Fiziksel analiz

5.1.2.1. Benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril’in alan etkili transistör özellikleri

Döndürmeli kaplama yöntemi ile kaplanmış benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril filminin yüzey oluşumu ve morfolojisi Atomik Kuvvet Mikroskopu (PARK XE 100 AFM) kullanılarak belirlendi. Bu kaplamada benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril filminin neredeyse homojen olduğu gözlemlendi ve elde edilen AFM görüntüleri Şekil 5.2’de verildi. Şekil 5.2a ve b sırasıyla organik aktif katmanın üç ve iki boyutlu AFM görüntülerini göstermektedir. Şekil 5.2a’dan görüleceği gibi üretilen ince film, yapının çoğu bölgesinde homojendir ve bu yüzden, kaynak Savak elektrotları arasındaki elektron iletimi iletken kanaldan kolaylıkla sağlanabilir. Bunun haricinde, pürüzlülük ve tanecik boyutu parametreleri OFET’lerin elektriksel performansını etkileyen önemli parametrelerdir. Bu yüzden, küçük kristal taneciklerinin çapı ve pürüzlülüğü sırasıyla 12 nm ve 1,62 nm olarak Şekil 5.2a ve b’den belirlenmiştir.

Şekil 5.2. Benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril ince filminin (a) üç boyutlu ve (b) iki boyutlu AFM görüntüleri.

Oluşturduğumuz OFET cihazının akım voltaj karakteristikleri Keithley 2612A SMU ölçü aleti ve Ossila OFET test stantı kullanılarak bilgisayar kontrolü altında 5V’luk adımlarda 0’dan -20V’a kadar VGS adım voltajı ve 0’dan -5V’a kadar VDS süpürme voltajı ile karanlıkta ve atmosfer ortamında incelendi. Farklı VGS

voltajlarında VDS’ye karşı çizdirilen IDS grafiği olan çıkış karakteristiği, benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril içeren OFET için Şekil 5.3’de gösterilmiştir. IDS–VDS çıkış karakteristiğinden cihazımızın bir p kanal biriktirme tipli alan etkili transistör olduğu anlaşılmaktadır. Kapı voltajının artmasıyla kanalda daha çok elektronun birikmesi kaynak Savak arasından geçen akımın artmasına neden olur. Bu yüzden, benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril içeren OFET cihazı artan negatif kapı voltajlarıyla kaynak Savak akımı arttığından dolayı p kanaldır. Cihazımız kaynak Savak arasına bir gerilim uygulandığında güzel doyum karakteristiği göstermektedir.

Şekil 5.3. 0’dan 20V’a kadar farklı kapı adımlarında benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril içeren OFET’in çıkış karakteristiği.

Şekil 5.4 VGS kapı voltajının bir fonksiyonu olarak IDS kaynak Savak akımını vermektedir. Akım açma ve kapama Ion/Ioff oranını elde etmek için 0 V‘dan -14 V’a kadar VGS süpürme voltajına karşı çizidirlen logaritmik IDS grafiği de aynı zamanda Şekil 5.4’de gösterilmiştir. Ion/Ioff değeri minimum ve maksimum kapı voltajına karşılık gelen Savak akım değerleri kullanılarak hesaplandı. Bu şekilden görülebildiği gibi, I_on/I_off değeri 0,7x10³ olarak bulunmuştur. Sabit bir V_DS voltajında V_GS’ye karşı (I_DS)^1/2 çizdirilerek geçiş iletkenliği değeri (g_m) Şekil 5.5’den görüldüğü gibi bu grafiğin eğiminden elde edilebilir. Cihazın geçiş iletkenliği karakteristiği de olan transfer karakteristiği doyum rejiminde ölçüldü (|VDS| = 5 ≥ |VGS–VTh|). Birim kare başına kanal iletkenliği, VGS > |𝑉_𝑇ℎ| olduğu zaman VGS ile birlikte lineer olarak artmıştır (burada L ve W iletken kanalın sırasıyla aralığı ve genişliğidir).

Şekil 5.4. VDS = -5V’da 0 V’dan -14 V’a kadar süpürülen kapı voltajında benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril içeren OFET’in transfer karakteristiği.

IDS’nin artış oranı denklem 2.11’e göre geçiş iletkenliği olarak ifade edilir. Ürettiğimiz cihazın geçiş iletkenliği değeri bu denkleme göre 5,64 S/mm olarak bulunmuştur.

Şekil 5.5. Benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril içeren OFET’in (IDS)^1/2-VGS

değişimin kapı voltajındaki değişime oranıdır. Yüksek geçiş iletkenliği; transistörün daha hızlı çalışabilmesini ve cihazın kanal geometrisinin önemli olduğu iyi bir cihaz performansını işaret eder. Denklem 2.11’e göre kanal genişliğinin kanal aralığına oranı yüksek olursa cihaz yüksek geçiş iletkenliğine sahip olur. Bunlardan başka, Şekil 5.5’de IDS^1/2 grafiğinin en iyi lineer fit edilmiş eğiminin x eksenini kestiği yer eşik voltajını verir. Üretilen OFET’in eşik voltaj değeri bu grafiğin en iyi lineer fitinden 1,37 V olarak elde edilmiştir. Kapı voltajı ile Savak akımının doyum varyasyonu denklem 2.9’daki bağıntı ile alan etkili mobiliteyi verir. Denklem 2.9’da C_i yalıtkan katmanın kapasitansıdır ve FET ise OFET cihazının alan etkili mobilitesidir. OFET üretiminde yalıtkan katman olarak kullanılan SiO2 termal olarak yüksek p katkılı silisyum yüzey üzerine büyütülmüş ve bu oksit kalınlığı 300 nm olarak ölçülmüştür. Yalıtkan katmanın kapasitansı GW 8105G LCR metre ile 20 Hz – 1 MHz frekans aralığında ölçülmüştür.

SiO₂ yalıtkan katmanın kapasitansı 20 Hz – 1 MHz frekans aralığında ölçülmüş ve buradan etkin kapasitans değeri 9 nF/cm2

olarak elde edilmiştir. Elde edilen etkin kapasitansın frekansa karşı değişim grafiği Şekil 5.6’da çizdirilmiştir. Fakat kapasitans değeri 1 kHz – 1 MHz frekans aralığında artan frekansla azalmaktadır. OFET, MOS ve MIS gibi yapılar içeren organik elektronik cihazlarda yalıtkan katmanın durağan kapasitansı dikkate alınır. Durağan kapasitans düşük frekans değerlerinde ölçülen molekül içerisinde dipollerin uygulanan elektromanyetik dalganın frekansı nedeniyle en az hareketli olduğu kapasitans değerine karşılık gelir. Bunun dışında, OFET’lerdeki etkin kapasitans birim alan başına düşen kapasitans değeridir. Bu bilgiler ışığında üretilen OFET’in yalıtkan katmanının etkin kapasitansı yukarıda bahsedildiği gibi 9 nF/cm2

Şekil 5.6. SiO2 yalıtkan katmanın frekansa bağlı kapasitans değişim grafiği.

Denklem 2.9’a göre IDS^1/2 transfer karaktersitiği eğrisinin en iyi lineer fiti bulunarak ve denklem 5.1’deki formül uygulanarak doyum rejimindeki benzo[b]trifenilen-9-(5-fenil-1,3,4-oksadiazol-2-il)-14-karbonitril içeren OFET’in mobilite değeri hesaplanabilir.

𝛼 = (^𝑊𝐶𝑖

2𝐿 )^{1 2⁄} (5.1)

Burada  VGS’ye karşı çizdirilen (IDS )^0.5 grafiğinin eğimidir. Bu üretimde W/L oranını 1000m/40m olarak kullandık. Denklem 5.1 ve 2.9 kullanılarak cihazımızın alan etkili mobilitesini 5,02 cm2/Vs olarak hesapladık. Bu mobilite değeri daha önceki yeni organik yarıiletken içeren OFET cihazlarından elde edilen sonuçlara kıyasla mükemmel bir sonuçtur [266 269].