. Filmlerin genel görünümünde nano-oyukların sayısındaki artma ile birlikte filmin büyük ve yoğun tane yapısı direkt gözlenmektedir.
Bu sonuçlar β-FeSi2 filmlerin yapısının iyon bombardımanı işlemine bağlı olarak ciddi
şekilde etkilendiği gözlendi. Bu işlem ile β-FeSi2 filmlerin yapısal özellikleri istenilen şekilde
değiştirilerek optoelektronik, termoelektronik, nanoelektronik ve fotovoltaik aletlerde kullanımına uygun şekilde üretilmesi sağlanabilinir.
KAYNAKLAR
Ayache R., Bouabelou A., Richter E., (2004) “Optical Characterization of β-FeSi2 Layers
Formed by Ion Beam Synthesis” Materials Science in Semiconductor Processing 7, 463-466 Borisenko V.E. (Ed.), (2000) “Semiconducting Silicidies, Springer” Berlin
Bost M.C. and Mahan J.E., (1985) “Optical properties of semiconducting iron disilicide thin films” J. Appl. Phys. 58, 2696
Behar M., Bernas H., Desimoni J., Lin X.W., Maltez R. L., (1996) “Sequential phase formation by ion-induced epitaxy in Fe-implanted Si(001)” Study of their properties and thermal behavior, J. Appl. Phys. 79, 752
Caferov, T., (1998) Yarıiletken Fiziği 1, Yıldız Teknik Üniversitesi Matbaası, İstanbul Chiristensen N.E., (1990) “Electronic structure of β-FeSi2” Phys. Rev. B42 7148
Chu S., Hirohada T., Kan H., Hiruma T., (2004) “Electroluminescence and response characterization of β-FeSi2 -Based Light-Emitting Diodes” Jpn. J. Apll. Phys., Part 2 43
L154
Daractchieva V., (2000) Beleva M., Garanova E., Angelov Ch., “Ion beam synthesis of beta- FeSi2 ” Vacuum 58, 415
Dusausoy Y., Protas J., Wandiji R., Roques B., (1971) “Structure cristalline du disiliciure de fer, FeSi2 β” Acta Cryst. B 27 1209
Dreseand R.J. and Wuttig M., (2005) “Stress evolution during growth in direct-current- sputtered zinc oxide films at various oxygen flows” J. Appl. Phys. 98, 073514
Ehara T., (2001) “β-FeSi2 Base MIS Diodes Fabricated by Sputtering Method” Applied
Surface Science 175-176, 96-100
Galkin N.G., Maslov A.M., Talanov A.O., (2002) “Electronic structure and simulation of the dielectric function of beta-FeSi2 epitaxial films on Si(111)” Physics of the Solid State 44 714-719
Goss N. P., (1935) Trans. Am. Soc. Metals, 23, 515
Green M.A., (1982) “Solar Cells” Englewood Cliffs, New Jersey
Grigoriev S., Melnik Y., Metel A., (2002) “Broad Fast Neutral Molecule Beam Sources for Industrial-Scale Beam Assisted Deposition” Surface and Coatings Technology 156, 44
Hinze J., and Ellmer K., J. (2000) “In situ measurement of mechanical stress in polycrystalline zinc-oxide thin films prepared by magnetron sputtering” Appl. Phys. 88, 2443 Homewood K.P., Reeson K.J., William R. M. G., Kewell A.K., Lourenço M.A., Shao G., Chen Y.L., Sharpe J. S., McKintey C.N., Butler T., (2001) “Ion Beam Synthesized Silicides : Growth, Characterization and Devices” Thin Solid Films 381, 188-193
Kuroda R., Liu Z., Fukozawa Y., Suzuki Y., Osamura M., Wang S., Otogawa N., Ootsuka T., Mise T., Hoshino Y., Nakayama Y., Tanoue H., Makita Y., (2004) “Formation of Thin β- FeSi2 Template Layer for the Epitaxial Growth of Thick Film on Si(111) Substrate” Thin
Kasap S.O., (2001) “Optoelectronics and Photonics: Principles and Practices” Prentice-Hall Inc., New Jersey
Kaufman H., Robinson R. S., Seddon R. I., (1987) “End-Hall Ion Source” J. Vac. Sci. Technol.A5 (4), 2081-2084
Kubaschewski O., (1982) “Iron-Binary Phase Diagram” Springer-Verlag, New York
Lange H., (1997) “Electronic Properties of Semiconducting Silicides” Physics State Solid (b) 2013
Lange H., (2001) “Electronic Structure and Interband Optical Properties of β-FeSi2” Thin
Solid Films 381, 171-175
Lefki K. and Muret P., (1993) “Photoelectric study of β-FeSi2 on silicon: Optical threshold as
a function of temperature” J. Appl. Phys. 74, 1138
Lefki K., Muret P., Bustarret E., Boutarek N., Madar R., Chevrier J., Derrien J., Brunel M., (1991) “Infrared and Raman characterization of beta iron silicide” Solid State Communications 80, 791-795
Leong D., Harry M., Reeson K.J., Homewood K.P., (1997) “A silicon/iron-disilicide light- emitting diode operating at a wavelength of 1.5 μm” Nature387, 686
Liu Z., Watanabe M. and Hanabusa M., (2001) “Electrical and photovoltaic properties of iron-silicide/silicon heterostructures formed by pulsed laser deposition” Thin Solid Films, Volume 381, 262-266
Lourenço M.A., Butler T.M., Kewell A.K., Gwilliam R.M., Kirkby K.J., Homewood K.P., (2001) “Electrical, Electronic and Optical Characterisation of Ion-Beam Synthesized β-FeSi2
Light Emitting Devices” Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 175-177, 153-163
Lourenço M.A., Gwilliam R.M., Shao G., Homewood K.P. (2003) “Dislocation Engineered β-feSi2 Light Emitting Diodes” Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 206, 436-439
Maeda Yoshito, Umezawa Kenj, Hayshi Yoshikazu, Miyake Kiyoshi, Ohashi Kenya, (2001) “Photovoltaic Properties of Ion-beam Synthesized β-FeSi2 /n-Si Heterojunctions” Thin Solid
Films 381, 256-261
Maeda Y., Umezawa K., Hayshi Y., Miyake K., (2001) “Raman spectroscopic study of ion- beam synthesized polycrystalline β-FeSi2 on Si (100)” Thin Solid Films 381, 219-224
Maeda Y., Terai Y. and Itakura M., (2005) “Enhancement of photoresponse properties of β- FeSi2/Si heterojunctions by Al doping” Optical Materials, Volume 27, 920-924
Makita Y., (1997) “ Materials Availabilty for Thin Film Solar Cells” 1997 The American Institute of Physics 1-56396, 704-9
Markvart T. (Ed.), (2000), Solar Electricity, John Wiley & Sons, England
McKinty C.N., Kirkby K.J., Homewood K.P., Edwards S.P., Shao G., Valizadeh R., Colligon J.S., (2002) “The properties of beta-FeSi2 fabricated by ion beam assisted deposition as a function of annealing conditions for use in solar cell applications” Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms 188:
179-182
Miglio L., Tavazza F., Malegori G., (1995) “Stability hierarchy of the pseudomorphic FeSi2
phases:α,γ,, and defected CsCl” Appl. Physics Latter 67, 2293
Miglio L., Malegori G., (1995) “Origin and nature of the band gap in β-FeSi2” Phys. Rev.
B52 1448
Mahan J., US Patent No. 4782377, US Patent No 4914042
Matsubara K., Kawamura K., Nagao K., Kadonaga Y., Miki T., (1991) “Characterization of Fe x SiO (0< x< 3) Granular Films by Electron Spin Resonance” Jpn. J. Appl. Phys. 30, 2569 Mori Y., Ikai T., Teranishi R., Takarabe K., (2002) “Electronic and structural study of β-FeSi2
under Pressure”, www.das.aus.ac.jp/mori/
Morosov A. I., (1978) “Physical Principles of Cosmic Electro-Jet Engines” (Atomiz-dat Moscow, Vol. 1, 13-15
Minami T., (2000) “New n-Type Transparent Conducting Oxides” MRS Bull. 25, 38
Ozvold M., Bohac V., Gasparic V., Leggieri G., Luby S., Luches A., Majkova E., Mrafko P., (1995), “The optical band gap of semiconducting iron disilicide thin films” Thin Solid films 263, 92
Okajima K., Yamatsugu H., Wen C., Sudoh M., Yamada K., (2001) “Spectral Sensitivity Enhanced by Thin Film of β-FeSi2 – Si Composite Prepared by RF-Sputtering Deposition”
Thin Solid Films 381, 267-275
Onaran K., (2003) “Malzeme Bilimi” Bilim Teknik Yayınevi, İstanbul
Ohring M., (1992) “The Materials Science of Thin Films” Academic Pres Inc., New Jersey Powalla M. and Herz K., “Crystallization of coevaporated β-FeSi2 thin films” (1993) Appl.
Surf. Sci. 65/66, 482–488
Reeson K.J., Finny M.S., Harry M.A., Hutchinson S.V., Tan Y.S., Leong D., Bearda T.R., Yang Z., Curello G., Homevood K.P., Gwilliam R.M., Sealy B.J., (1995) Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B106, 364
Rousseau D. L., Bauman R.P., Porto S.P.S., (1981) “Normal mode determination in crystals” J. Raman Spectroscopy 10, 253
Schuller B., Carius R., Lenk S., Monti S., (2001) “Optical Properties of β-FeSi2 Precipitate
Layers in Silicon” Optical Materials 17, 121-124.
Schuller B., Carius R., Lenk S. and Mantl S., (2002) “Luminescence lifetime of the 1.5-μm emission of β-FeSi2 precipitate layers in silicon” Microelectronic Engineering, Volume 60,
205-210
Senthilarasu S., Sathyamoorthy R., Lalitha S., (2004) “Synthesis and Characterization of β- FeSi2 Grown by Thermal Annealing of Fe/Si Bilayers for Photovoltaic Applications” Solar
Energy Mat.&solar Cell 82, 299-305
Shimura K., Yamaguchi K., Yamamoto H., Sasase M., Shamoto S., Hojou K., (2006), “Photoluminescence of β-FeSi2 thin film prepared by ion beam sputter deposition method”
Siber A. (2003) www.nanotech-now.com
Smith D.L., (1995) “Thin film deposition -principles & practice” McGraw-Hill Inc., New York
Starke U., Weiss W., Kutschera M., Bandorf R., Heinz K., (2002) “High quality iron silicide films by simultaneous deposition of iron and silicon on Si (111)” J. Appl. Physics, 91, 6154