• Sonuç bulunamadı

Elektronik 1 Dersi

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "Elektronik 1 Dersi "

Copied!
3
0
0

Yükleniyor.... (view fulltext now)

Tam metin

(1)

Elektronik 1 Dersi

Ankara Üniversitesi Elmadağ Meslek Yüksekokulu Öğretim Görevlisi : Murat Duman

Mail: [email protected]

Ders Kitabı: Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky-Electronic Devices and Circuit Theory (11th Edition)-Prentice Hall (2012)

(Bu çalışmadaki şekiller ders kitabından alınmıştır)

Hafta 13

(2)

Bölüm 4. : Uygulama

Malzeme Listesi:

Silisyum diyot

Zener diyot (10 V’luk)

8 kΩ direnç, 10 kΩ direnç, 15 kΩ direnç, 20 kΩ direnç, 500 kΩ direnç, 1 MΩ direnç 100 kΩ potansiyometre, 1 MΩ potansiyometre

2N4401 BJT Transistör

BC337 BJT Transistör

BF245 FET Transistör

Milimetrik kağıt

(3)

Bölüm 4.4. : Deney 4

Potansiyometre kullanarak V CE ’yi 10 V değerine sabitlemek için gerekli R 1 ve R 2 değerlerini bulunuz. Deneyde ilk olarak 2N4401 transistör kullanınız, sonra aynı deneyi BC337 transistör ile tekrarlayınız. Verilen devrenin Thevenin eşdeğerini kullanarak β değerini hesaplayınız. Her iki transistör için de I C and V CE değerlerini ölçünüz. Bu değerler arasında büyük fark var mı açıklayınız.

Şekil 4.4. İlgili Şekil

Referanslar

Benzer Belgeler

Negatif alternansta diyot iletimde olup çıkışta 0 V görülür ve kapasitör diyot üzerinden hızlı bir şekilde V değerine şarj olur.. Pozitif alternansta diyot kesimdedir

• Ayrıca beyz bacağı hem giriş hem de çıkış için ortaktır.. Hem kollektör hem de emiter için

Şekil 3.7.’den görüleceği üzere n-kanal Depletion MOSFET’te ܸ ீௌ > 0 V değerleri için I DSS ’den daha büyük değerler elde edilebilmektedir..

Örnek: Şekil 3.18.’de verilen Enhancement MOSFET’te V GS =-4.3 V olarak ölçülmüşse ilgili devre şemasını kullanarak şıklarda verilen değerleri hesaplayınız.. :

Boylestad, Louis Nashelsky-Electronic Devices and Circuit Theory (11th Edition)-Prentice Hall (2012). (Bu çalışmadaki şekiller ders kitabından alınmıştır)

Boylestad, Louis Nashelsky-Electronic Devices and Circuit Theory (11th Edition)-Prentice Hall (2012). (Bu çalışmadaki şekiller ders kitabından alınmıştır)

Boylestad, Louis Nashelsky-Electronic Devices and Circuit Theory (11th Edition)-Prentice Hall (2012). (Bu çalışmadaki şekiller ders kitabından alınmıştır)

• Bilgisayar Donanımını Statik Elektrik Etkisinden Koruma,...