• Sonuç bulunamadı

UV-VIS-NIR spektrumlarından cam alt tabaka üzerindeki filmlerin kalınlıkları ve enerji bant aralıkları hesaplanmıştır. Film kalınlıkları 52 ile 149 nm arasında bulunmuştur. Ara işlem tavlama sıcaklığı arttıkça ve film tabaka sayısı azaldıkça film kalınlıklarının azaldığı belirlenmiştir. TiO2 filmlerin enerji bant aralıkları (Eg) 3.38-3.58 eV aralığında bulunmuş ve ara işlem tavlama sıcaklığı arttıkça ve filmdeki tabaka sayısı azaldıkça yasak enerji değerinin azaldığı tespit edilmiştir. Bulunan bu veriler TiO2 ile ilgili belirtilen yayınlardaki veriler ile karşılaştırıldığında yakın değerler olduğu görülmüştür (Gonzalez and Santiago 2007).

Cam alt tabaka üzerindeki filmlerin X-ışını kırınım desenleri incelenmiş ve tüm örneklerde sadece 26 o‘de keskin tepeler görülmüştür. Ara tavlama sıcaklığı arttıkça tepelerin şiddetinin arttığı belirlenmiştir. Bu sonuçları TiO2 ile ilgili benzer tavlama sıcaklıklarındaki yayınlar ile karşılaştırıldığında filmlerin tetragonal anatez fazda ve polikristal yönelimlerinin (101)’e karşılık geldiği bulunmuştur (Negishi and Takeuchi 1999). Söz konusu bu yayınlarda TiO2 ince filmlerinin tavlama sıcaklıklarının 700-800

oC’den sonra anatez fazdan rutil faza doğru geçtiği belirtilmiştir (Negishi and Takeuchi 1999). X-ışını kırınım desenleri analizi ve Scherrer fomülünden yararlanarak filmlerin kristal boyutları hesaplanmıştır. Kristal boyutlarının 11 ile 38 nm arasında değiştiği ve ara tavlama işleminde sıcaklık arttıkça kristal boyutlarının azaldığı, film kalınlıklarının artmasıyla da arttığı görülmüştür.

Cam alt tabaka üzerindeki TiO2 filmlerinin AFM görüntülerden ara tavlama ısıtma sıcaklığı arttıkça tanecik boyutlarının küçüldüğü ve küçülen taneciklerin birleştiği görülmüştür. Bu sonuç TiO2 ile ilgili benzer çalışmalardaki yayınlarda bu tür birleşmenin TiO2 yapısının anatez fazdan rutil faza doğru kaydığı belirtilmektedir (Yang et al. 2006). Bilgisayar yardımıyla yapılan analizler neticesinde yapıların ortalama tanecik boyutlarının 46 ile 82 nm arasında değiştiği bulunmuştur. Ortalama tanecik boyutlarının ara tavlama işlem sıcaklığı arttıkça azaldığı ve film tabaka sayısı arttıkça arttığı tespit edilmiştir. Filmlerin 3-boyutlu AFM görüntüleri bilgisayar programı ile analizlendiğinde ise ortalama pürüz parametrelerinin 1.15 ile 4.25 nm arasında değiştiği görülmüştür. Ortalama pürüz parametrelerinin ara tavlama işlem sıcaklığı arttıkça arttığı ve film tabaka sayısı arttıkça azaldığı tespit edilmiştir.

Cam alt tabaka üzerindeki filmlerin iletkenlik ve aktivasyon enerjilerini tespit etmek üzere değişik sıcaklıklarda akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapılmıştır. Elde edilen I-V belirtkenleri ve UV-VIS spektrumundan tespit ettiğimiz film kalınlıkları kullanılarak örneklerin özdirençleri ve iletkenlikleri tespit edilmiştir. Ara işlem tavlama sıcaklığı arttıkça iletkenliğin arttığı belirlenmiştir. Aktivasyon enerjinin ara işlem tavlama sıcaklığı arttıkça azaldığı ve film kalınlığı arttıkça arttığı görülmüştür.

Al/p-Si (MS) ve Al/TiO2/p-Si (MIS) yapılarının oda sıcaklığında karanlık, I-V ve C-V belirtkenlerinden genel bir diyot davranışı gözlenmiştir. OP4, OP5 ve OP6 numaralı örneklerin oksit kalınlığı 100 Å’dan büyük olduğu ve için bu yapıların MOS yapı davranışı gösterdiği için I-V belirtkenleri ölçülmemiştir (Card and Rhoderick 1971, Rhoderick and Williams 1988). I-V belirtkenlerinden Al/TiO2/p-Si yapılarının diyot doğrultma oranlarının Al/p-Si yapısına göre daha büyük olduğu görülmüştür.

Doğrultma oranının Al/TiO2/p-Si yapılarında ara yüzeydeki TiO2 hazırlamadaki ara tavlama sıcaklığı arttıkça arttığı belirlenmiştir. Ara yüzeyi film kaplı yapıların ideallik faktörü ve sıfır beslem engel yükseklikleri ara yüzeyi film kaplanmamış (Al/p-Si) yapıya göre büyük çıkmıştır. Al/TiO2/p-Si yapılarında ideallik faktörü ara yüzeydeki TiO2 hazırlamadaki ara tavlama sıcaklığı arttıkça azalmıştır. İdeallik faktörü değerlerinin 1’den büyük çıkması metal/yarıiletken ara yüzey durumlarının dağılımına ve metal/yarıiletken arasındaki yalıtkan ara yüzey tabakasının varlığını göstermiştir (Singh 1985, Szatkowski and Sieranski 1988, Cova and Singh 1990, Singh 1990).

İdeallik faktörünün 1’den büyük olmasının diğer bir önemli nedeni de seri direnç (Rs) etkisidir. Bu metal/yalıtkan/yarıiletken yapılar için çok önemli bir davranıştır ve ara yüzey durumlarının dağılım eğilimine önemli bir oranda etkilemektedir. Al/TiO2/p-Si yapılarının ara yüzey enerji dağılımlarını belirlemek için seri direnç etkisi de göz önünde bulundurulmuştur. Yapıların seri dirençlerini belirlemek için Cheung’ler tarafından geliştirilmiş iki fonksiyon yardımıyla belirlenmiştir (Cheung and Cheung 1986). Her iki yöntemle bulunan seri direnç değerlerinin birbirine yakın olduğu görülmüştür. Buna göre, ara işlem tavlama sıcaklığı arttıkça seri direnç değerleri artmıştır. Bulduğumuz bu sonuçlar SnO2 ile yapılan benzer çalışma ile uyumlu olduğu görülmüştür (Karadeniz et al. 2004).

Al/TiO2/p-Si yapılarının C-V ve G/ω-V eğrileri tipik bir MIS yapısı davranışı sergilemiştir. Şekil 4.11.a’dan görüldüğü gibi yapının kapasitesi artan frekansla kuvvetli yığılma bölgesinden kuvvetli tersinim bölgesine doğru gittikçe azalmıştır. Ayrıca yığılma ve tüketim bölgesinde de yapının kapasitesi artan frekansla azalmıştır. G/ω-V eğrileri ise Şekil 4.11.b’de görüldüğü gibi tüketim bölgesinde bir tepe vermiş ve bu tepenin şiddeti artan frekansla azalmış ve yığılma bölgesine doğru kaymıştır. Bu davranış yalıtkan/yarıiletken (TiO2/p-Si) ara yüzeyindeki ara yüzey durumlarından kaynaklanmıştır (Hung and Cheng 1987, Singh and Srivastava 1982). Bunun nedeni yüksek frekanslarda ara yüzey durumlarının uygulanan ac sinyalini takip edememelerinden kaynaklanmıştır. Diğer bir deyimle, yüksek frekans bölgesindeki kapasite ölçmelerinden gelen ara yüzey durumlarından kapasiteye gelen katkı söz konusu değildir veya ihmal edilebilecek boyuttadır. İlgili yayınlarda, alıcı yoğunluğunu hesaplamak için C-V eğrisinin en az 500 kHz frekansında ölçülmesi gerektiği vugulanmıştır (Nicollian and Brews 1980, Sze and Kwog 2007). Bunun nedeni düşük frekanslarda daha uzun zaman sabitine sahip ara yüzey durumlarının ölçülmesi ve C-2-V eğrisinin eğiminden elde edilen alıcı yoğunluğu değerinin gerçek değerde olmamasındandır. Tüm frekanslar için, kuvvetli yığılma bölgesinde hesaplanan seri direnç değerlerinin frekansa bağlı değişimi Şekil 4.12.b’de verilmiştir. Seri direncin artan frekansla üstel olarak azaldığı ve yüksek frekanslarda doymaya gittiği görülmüştür. Bu sonuç, ara yüzey durumlarının yüksek frekanslarda uygulanan ac sinyalini takip edemediğini doğrulamıştır.

Yapıların C-2-V grafiklerinin eğiminden alıcı yoğunlukları bulunmuş, kuramsal ve deneysel olarak bulunan bu alıcı yoğunlukları Eşitlik 4.16’da kullanılarak c2 değerleri elde edilmiş ve bu değerlerin 0.229 ile 0.537 arasında değiştiği tespit edilmiştir. Yani bu değerler yapılarımızda ara yüzey durumlarının varlığını işaret etmektedir. Çünkü

ss

N için c2 →0 ve Nss →0 için c2 →1 değerine yaklaşır (Sze and Kwog 2007).

I-V ve C-V belirtkenlerinden hesaplanmış φb(CV) değerleri φb(IV) değerlerinden biraz farklıdır. MIS yapılarla ilgili yayınlarda bu farklılığın Eşitlik 4.9 bağıntısında tünelleme faktörünün bağıntıya ilave edilmemesinden kaynaklandığı vurgulanmıştır (Ng and Card

1980, Benny and Majhi 1992). Tünelleme etkileri de göz önüne alındığında düzeltilmiş engel yüksekliği değerlerinin φb(CV) değerlerine yakın değerlerde olduğu bulunmuştur.

Ara yüzey tabaka kalınlığı arttıkça tünelleme faktörünün de arttığı görülmüştür.

I-V ve C-V belirtkenlerinden yararlanılarak RS =0 ve RS ≠0 durumları için ara yüzey durumlarının enerji dağılımları elde edilmiştir. TiO2 hazırlamada ara tavlama işlem sıcaklığı arttıkça ara yüzey durum yoğunlukları azalmıştır. OP3 örneği için

) ( ss v

ss E E

N − − grafiğinde seri direnç dikkate alınmadığında 0.25eV −Ev konumunda ara yüzey durum yoğunluğu 8.8×1013 (eV-1cm-2) değerine karşılık gelirken, seri direnç dikkate alındığında aynı konumda ara yüzey durum yoğunluğu 4.96×1013 (eV-1cm-2) değerine karşılık gelmiştir. Yapıların elde edilen ara yüzey durumlarının enerji dağılımları, Al/SiO2/p-Si ve Al/ SnO2/p-Si yapıları ile karşılaştırıldığında benzer eğriler ve yaklaşık değerler bulunmuştur (Altındal et al. 2004, Kanbur et al. 2005). Yapıların ara yüzey durumlar yoğunluğu arttıkça belirtkenlere etkisinin de arttığı görülmüştür.

Buna göre ara yüzey durum yoğunluğu arttıkça yapıların ideallik faktörleri artmış, engel yükseklikleri azalmış ve yapılar ideal durumdan sapmıştır. Bu sonuçlara dayanarak yapılarda ara yüzeye TiO2 ince film hazırlamadaki ara tavlama sıcaklığının 300 oC’de daha iyi sonuç verdiği görülmüştür. Bunun nedeni daha küçük ideallik faktörüne ve ara yüzey durumlarına sahip olarak düşünülmüştür.

OP3 yapısının, değişik sıcaklıklardaki, I-V belirtkenlerinden ideallik faktörü değerlerinin yine 1’den büyük çıktığı ve ideallikten sapma olduğu görülmüştür. Al/p-Si ara yüzeyinde TiO2 yalıtkan tabakanın varlığı ve ara yüzey durumlarının değişimiyle ilgilendirilmiştir. Sıcaklık arttıkça, n azalırken, φb0 değeri çizgisel artan bir davranış sergilediği görülmüştür. φb0’ın bu şekilde artışı, yayınlarda bildirilen Schottky engel yüksekliğinin negatif sıcaklık katsayısı ile açıkca uygun olmadığı tespit edilmiştir.

Yayınlanan diğer çalışmalarda, metal/yarıiletken ara yüzeyindeki meydana gelen akım iletimi, sıcaklığa bağlı olduğundan dolayı, düşük sıcaklıklarda taşıyıcı elektronları daha düşük bir engel yüksekliği ile karşılaştıklarında bu engelleri aşabilecekleri belirtilmektedir (Padovani and Stratton 1966, Chand 2004). Bu nedenle de toplam akım

sebeple artacağı da belirtilmektedir. Yüksek sıcaklıklarında ise, taşıyıcı elektronları yeteri kadar termal enerji kazanacaklarından dolayı, yüksek potansiyel engellerini aşabilecek ve akım iletiminde bu geçen akımın etkili olacağı, bu nedenle de yapının ideallik faktörünün ideal duruma doğru yaklaşacağı ifade edilmektedir. İdeallik faktöründeki bu değişimin ise Schottky engelindeki homojensizliklerin neden olduğu ileri sürülmektedir.

ln(I0/T2)-1000/T Richardson çiziminden aktivasyon enerjisini ve Richardson sabiti bulunmuştur. ln(I0/T2)-1000/nT grafiğinin eğimi çizgisel bir doğru vermiştir, bu doğrunun eğiminden aktivasyon enerjisi ve Richardson sabiti 0.755 eV ve 6.41×10-4 A/cm2 K2 bulunmuştur. Buna rağmen, ln(I0/T2)-1000/T grafiğinin eğimi iki çizgisel doğru vermiştir. Oda sıcaklığında yapılan I-V ölçümlerinde Schottky diyotların belirtkenlerini ifade etmekte genel olarak TE kuramı kullanılır. Bununla beraber düşük sıcaklıklara doğru gidildikçe TE kuramdan sapmalar meydana gelir. Bunun en belirgin göstergesi sıfır beslem engel yüksekliğinin artan sıcaklıkla artması ve ln(I0/T2)-1000/T grafiğinin eğiminin çizgisel doğrusallıktan sapmasıdır (Bhuiyan et al. 1988, Chand and Kumar 1996, Akkal et al. 1998, Altındal et al. 2003, Karataş et al. 2005,). Birinci bölge 180-300 K aralığında olup, doğrunun eğiminden aktivasyon enerjisi ve Richardson sabiti 0.132 eV ve 8.472×10-10 A/cm2 K2 hesaplanmıştır. İkinci bölge ise 80-160 K aralığında olup, doğrunun eğiminden aktivasyon enerjisi ve Richardson sabiti 0.017 eV ve 4.321×10-13 A/cm2 K2 hesaplanmıştır. Bulunan Richardson sabiti değerleri, p-tipi Si’un 32 A/cm2 K2 değerinden oldukça küçüktür. Bu sonuçlar yapımızın TE kuramından saptığının bir göstergesidir.

Deneysel ölçümlerden bulunan sıfır beslem engel yüksekliklerinin ideallik faktörlerine karşı çizilmesinden iki farklı eğimli doğrular elde edilmiştir. İlk bölge 180-300 K aralığındadır ve doğrunun eğiminden n=1 ideal durumu için homojen engel yüksekliği 0.896 eV bulunmuştur. Bu değer silisyumun band aralığına yakın değerdedir. İkinci bölge ise 80-160 K aralığında olup, n=1 ideal durumu için homojen engel yüksekliği 0.594 eV bulunmuş olup, bu değer de silisyumun band aralığının yarısına karşı gelmektedir. Buradan T ≥180K sıcaklıklarında iletime katkıda bulunan kuramın TE olduğu, T ≤160K sıcaklıklarında ise akım iletime termiyonik alan emisyon (TAE)

kuramının katkıda bulunduğu sonucu çıkmaktadır (Sze and Kwog 2007). Sonuç olarak Al/TiO2/p-Si (MIS) yapımızda akım iletimin sadece TE kuramından oluşmadığı anlaşılmaktadır. İki farklı engel yüksekliğinin olması da dikkate değerdir. Yayınlarda bu durum çift Gaussian dağılımına sahip, GD1 ve GD2 engel yükseklikleri olarak tanımlanmıştır (Werner and Güttler 1991, Chand and Kumar 1996).

Bağıntı 2.52a ve 2.52b dikkate alınarak Bağıntı 4.29 yeniden düzenlenmiş ve φap-q/2kT çizimi yapılmıştır. φap-q/2kT grafiğinde, 180-300 K aralığındaki bölgedeki, doğrunun eğiminden φb0 ve σs değerleri 1.089 eV ve 0.137 V hesaplanmıştır. 80-160 K aralığındaki ikinci bölgede φb0 ve σs değerleri 0.622 eV and 0.075 V hesaplanmıştır.

Sonuç olarak standart sapma değerlerinin ortalama engel yüksekliğine oranla daha küçük olmadığı ve ara yüzeyde homojen olmayan durum oluştuğu gözlenmiştir. Bu durum ilgili yayınlarda ara yüzeyde yüksek engel ihtiva eden ve homojen olmayan engel yükseklikleri ve potansiyel değişimleri olarak söz edilmiştir (Werner and Güttler 1991, Chand and Kumar 1996).

Yeniden düzenlenmiş ln(Io/T2)-q2σ2/2k2T2 - q/kT çizimlerinden iki farklı eğimli bölge elde edilmiştir. 1. bölge için ortalama sıfır beslem engel yükseliği ve Richardson sabiti değerleri sırasıyla 1.108 eV and 31.42 A/cm2 K2 bulunmuştur. 2. bölge için ise 0.634 eV and 23.83 A/cm2 K2 olarak bulunmuştur. Buradan ortalama sıfır beslem engel yükseliği değerleri φap-q/2kT eğrilerinden elde edilen ortalama değerleriyle uyum içerisinde olduğu görülmüştür. Diğer taraftan deneysel olarak bulunan Richardson sabitinin p-Si kristalinin Richardson sabitine oldukça yakın olduğu belirlenmiştir. Richardson eğrisi belirtkeni üzerinde yapmış olduğumuz yeni düzenlemenin uygun olduğu doğrulanmıştır.

Ayrıca bu sonuçlar ara yüzeydeki engel yüksekliğinin homojen olmayan bir davranış gösterdiğini kanıtlamıştır.

Sonuç olarak p-Si üzerinde TiO2’nin oluşturulması ve Al/TiO2/p-Si (MIS) yapıları yapıldığında, bu yapıların ideallik faktörlerinin Al/p-Si (MS) yapılarındakine göre düşük çıkmış ve daha üstün yarıiletken özelliği gösterdiği görülmüştür.

KAYNAKLAR

Akkal, B., Benemara, A., Boudissa, A., Bouiadjra, N. B., Amrani, M., Bideux, L. and Gruzza, B. 1998. Modelization and characterization of Au/InSb/InP Schottky systems as a functions of temperature. Mater. Sci. And Eng. B. 55, 162-168.

Akkal, B., Benemara, A., Gruzza, B. and Bideux, L. 2000. Characterization of Interface States at Au/InSb/InP(100) Schottky Barrier Diodes As A Function of Frequency.

Vacuum, 57, 219-228.

Altındal, Ş., Karadeniz, S., Tuğluoğlu, N. and Tataroğlu, A. 2003. The role of interface states and series resistance on the I-V and C-V characteristics in Al/SnO2/p-Si Schottky diodes. Solid-State Electron. 47, 1847-1854.

Bach, H. and Krause, D. 1997. Thin Films on Glass, Springer, Heidelberg.

Benny, E. T. P. and Majhi, J. 1992. Tunnel oxides in AlSiOx/p-Si diodes by high pressure, low temperature oxidation of Si(100) and Si(111). Semic. Sci. Tech. 7, 154-159.

Bohlin, K. E. 1986. Generalized Norde Plot Including Determination of the Ideality Factor. J. Appl. Phys., 60, 1223-1224.

Card, H. C. and Rhoderick, E. H. 1971. Studies of Tunnel MOS Diodes I. Interface Effects in Silicon Schottky Diodes, J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1589-1601.

Card, H. C. 1976. Aluminum-Silicon Schottky Barriers and Ohmic Contacts in Integrated Circuits. IEEE Trans. On Electron. Devices, 23, 538-544.

Castagne, R. and Vapaille, A. 1971. Description of the SiO2-Si Interface Properties by Means of Very Low Frequency MOS Capacitance Measurements. Surface Sci., 28, 157-193.

Chand, S. and Kumar, J. 1996. Evidence for the double distribution of barrier heights in Pd2Si/n-Si Schottky diodes from I-V-T measurements. Semicond. Sci. Tech.

11(1), 1203-1208.

Chand, S. 2004. On the intersecting behaviour of current-voltage characteristics of inhomogeneous Schottky diodes at low temperatures. Semicond. Sci. Technol.

19(1), 82-86.

Chatelon, J.P., Terrier, C., Bernstein, E., Berjoan, R. and Roger, J.A. 1994. Morphology of SnO2 thin films obtained by the sol-gel technique. Thin Solid Films, 247, 162.

Chattopadhyay, P. and Daw, A. N. 1986. On the current transport mechanism in a metal-insulator-semiconductor (MIS) diode. Solid-State Electron. 29, 555.

Cheung, S. K. and Cheung, N. W. 1986. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics. Appl. Phys. Lett., 49(2), 85.

Cova, P., and Singh, A. 1990. Temperature dependence of I-V and C-V characteristics of Ni/n-CdF2 Schottky barrier type diodes. Solid-State Electronics. 33(1), 11-19.

Cullity, B. D. 1978. Elements of X-ray diffraction. 2nd ed., Addison-Wesley, California.

Czapla, A., Kusior, E. and Bucko, M. 1989. Optical properties of non-stoichiometric tin oxide films obtained by reactive sputtering. Thin Solid Films, 182, 15.

Fuyuki, T. and Matsunami, H. 1986. Electronic Properties of the Interface between Si and TiO2 Deposited at Very Low Temperatures. Japanese Journal Of Applied Physics, 25, 1288.

Gonzalez, A. E. J. and Santiago, S. G. 2007. Structural and optoelectronic characterization of TiO2 films prepared using the sol-gel technique. Semic. Sci.

Tech. 22, 709-716.

Ha, H. K., Yoshimoto, M., Koinuma, H., Moon, B. K. and Ishiwara, H. 1996. Open air plasma chemical vapor deposition of highly dielectric amorphous TiO films.

Applied Physics Letters, 66, 2965.

Hung, K. K. and Cheng, Y. C. 1987. Determination of Si-SiO2 interface trap properties of p-MOS structures with very thin oxides by conductance measurements. Appl.

Surf. Sci. 30, 114-119.

Kanbur, H., Altındal, Ş. and Tataroğlu, A. 2005. The Effects of Interface States, Excess Capacitance and Series Resistance in the Al/SiO2/p-Si Schottky Diodes. Applied Surface Science, 252, 1732-1738.

Karadeniz, S., Tuğluoğlu, N. and Serin, T. 2004. Substrate temperature dependence of series resistance in Al/SnO2/p-Si (111) Schottky diodes prepared by spray deposition method. Applied Surface Science, 233, 5-13.

Karataş, Ş., Altındal, Ş. and Çakar, M. 2005. Current transport in Zn/p-Si(100) Schottky barrier diodes at high temperatures. Physica B. 357, 386.

Kelberlau, U. and Kassing, R. 1981. Nonequilibrium Properties of MIS-Capacitors.

Solid State Electron., 24, 321-327.

Kern, W. 1993. Handbook of Semiconductor Cleaning Technology. Noyes Publishing, New Jersey.

Krawezyk, S. K., Jakubawski, A. and Zurawska, M. 1981. Effect of Temperature on Electrical and Photoelectrical Properties of Silicon MIS Solar Cells. Phys. Stat.

Sol. (a), 67, 313-323.

McLean, A. B. 1986. Limitations To The Norde I-V Plot. Semicond. Sci. Technol., 1, 177-179.

Music, S., Gotic, M., Ivanda, M., Popovic, S., Turkovic, A., Trojko, R., Sekulic, A. and Furic, K. 1997. Chemical and micro structural properties of TiO2 synthesized by sol-gel procedure. Material Science and Engineering B, 47, 33-40.

Negishi, N. and Takeuchi, K. 1999. Structural changes of transparent TiO2 thin films with heat treatment. Materials Letters. 38, 150-153.

Nicollian, E. H., and Goetzberger, A. 1967. The Si-SiO2 interface electrical properties as determined by the MIS conductance technique. Bell. Syst. Tech. J. 46, 1055-1133.

Nicollian, E. H., Goetzberger, A. and Lopez, A. 1969. Expedient method of obtaining interface state properties from MIS conductance measurements. Solid-State Electronics. 12(12), 937-944.

Nicolian, E. H. and Brews, J. R. 1982. Metal Oxide Semiconductor (MOS) Physics and Technology, John Wiley, New York.

Ng, K. K. and Card, H. C. 1980. Asymmetry in the SiO2 tunneling barriers to electrons and holes. J. Appl. Phys. 51(4), 2153-2157.

Norde, H. 1979. A Modified Forward I-V Plot for Schottky Diodes With High Series Resistance. J. Appl. Phys., 50, 5052-5053.

Ohdomari, I. and Tu, K. N. 1980. Parallel Silicide Contacts. J. Appl. Phys., 51, 3735.

Padovani, F. A. and Stratton, R. 1966. Field and Thermionic-Field Emission in Schottky Barriers. Solid-State Electron., 9, 695-707.

Rhoederick, E. H. 1980. Metal-semiconductor contacts. Clarendon Press, Oxford.

Rhoderick, E. H. and Williams, R. H. 1988. Metal Semiconductor Contacts. Clarendon, Oxford.

Sakka, S. 2004. Handbook of Sol-Gel Science and Technology. Kluwer Academic Publishers, New York.

Sato, K. and Yasamura, Y. 1985. Study of Forward I-V Plot for Schottky Diodes with High Series Resistance, J. Appl. Phys., 58, 3655-3657.

Saxena, A. N. 1969. Forward Current-Voltage Characteristics of Schottky Barriers on n-type Silicon. Surf. Sci., 13, 151-171.

Serin, T., Serin, N., Karadeniz, S., Sari, H., Tugluoglu, N. and Pakma, O. 2006.

Electrical, structural and optical properties of SnO2 thin films prepared by spray pyrolysis. J. Non-Cyrst. Solids. 352, 209-215.

Sharma, B. L. 1984. Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Plenum Press, New York and London.

Singh, R. J. and Srivastava, R. S. Investigations of interface-state density in Si MOS structures. Solid-State Electronics. 25(3), 227-232.

Singh, A. 1985. Characterization of interface states at Ni/n-CdF2 Schottky barrier type diodes and the effect of CdF2 surface preparation. Solid-State Electronics. 28(3), 223-232.

Singh, A. 1990. Metal-Insulator-semiconductor Junction. J. Appl. Phys. 68(7), 3475-3483.

Song, Y. P., Van Meirhaeghe, R. L., Laflere, W. F. and Cardon, F. 1986. On the difference in apparent barrier height as obtained from capacitance-voltage and current-voltage-temperature measurements on Al/p-InP Schottky barriers. Solid State Electron. 29, 633.

Sullivan, J., Tung, R., Pinto, M. and Graham W., 1991. Electron transport of inhomogeneous Schottky barriers: A numerical study. J. Appl. Phys., 70 (12), 7403-7424.

Szatkowski, J. and Sieranski, K. 1988. Interface effects on Mg-Zn3P2 Schottky diodes.

Solid-State Electronics. 31(2), 257-260.

Sze, S. M. and Kwog, K. Ng. 2007. Physics of Semiconductor Physics. John Wiley &

Sons, New Jersey.

Tung, R. T., Sullivan, J. P. and Schrey, F. 1992. On the inhomogeneity of Schottky barriers. Mater. Sci. And Eng. B. 14, 266-280.

Visweswaran, G. S. and Sharan, R. 1979. Current transport in large-area Schottky barrier diodes. Proceedings of the IEEE, 67, 436-437.

Vydianathan, K., Nuesca, G., Peterson, G., Eisenbraun, E. T., Kaloyeros, A. E., Sullivan, J. J. and Han, B. 2001. Metalorganic chemical vapor deposition of titanium oxide for microelectronics applications. Journal Material Research, 16, 1838.

Werner, J. H. and Gütter, H. H., 1991. Transport Properties of homogeneous Schottky Contacts.Physica Scripta. T. 39, 258-264.

Werner, J. H. and Gütter, H. H., 1991. Barrier inhomogeneities at Schottky contacts. J.

Appl. Phys. 69,(3), 1522-1532.

Yang, M., Marino, J., Monson, A. and Wolden, C. A. 2006. An Investigation of annealing on the dielectric performance of TiO2 thin films. Semicon. Sci. Tech.

21, 1573-1579.

ÖZGEÇMİŞ

Adı Soyadı : Osman PAKMA

Doğum Yeri : Erlenbach/ ALMANYA Doğum Tarihi : 29. 11. 1975

Medeni Hali : Evli, 2 çocuk Yabancı Dili : İngilizce

Eğitim Durumu (Kurum ve Yıl)

Lise : Denizli Atatürk Teknik Lisesi Elektronik Bölümü (1994) Lisans : Anadolu Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü (1999) Yüksek Lisans : Muğla Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik

Anabilim Dalı (2002)

Çalıştığı Kurum/Kurumlar ve Yıl

Muğla Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 1999-2003 Stutgart Üniversitesi, Institut für Physikalische Elektronik (IPE) 2001

Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi Fizik Mühendisliği 2003-devam etmekte

Yayınları (SCI ve diğer)

1. Pakma, O., Serin, N., Serin, T. and Altındal, Ş. 2008. The double Gaussian distribution of barrier heights in Al/TiO2/p-Si (MIS) structures at low temperatures.

Journal of Applied Physics 104-1 2008.

2. Pakma, O., Serin, N., Serin, T. and Altındal, Ş. 2008. The effects of Interface States on the Electrical Characterization of Al/TiO2/p-Si (MIS) structures. Condensed Matter Physics Conference of Balkan Countries. Cmpc-bc2008.

3. Serin, T., Serin, N., Karadeniz, S. Sarı, H., Tuğluoğlu, N. and Pakma, O. 2006.

Electrical, structural and optical properties of SnO2 thin films prepared by spray pyrolysis. Journal of Non-Crystalline Solids 352, 209.

4. Turcu, M., Pakma, O. and Rau, U. 2002. Interdependence of absorber composition and recombination mechanism in Cu(In,Ga)(Se,S)2 heterojunction solar cells.

Applied Physics Letters 80, 2598.

5. Oktik, Ş., Pakma, O., Rau, U., Turcu, M. and Schock, H. W. 2002. Effect Of Stoichiometry on Electronic properties of CuIn(S,Se)2 Based Heterojunction Solar Cells. EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Strasbourg (France) E-MRS Spring Meeting 2002 June 18 - 21, 2002 SYMPOSIUM B., Strasbourg, FRANCE.

6. Pakma, O., Serin, N. ve Serin, T. 2007. Sol-Jel Daldırma Yöntemiyle Hazırlanmış Al/TiO2/p-Si Schottky Diyotlarda Yalıtkan Tabaka Kalınlığının Temel Elektriksel Parametrelere Etkisi. International Physics Congress, August 28-31, Malatya, TURKEY.

7. Pakma, O., Serin, N. and Serin, T. 2008. Al/TiO2/p-Si (MIS) Yapılarında Temel Elektriksel Parametrelerin Akım-Gerilim (I-V) Karakteristiklerinden Hesaplanması.

Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi Fen ve Mühendislik Dergisi. (Baskıda) 8. Pakma, O., Serin, N. and Serin, T. 2005. Sol-Jel Daldırma Yöntemi ile Hazırlanan

TiO2 İnce Filmlerin Sıcaklığa Bağımlı Yapısal ve Optiksel Özellikleri. 12.Yoğun Madde Fiziği-Ankara Toplantısı, Ankara Üniversitesi.

9. Pakma, O., Serin, N. and Serin, T. 2006. Sol-Jel Daldırma Yöntemi ile Hazırlanan TiO2 İnce Filmlerin Yüzey Analizleri. 13.Yoğun Madde Fiziği-Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi.

10. Pakma, O., Oktik, Ş., Turcu, M., Rau, U. and Schock, H. W. 2007.

ZnO/CdS/CuIn(Se,S)2 Heteroeklem Güneş Pillerinde Admittans Spektroskopisi.

14.Yoğun Madde Fiziği-Ankara Toplantısı, Hacettepe Üniversitesi.

11. Pakma, O., Oktik, Ş., Turcu, M., Rau, U. and Schock, H. W. 2007.

ZnO/CdS/CuIn(Se,S)2 Heteroeklem Güneş Pillerinde Akım-İletim Mekanizmaları.

14.Yoğun Madde Fiziği-Ankara Toplantısı, Hacettepe Üniversitesi.

Benzer Belgeler